空间互联网技术发展现状及趋势

空间互联网技术对航天监控、导航定位、远洋航行等应用提供重要支撑作用。目前这项技术发展存在不足,需要完善和发展。根据空间互联网技术的发展现状可以进一步分析空间互联网技术发展中存在的问题并预测空间互联网技术的发展趋势。本文从空间互联网技术的概念了解入手,综合分析了空间互联网技术的发展现状,其中包括了目前空间互联网技术的资源有限、整体发展能力差,最后对空间互联网技术的未来发展趋势进行了完整总结。     

美国空间战理论及电子装备发展研究

论述了美军空间力量的发展及战争需求与应用对空间战理论的影响,从对美军各时期的航天作战条令的分析中,探讨了美军空间战理论的发展脉络,揭示了其发展概貌.阐述了美国GPS导航系统、军事通信卫星系统、天基红外系统等空间力量增强系统的最新进展,介绍了天基空间监视系统和轨道深空成像系统等空间态势感知系统的近况,并预测了美国防御性和进攻性空间对抗系统的发展趋势.     

空间电子对抗技术的现状及发展趋势

从空间电子对抗技术的三个方面：空间电子情报侦察保障技术、空间电子攻击技术和空间电子防御技术入手，结合当前各国的航天、电子技术发展状况，对空间电子对抗技术的现状和发展趋势进行了较为深入、详细的论述。     

探讨移动互联技术及相关业务的发展

近年来,随着信息技术和数字技术的不断发展,我国互联网技术也获得了更大的发展空间,移动互联网技术也逐渐成为无线移动业务的主流发展趋势。移动互联网技术以手机为依托,通过无线移动网络实现互联网技术的有效运用,在促进无线通讯网络发展的同时,也为社会发展和人们生活带来了巨大的便利。文章就主要针对移动互联网技术以及相关业务的发展进行简单的探讨。     

移动互联网发展及其对IPv6的影响

对国内外移动互联网应用与技术的发展状况、移动互联网与IPv6的相互影响和相互作用、移动互联网与IPv6的未来发展趋势等进行了论述,从技术、应用、监管等方面,对如何更好地推动未来移动互联网与IPv6的发展提出了措施与建议.     

FPGA在航天遥感器中的应用

现场可编程门阵列（Field programmable gatearray,FPGA）是一种可编程逻辑器件,设计方便、便于修改、功能便于扩展,极大地提高了电子系统设计的灵活性和通用性,被广泛地应用在通信、航空航天和汽车电子等诸多领域。本文分析FPGA结构原理的同时,对FPGA在航天及空间电子系统中的应用进行了总结。指出了航天应用对FPGA的可靠性要求,对相关可靠性设计技术进行了总结,并对航天应用FPGA及其可靠性设计技术的发展进行了展望。     

移动互联网技术的发展现状及未来发展趋势

近几年来,伴随IT行业的迅猛发展,移动互联网技术也得到了快速的发展,不仅当前应用十分广泛,而且呈现出良好的发展态势.在此形势下,对移动互联网技术的发展现状及未来发展趋势进行分析,既有利于推动移动互联网技术的进一步发展,又能够有效促进移动互联网技术水平的提升.因此,本文从移动互联网技术的基本定义与主要特征、发展现状和未来发展趋势进行了深入的探讨.     

空间互联网技术发展的研究

随着网络信息技术的不断发展,空间互联网技术应运而生,这项技术在全球网络互通方面发挥着重要作用,同时,为航空事业、远航事业提供了可靠的技术支持。现如今,空间互联网技术发展现状不容乐观,为拓展这一技术发展空间,制定相应的处理对策,从整体上提高空间互联网技术利用率。     

论移动互联网技术的发展趋势和安全防御

随着移动互联网技术的不断发展和应用,对移动互联网技术的发展趋势和安全防御措施的重视程度也在不断提高,根据移动互联网技术的发展特点,不断完善与移动互联网相关的法律法规,加大移动互联网安全产品的开发和研究力度,对移动互联网技术的发展趋势进行科学把握,从而促进移动互联网技术的不断发展和升级。     

空间互联网协议技术及应用

认为空间互联网作为地面互联网向临近空间、地球轨道空间甚至深空空间的拓展,在通信中继、对地观测和导航定位等多领域发挥了重要作用。介绍了典型空间互联网的体系结构,针对链路差异、拓扑动态和网络异构的特点,提出了空间互联网中协议体系、路由技术、网络安全和网络仿真等关键技术。     

静电感应晶体管的空间电荷效应

研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I-V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好.在漏压增长过程中,有两种势垒出现(沟道势垒和空间电荷势垒),它们分别对应于沟道势垒调制和空间电荷势垒调制模式.随漏压增加,SIT逐渐从沟道势垒调制模式转向空间电荷势垒调制模式,对此转变物理过程给出合理解释,直观地给出了SIT在空间电荷效应作用下的变化规律.由于SIT小电流区域的沟道势垒调制使SIT区别于其他器件,其中栅压对SIT空间电荷效应有非常重要的作用.     

Space Charges Effect of Static Induction Transistor

The space charge effect (SCE) of static induction transistor (SIT) that occurs in high current region is systematically studied.The I-V equations are deduced and well agree with experimental results.Two kinds of barriers are presented in SIT,corresponding to channel voltage barrier control (CVBC) mechanism and space charge limited control (SCLC) mechanism respectively.With the increase of drain voltage,the gradual transferring of operational mechanism from CVBC to SCLC is demonstrated.It points out that CVBC mechanism and its contest relationship with space charge barrier makes the SIT distinctly differentiated from JFET and triode devices,etc.The contest relationship of the two potential barriers also results in three different working regions,which are distinctly marked and analyzed.Furthermore,the extreme importance of grid voltage on SCE is illustrated.     

Ballistic and tunneling GaAs static induction transistors:nano-devices for THz electronics

GaAs static induction transistors (SIT) with 10-nm scale channel and with a 100-nm channel were fabricated with molecular layer epitaxy (MLE). Area-selective epitaxy of GaAs/AlGaAs/GaAs was used for the gate. Temperature dependence of current-voltage (I-V) characteristics of the 100-nm SIT indicates ballistic injection of electrons. In the 10-nm scale SIT, electrons are transported ballistically in the drain-side electric field. Direct tunneling is responsible for the transport through the potential barrier. It is indicated by the temperature dependence and by the electroluminescence spectrum. Electron transport in the 10-nm scale SIT is nearly scattering-free. The plausible estimation of the electron transit time is 2·10^-14 s; the worst case estimation based on saturated drift velocity gives 1·10^-13 s. It makes the ISITs suitable for THz applications. Multiple area-selective MLE GaAs regrowth was used as a tool for automatic definition of the channel length     

Punching through device and its integration—Static induction transistor

Static induction transistor (SIT) having a short-channel structure is characterized by small gate capacitance, high transconductance, and nonsaturation current-voltage characteristic. The major mechanism of current transport in SIT is majority-carrier injection due to barrier height control at the intrinsic gate in the channel. When the channel is completely pinched off due to the gate-to-channel built-in voltage in a junction-gate SIT (JSIT), there appears a normally-off SIT. In the forward gate bias operation of JSIT, which is called bipolar mode SIT (BSIT), the switching speed is far more improved from the conventional JSIT. BSIT exhibits saturation current-voltage characteristic. In BSIT, the drain voltage for the onset of current saturation is lower than that of the bipolar transistor and the current density is very high, leading to characteristics of low impedance, high transconductance, and high current gain. Applications of SIT in LSI are discussed especially concentrating on the BSIT. SIT logic circuit (SITL) containing BSIT exhibits short propagation delay time and low power dissipation and is very promising in the future development of VLSI.     

UHF频段高功率SiC SIT

采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管).该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO:和SizNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升.最终28 cm栅宽SiC ...     

一种移动定位支撑平台的设计和实现

为了适应移动定位应用对位置信息千差万别的要求，方便移动定位应用的开发，屏蔽各种具体定位系统的实现细节，我们设计并初步实现了面向对象的移动定位支撑平台MLSP。文章重点讨论了MLSP中的定位逻辑模型、定位信息模型及位置信息融合等问题。     

GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟

用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性,即类三极管特性。当VGS=0,VDS=35 V时,漏源电流为47 A/cm,跨导为300 mS/mm,电流截至频率为150 GHz。结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频工作的潜力。     

用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性

报告了用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SITs)交直流特性的结果.SIT的栅极长度为0.13μm,源极和漏极之间距离为0.5μm.模拟得到了SIT的输出特性,跨导和特征频率特性.模拟得到的跨导最大值为140ms/mm(Vgs=-1.5V),器件特征频率最大值为123GHz(I_ds=3.15A/cm).模拟结果表明纤锌矿相GaN SIT具有大功率和高频工作的潜力.     

背照明CCD微光成像技术

背照明ＣＣＤ（ＢＣＣＤ）以及电子轰击ＣＣＤ（ＥＢＣＣＤ）是当今微光实时摄像技术的最新进展之一,在中等微光条件下,ＢＣＣＤ的性能优于目前的ＩＣＣＤ和ＳＩＴ。文中对ＢＣＣＤ、ＥＢＣＣＤ以及ＩＣＣＤ的性能进行了比较,并讨论了在我国开展ＢＣＣＤ和ＥＢＣＣＤ技术研究和应用的有关问题。     

High speed and high density static induction transistor memory

Describes a high speed and high density dynamic RAM utilizing a static induction transistor (SIT) structure. The main conduction mechanism of an SIT is carrier injection control due to the potential hump at the intrinsic gate, where the potential hump is capacitively controlled by the gate and the drain voltage in a basic operation. The SIT forms a dynamic RAM memory cell if one of the drain and the source regions is set as a floating region directly connected to the storage capacitor. Basic operation of a single SIT memory cell is experimentally demonstrated in this paper.