双基雷达STAP杂波非静态特性消除技术

空时自适应处理(STAP)是机载和星载双基雷达中的关键技术.双基雷达运动目标检测性能高低取决于杂波消除方法的好坏,而双基雷达杂波非静态特性严重恶化了双基运动目标检测性能.为此,必须采取一定措施来减轻杂波非静态特性的影响.当前,已有3类杂波消除方法可用于抑制杂波非静态特性的影响.文中研究这些方法的改善因子性能及其兼容性.     

超结与浮结型肖特基势垒二极管的比较研究

对浮结型及超结型肖特基势垒二极管静态及动态特性进行了解析及模拟.静态特性通过解析击穿电压与导通电阻之间的关系得到.反向恢复特性通过二极管电容随反向电压变化关系解释,商用混合模拟器MEDICI模拟结果表明浮结结构具有软恢复特性,软度因子为0.949.超结结构恢复特性较硬,软度因子为0.7807.当考虑这两种耐压结构时,必...     

光盘用吲哚类菁染料薄膜光学性能的研究

研究了直链和链中插有环己烯基团的吲哚类菁染料薄膜的光谱特性并对其进行了静态测试.研究表明,这两种薄膜在可见及近红外波段具有较好的吸收和反射特性;静态测试结果表明其对比度均可达到40%以上,具备光盘记录介质的特性.还特别利用He-Ne激光连续照射的方法研究了这两种薄膜的光反射特性,发现其反射率随光照的进行逐渐增强,并渐趋平缓.     

非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型分析

本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法.它与传统的模型分析方法不同.不要求知道非晶硅隙态密度分布g(E)的具体形式,而只需假定g(E)是连续函数.据此可得到该器件的I-V特性方程.它是一个无穷级数,但就实际应用精度而言,它可用一个多项式近似表示,而且它的第一项是与单晶硅MOSFET的I—V特性方程(非饱和区)相似.这个方程特别适合于描写双极性非晶硅场效应晶体管的静态特性.     

3300 V p+深阱平面栅非穿通IGBT特性

高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效.对p+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p+深阱平面栅非穿通IGBT (NPT-IGBT).对NPT-IGBT的静态特性进行了仿真,结果表明,当p+结深约为5.5 μm,p+深阱距离多晶硅5μm时,p+深阱并未影响到沟道处p阱掺杂浓度,对IGBT静态特性无明显影响.制备了不同p+深阱注入剂量的IGBT芯片,并将芯片封装为模块,分别进行常温和高温下的静态和动态参数测试.测试结果表明,当p+深阱剂量低时,常温下模块关断失效;而p+深阱剂量增大时可通过常温、高温开关测试,并通过10μs短路测试.p+深阱注入剂量对静态特性无明显影响,对动态特性改善明显,可满足应用要求.     

一种低功耗高速电流放大器的设计

介绍了隧道二极管的特性,研究了隧道二极管并联放大器的静态特性,主要性能指标和偏置要求.并根据研究结果,完成了电路的设计,通过计算机仿真,收到满意的结果.     

雷达目标动静态RCS特性差异分析

工程上常用静态RCS数据作为建立起伏目标回波信号模型的样本,其准确性和合理性亟待验证。文中基于空气动力原理提出了一种动态RCS特性的仿真方法,获取了F-117A型隐身攻击机侧站盘旋一周的动态数据。从统计特征参数、相关特性和起伏模型等方面对比了动静态RCS特性。着重分析了动静态RCS特性在起伏目标检测性能评估上的差异。结果表明静态RCS特性难以反映目标运动时真实的雷达特性,利用静态数据描述目标特性可能导致错误结论。      

发光二极管的调制特性和退化—陷阱对动态特性的影响

发光二极管是实用化的光纤通信光源,它的静态特性,我们已在上次(本杂志第四期)作了论述,故这次想接着阐述一下动态特性。《发光二极管的动态特性》发光二极管的静态特性是指发光二极管工作在稳定状态的特性;     

PVDF压电系数d31受温度影响的试验测定

为获得PVDF薄膜压电系数d31在不同温度时的值,采用了准静态拉伸的直接测量技术.简要介绍了准静态拉伸的测量方法及其试验装置,给出了试验结果.通过试验,精确地测定了PVDF在温度范围为-20～+70℃内压电系数d31的值,同时试验也表明,准静态拉伸测量薄膜压电特性的试验方法简单可靠,测量结果合理.     

用图示仪测量集成运算放大器

测量运算放大器的特性,一般的方法是只能测取静态某一工作点的特性参考,这不可能反映出动态情况,因此不易将一些有缺陷的运放被剔除掉.为此就产生了运放的特性曲线图示测量法.图示测量法显示直观,可以了解器件在整个工作范围的性能.     

基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法

提出了一种基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法.将表征静态特性的核心单元模型优化为分段模型,以使其能同时准确表征高、低栅压下器件的静态特性.同时,在模型分段处进行线性插值以保证模型函数的连续性,基于器件漏源支路元器件参数对拟合数据进行修正以提高模型表征参数的提取准确度.此外,为提高器件的动态模型准确度,增加了栅漏结电容模型函数的分段点,并给出了分段点选择方法.将优化前后栅漏结电容模型函数和静态仿真结果与测试获得的电容曲线、转移曲线和输出曲线进行对比,曲线匹配度较高,表明提出的优化方法显著提高了动态和静态模型的准确性.最后,搭建了SiC MOSFET开关特性测试平台,通过动态开关实验验证了模型优化方法的准确性.     

TFT-LCD非对称Gamma调试机理和方法研究

影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性.主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的.这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态.本文主要探讨了一种较佳的面影像残留改善方案.     

电气测量技术及仪器

TM93,TN30 97031272IGBT静态特性测试仪的研究/彭端,彭珊丽(广东工业大学)11电力电子技术,一1 997,引(1).-se83一84 研制一种采用通用示波器测量IGBT静态特性的仪器;介绍由Intel 8031硬软件技术构成的阶梯波信号源,并给出了进口ZMBI75L一120模块的测量结果.图3参到金)TM930 970     

基于虚拟仪器的压力传感器仿真系统

以传感器特性的测试为背景,分析目前传感器课程教学实验环节中存在着设备缺乏、资金投入太多等问题,进行了虚拟压力传感器标定实验的研究。讲述了虚拟仪器的软件开发平台Labwindows/CVI和传感器的静态特性等基础知识,介绍了基于Labwindows/CVI虚拟压力传感器静态标定仪的设计与开发。通过测量和绘制线性度、迟滞、重复性曲线,来实现压力传感器静态参数的标定.接着详细地描述了用Labwindows/CVI语言实现激波管虚拟测试平台的过程,最后给出激波管虚拟实验平台对压力传感器动态特性的测试结果,实现传感器的动态标定。     

基于光纤陀螺的车载稳定平台控制方式研究

从光纤陀螺的固有特性入手, 结合车载系统对稳定平台的需求,对基于光纤陀螺的稳定平台控制系统进行了分析研究.针对稳定平台不同的工作方式,分析设计了3种不同的控制措施:静态快速定位、动态稳定保持、手动单杆控制.并对静态快速定位工作方式下的数字控制器进行了设计及仿真.     

基于拉氏方程的舰船静态电场深度换算

 从舰船静态电场的物理特性出发,对其在深海环境下的深度换算方法进行研究,提出基于拉氏方程的静态电场深度换算方法.利用该方法可实现静态电场的某分量向较大深度处自换算;由场垂直分量向较大深度的其他分量互换算以及由水下标量电位向较大深度的电场各分量的换算.以单个水平电偶极子的场为计算原型,以互换算为例对换算方法进行了仿真验证,通过对换算误差的分析,表明该换算方法是可行的.换算方法对实际舰船的静态电场的分布研究具有现实意义.     

一种基于小波多分辩率数据组合的文字水印方案

本文利用人眼视觉掩蔽特性,通过组合静态图像和文字水印对应方向上的小波细节子图数据,提出了一种基于小波多分辩率数据组合的在静态图像上嵌入文字水印的方案.借助于原始图像,能方便、可靠地检测出嵌入的文字水印.同时,对水印图像进行退化处理模拟实验表明,嵌入的文字水印具有很好的稳健性.     

移动计算环境下恶意软件静态检测系统设计

移动终端在互联网中下载到恶意软件的几率非常高,这对用户信息私密性造成了严重的威胁,但科研组织曾研究出的恶意软件检测系统往往误报率过高、实用性不强。为此,设计移动计算环境下恶意软件静态检测系统,其由特性提取与预处理模块和移动计算终端组成。特性提取与预处理模块根据静态检测特性数据库中的恶意软件标志特性,对用户移动终端软件的安装包特性、资源特性和编译特性进行提取,并使用静态检测函数对提取出的特性进行预处理,给出恶意与非恶意软件的特性分类结果。系统通过移动计算终端对特性分类结果中的恶意软件特性进行位置检测,隔离出用户移动终端中的恶意软件,防止恶意软件继续入侵。经实验分析可知,所设计的系统误报率较低、实用性较强。     

晶体管电路讲座(二)

二、半导体三极管低频小信号网络特性半导体三极管在电路中使用时可以有三种不同的联接方式即:共基极、共发射极及共收集极.见图14.无论那种电路联接,在正常工作时都必须使发射结处于正向偏压,收集结处于反向偏压.由于电路的联接形式不同,它们的静态特性也略有不同,见图15.从三种联接形式的电路工作情况,不难了解它们的特性.     

数控切绘机中步进电机的控制方法

在数控切绘机系统中,对步进电机的控制直接影响到加工质量.根据数控切绘机中步进电机的运动特性提出步进电机起停控制的改善方法,通过引入自调整比例因子模糊控制方法,改善了步进电机的动、静态特性,从而提高了系统的鲁棒性和控制精度.