Ba-Nd-Ti系微波介质陶瓷Q值的提高和方法机理

利用系介质陶瓷材料研制的微波元器件,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中,在理论分析和工艺试验的基础上,通过对介质陶瓷材料组分和控制温度工艺研究,优化BaO-Nd2O3-TiO2组分材料,改进煅烧温度等工艺方法,研制出性能稳定性介质陶瓷材料。为研制用于高频、超高频电子设备中性能稳定微波元器件找到了有效的途径。     

高Q值、高稳定微波介质陶瓷材料制作方法的研究

为了研制一种高Qf值、高稳定性的微波介质陶瓷材料,在理论分析的基础上,通过对XCaO YLa2O3 ZAl2O3WTiO2材料组分重组,结合改进工艺实验方法,使介质陶瓷材料的Qf值、稳定性得到明显改善,从而确定了生产适合高频大功率微波器件用介质陶瓷材料新工艺方法。     

成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响

分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响。研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料。和流延工艺相比,轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大,电容量温度变化率较小。     

高Q微波介质陶瓷材料D3的研制

本文介绍了高Q微波介质陶瓷材料D3的研制成果。较详细地叙述了该样品制备过程中各种工艺的选择及控制方法。并列出用这种工艺制备的微波介质陶瓷材料D3的微波性能和测试方法。通过本文列举的利用D3材料制成的10．5GHz介质谐振器滤波器和8．3GHz介质谐振器振荡器的性能指标，说明该在X波、K波段制作介质谐振器振荡器、介质谐振器滤波等方面将被广播地采用。     

高Q微波介质陶瓷材料D_3的研制

本文介绍了高Q微波介质陶瓷材料D_3的研制结果。较详细地叙述了该材料样品制备过程中各种工艺的选择及控制方法。并列出用这种工艺制备的微波介质陶瓷材料D_3的微波性能和测试方法。通过本文列举的利用D_3材料制成的10.5GHz介质谐振器滤波器和8.2GHz介质谐振器振荡器的性能指标,说明该材料在X波段、K波段制作介质谐振器振荡器、介质谐振器滤波器等方面将被广泛地采用。     

(Ca,Sr)(Zr,Ti)O_3系抗还原高频介质瓷料的研究

采用固相合成法制备了(Ca,Sr)(Zr,Ti)O3(简称CSZT)系电容器陶瓷材料,研究了主晶相组分对所制材料介电性能的影响。结果表明:通过调整主晶相CSZT中各组分的配比,再加入适量的烧结助剂,能得到一种可在还原气氛中烧结的高频介质瓷料,该瓷料可与镍内电极共烧,其相对介电常数约为89,介质损耗(tanδ)小于5×10–4,绝缘电阻达到1012Ω,介电常数温度系数为–1 037×10–6/℃。     

R—600瓷料的试制

以BaTiO_3为基的BaTiO_3-La_2O_3·2TiO_2-SrTiO_3系统的R—600瓷料,性能稳定,介电常数ε≥750,介电常数温度系数α_c为-(4700±800)×10~(-6),介质损耗为(3～5.5)×10~(-4),抗电强度≥8KV/mm,比体积电阻为10~(12)Ω·cm以上,是生产小体积、高电压电容器的较为理想的陶瓷材料。 本文较详细地叙述了该陶瓷材料的配方试验、工艺探索及试验结果。     

B_b微波介质陶瓷材料的研制

通过对Ba(Zn_(1/3)Nb)_(2/3)O_3-Ba(Zn(1/3)Ta_(2/3))O_3系统微波介质陶瓷材料的配方研究和工艺条件实验,研制出的B_b微波介质陶瓷,具有适中的介电常数,较高的无载Q值和接近0ppm/℃的谐振频率温度系数,是一种性能优良的新型微波介质陶瓷材料。     

低损耗高介电常数CCTO陶瓷的制备与性能研究

为了降低CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料的介质损耗,采用传统固相反应法制备了组分为CaCu3–yZry/2Ti4O12(CCZTO)的陶瓷样品。研究了ZrO2掺杂对CCTO陶瓷性能的影响。结果表明:所制CCZTO陶瓷样品在维持了CCTO陶瓷材料介电常数大、低频介电常数随频率和温度变化小的优点的同时,介质损耗大幅降低;其介电常数和介质损耗的指标满足美国电子工业协会EIAZ5U标准,而温度系数αc性能指标优于EIAX7A标准所规定的±55×10–6/℃,是一种综合性能技术指标优良的新型高介电常数陶瓷材料。     

电子陶瓷材料发展现状、展望与思考

综述了电子陶瓷的现状及发展趋势。重点介绍了基板材料、电阻基体材料、电容器陶瓷介质材料、压电陶瓷材料、微波陶瓷介质材料、热敏陶瓷材料,并对未来发展进行了展望与思考。