| Ba-Nd-Ti系微波介质陶瓷Q值的提高和方法机理 |
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| 引用本文： | 李文兴.Ba-Nd-Ti系微波介质陶瓷Q值的提高和方法机理[J].电子设计工程,2013,21(10):182-183,187. |
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| 作者姓名： | 李文兴 |
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| 作者单位： | 陕西华星电子开发有限公司 陕西咸阳712099 |
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| 摘 要： | 利用系介质陶瓷材料研制的微波元器件,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中,在理论分析和工艺试验的基础上,通过对介质陶瓷材料组分和控制温度工艺研究,优化BaO-Nd2O3-TiO2组分材料,改进煅烧温度等工艺方法,研制出性能稳定性介质陶瓷材料。为研制用于高频、超高频电子设备中性能稳定微波元器件找到了有效的途径。
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| 关 键 词： | 介质陶瓷材料 Q值 热处理温度 氧空位浓度 |
Methods mechanism of Ba-Nd-Ti microwave dielectric ceramic Q value improved |
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| LI Wen-xing.Methods mechanism of Ba-Nd-Ti microwave dielectric ceramic Q value improved[J].Electronic Design Engineering,2013,21(10):182-183,187. |
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| Authors: | LI Wen-xing |
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| Affiliation: | LI Wen-xing(Shaanxi Huaxing Electronic Development Co.,Xianyang 712099,China) |
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| Abstract: | |
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