第三代半导体碳化硅项目落户中关村海淀园

经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户中关村海淀园。该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园,目前已签订租赁协议。该项目致力于开拓第三代半导体碳化硅的全球市场,建设碳化硅半导体     

SiC半导体材料和工艺的发展状况

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围.阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势.     

碳化硅器件发展概述

概要介绍了第三代半导体材料碳化硅(SiC)在高温、高频、大功率器件应用方面的优势,结合国际上SiC肖特基势垒二极管,PiN二极管和结势垒肖特基二极管的发展历史,介绍了SiC功率二极管的最新进展,同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及发展方向做了概述及展望。     

碳化硅单晶生长方面取得重大进展

近日 ,中科院物理所陈小龙研究员领导的科研小组在碳化硅 (SiC)晶体生长方面取得了重大进展。他们在自行研制的高温生长炉上 ,解决了物理气相传输法中生长SiC晶体的一些关键物理化学问题 ,成功地生长出了直径为 2英寸的SiC晶体 ,其X -射线衍射摇摆曲线达到 2弧分 ,微管密度已少于 10 0个 /cm2 (10× 10mm2 样品 ) ,这些表征SiC晶体质量的重要参数指标超过了目前Cree公司的部分商品的指标 ,为SiC单晶的国产化奠定了基础。以碳化硅 (SiC)及GaN为代表的宽禁带材料 ,是继Si和GaAs之后的第三代半导体。与Si相比 ,SiC具有宽禁带 (Si的 2…     

飞兆半导体引入碳化硅技术扩展产品创新

<正>为了满足半导体应用提高效率和性能的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布收购碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率晶体管企业TranSiC公司,扩展其领先的技术能力。     

SiC 器件在雷达电源中的应用

现代雷达的发展迫切需要电源提升功率密度和效率。基于第三代半导体碳化硅(SiC)材料的功率器件在耐压等级、高频工作、高温性能等方面有较大优势。文中详细阐述了SiC 器件的特性和各类型SiC 功率器件的发展现状,分析了SiC功率器件在雷达电源中的应用方向,并基于SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设计了阵面电源样机,完成了高开关频率性能测试。实验结果表明:SiC MOSFET 的高频工作能降低系统损耗,并提升电源功率密度。     

意法半导体推出新型微控制器 实现软件定义电动汽车

据外媒报道,全球半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics)推出针对电动汽车和集中式(域和区域)电子架构优化的新型汽车微控制器(MCU),可降低电动汽车成本、提高续航里程,并提高充电速度。在当前的电动汽车中,基于SiC(碳化硅)的高效功率模块可实现最大的续航里程和更快的充电速度。电动汽车需要专用的高速信号处理器来控制先进的SiC功率半导体。意法半导体的Stellar E MCU专为下一代软件定义电动汽车设计,在芯片上集成了高速控制回路处理。     

宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.     

宽禁带半导体材料技术

宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境。在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展。     

瑞萨电子计划上市SiC功率半导体

全球首屈一指的半导体解决方案厂商瑞萨电子(Renesas Electronics)计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。从2011年3月底开始样品供货耐压为600 V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)RJS6005TDPP。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产,2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年     

环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响

开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究。采用⁶⁰Coγ射线对三款国内外生产的SiC MOSFET器件进行总剂量辐照试验,获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在25 ℃,100 ℃,175 ℃下的辐射损伤特性,比较器件在不同温度下辐照后器件的退化程度。仿真实验结果表明,不同器件的阈值电压、静态漏电流以及亚阈特性等辐射损伤变化都表现出对环境温度的敏感性,而导通电阻、击穿电压等则相对不敏感。此外SiC MOSFET总剂量辐射响应特性对环境温度的敏感性,还随生产厂家的不同而呈现明显差异性。分析认为,在其他条件相同情况下,器件的阈值电压、静态漏电等参数的退化程度随着辐照温度的升高而降低,主要是由于高温辐照时器件发生隧穿退火效应引起。     

拥抱新模拟时代

21世纪信息化时代的今天,人们进入“数字时代”。大家都熟知计算机内部核心以0与1格式的运算速度,并且随着半导体制程的提升,目前已经可以达到每秒千兆位以上;对于CPU、DRAM、J/O等种种数字芯片也耳熟能详。 相比之下,相对于数字的模拟(Analog)技术,甚至会有‘模拟技术     

碳化硅单晶生长及其应用

碳化硅(SiC)可以说是半导体中最老的化合物半导体,长期以来被用作避雷器及可变电阻材料。由于它的禁带宽度大以及通过掺杂可容易进行 p 型和 n 型两种导电型的控制,将其用作可见发光(尤其是蓝色等短波长发光)元件材料具有很高的吸引力。另外,SiC 具有很好的热、化学性能和很高的抗放射性能力,故很早就被人们期望用作能在苛刻环境下使用的电子元件材料。结晶的 SiC,以 Si 和 C 原子间距0.189nm的 SP~3混成轨迹的共价键为主,但由于电负度的差异,其离子性约占12%,且由于原子最密充填时产生的重迭差,存在各种结晶形     

瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月开始量产二极管

瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600 V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)RJS6005TDPP将从2011年3月底开始样品供货。除了空调等白色家电外,预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)     

宽禁带半导体技术

概述 根据半导体材料禁带宽度的不同,可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料.若禁带宽度Eg＜2ev(电子伏特),则称为窄禁带半导体,如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaA s)以及磷化铟(InP);若禁带宽度Eg＞2.0～6.0ev,则称为宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、4H碳化硅(4H-SiC)、6H碳化硅(6H-SiC)、氮化铝(AIN)以及氮化镓铝(ALGaN)等.     

宽禁带半导体技术

概述根据半导体材料禁带宽度的不同,可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料。若禁带宽度Eg<2ev(电子伏特),则称为窄禁带半导体,如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(G a A s)以及磷化铟(I n P);若禁带宽度E g>2.0￣6.0ev,则称为宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、4H碳化硅(4H-SiC)、6H碳化硅(6H-SiC)、氮化铝(AlN)以及氮化镓铝(ALGaN)等。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成…     

飞兆半导体收购碳化硅功率晶体管公司TranSiC

为了满足半导体应用提高效率和性能的需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild）宣布收购碳化硅（Silicon Carbide；SiC）功率晶体管企业TranSiC公司，     

意法半导体发布2-40 A 1200 V SiC JBS二极管

<正>意法半导体(以下简称ST)近期发布了一款2-40 A1200 V的SiC JBS二极管,具有高转换率、高回收率、恒温特性,广泛用于碳化硅技术领域。ST表示,SiC二极管工艺线生产的器件具有最佳的正向电压(VF最低),设计人员可通过使用低额定电流和低成本的二极管实现高有效性和可靠性的电路设计。因此,SiC     

意法半导体(ST)650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置,可提高安全性、能效并节省空间

正意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650 V且共阴极或串联配置的整流二极管,可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。磁化硅产品的能效和耐用性高于传统的二极管,意法半导体在碳化硅功率半导体技术创新方面居世界领先水平,STPSC6/     

瑞萨电子推出碳化硅复合功率器件

正全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管,组成