暗电流低和电容小的快速GaInAsP P-p-I-N光电二极管

用与InP匹配的GaInAsP(λ_g(?)1.33μm)制作了一种所谓P-p-I-N结构的新型光电二极管。在-20V偏压下,在InP中2μm厚的I区完全耗尽。在这个偏压下,对面积为0.8×10~(-4)cm~2的二极管,电容小于0.5pF,暗电流小于10pA,内量子效率接近100％和响应时间小于200ps。对面积为1.5×10~(-4)cm~2的二极管,在-20V下测得暗电流为3.5pA。相应的电流密度(J_D<2.5×10~(-8)A/cm~2)是目前报导的用GaInAsP合金所作器件的最小值。     

InGaAsP/InP异质结双极晶体管的研究

用液相外延方法研制了InGaAsP/InP异质结双极晶体管(HBT),并研究了其直流特性。该HBT的发射区和集电区材料为InP(禁带宽度为1.35eV),基区材料为InGaAsP(禁带宽度0.95eV)。器件采用台面结构,发射结、集电结面积分别为5.0×10~(-5)cm~2、3.46×10~(-5)cm~2。基区宽度约为0.2μm,基区掺杂浓度为(2～3)×10~(17)/cm~3。在I_c=3～5mA,V_(ce)=5～10V时。共射极电流放大倍数达到30～760。符号表 q 电子电荷ε介电常数 k 玻耳兹曼常数 T 绝对温度β共射极电流放大倍数γ发射极注入效率 A_e 发射结面积 I_(ne) 发射极电子电流 I_(pe) 发射极空穴电流 I_(rb) 基区体内复合电流 I_(gre) 发射结空间电荷区产生-复合电流 I_(sb) 基区表面复合电流 I_(nc) 被集电极收集的电子电流 m_(pb)~* 基区中空穴有效质量 m_(?)~* 发射区电子有效质量 N_(Ab) 基区中受主掺杂浓度 N_(D(?)) 发射区施主掺杂浓度 N_(D(?)) 集电区施主掺杂浓度 W_b 基区宽度 L_(ab) 基区中电子扩散长度μ_(ab) 基区中电子迁移率τ_(ab) 基区中电子寿命 V_(no) 从发射区注入到基区电子的平均速度 V_(p(?)) 从基区注入到发射区空穴的平均速度△E_g 发射区与基区的禁带宽度差△E_c 异质结交界面导带不连续量△E_v 异质结交界面价带不连续量。且有:△E_c+△E_v=△E_g A_(?) 基区表面有效复合面积     

光学浸没型双色HgCdTe光导探测器

本文利用光学浸没原理以及叠层双色探测器工作原理,研制出浸没型3μm～5μm,8μm～12μm双色HgCdTe光导探测器.3μm～5μm探测器峰值探测率可达10~(11)cmHz~(1/2)/W;8μm～14μm探测器峰值探测率达7.0×10~(10)cmHz~(1/2)W.峰值响应率可达10~3V/W.     

双色红外探测器研究

为适应遥感、遥测及精确制导技术的发展,我们已研制出一定性能的CdS/HgCdTe(0.3～0.5μm/3～5μm)、Si/InSb(0.3～1.05μm/3～5μm)、Si/HgCdTe(0.3～1.05μm/3～5μm)、HgCdTe/LiTaO_3(3～5μm/8～14μm)、HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)等多种双色红外探测器。其中HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)光导双色探测器的峰值探测率D~*(5.1,980,1)=2.1×10~(10)cmHz~(1/2)/W,D~*(9.8,980,1)=8.1×10~9cmHz~(1/2)/W, 峰值响应率R(5.1,980,1)=1.3×10~4V/W,R(9.8,980,1)=373V/W。文中介绍了双色探测器的设计、结构、制备及器件的性能水平。     

超高频双差分对管DQ401

1.DQ401主要参数指标I_(CEO)≤0.1μA(V_(CE)=10V);BV_(CEO)≥20V(I_(CE)=1mA);BV_(CBO)≥25V(I_(CB)=10μA);BV_(EBO)≥5V(I_(EB)=10μA);β≥40(V_(CE)=6V,I_C=10mA,f_O=200MHz);(β_1-β_2)/β_2≤5%,V_(BE1)-V_(BE2)≤2mV(V_(CE)=6V,I_C=10mA);f_T≥1000MHz(V_(CE)=6V,I_C=10mA、f_O=200MHz);I_(CM)≥20mA(单管最大工作电流);P_(CM)≥100mW(单管功耗).     

畅销产品透视

特点 ·计算: 真有效值 平均整流值 绝对值 ·提供: 200mV满度输入范围 高输入阻抗:10~(12)Ω 低输入偏置电流:最大25pA 高转换精度:±0.3mV±0.3％×输入电压 有效值转换峰值因数高达5 宽电源电压范围:+2.8V,-3.2～±16.5V 低功耗:最大电源电流200μA 缓冲电压输出     

简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应

当半导体的费密能级进入导带,本征光吸收边就会向短波方向移动,这就是Burstein-Moss效应。对Hg_(1-x)Cd_xTe半导体尚未见到有关研究报道。我们采用三个不同组份、高电子浓度的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品:x=0.165,N_D~*=4×10~(16)cm~(-3),d=10μm;x=0.17,N_D~*=5.85×10~(15)cm~(-3),d=9μm;以及x=0.194,N_D~*=2.2×10~(16)cm~(-3),d=24μm。采用PE983红外分光光度计在5～33μm波长范围和77～300K     

碲镉汞光导探测器与材料性能关系探讨

本文有针对性地考察了碲镉汞3～5μm12元光导探测器平均电阻R与材料电阻率ρ的关系。碲镉汞材料主要用快速淬火固态再结晶法生长,为与其比较,也少量使用了T_e熔剂和布里奇曼法料。退火的晶片厚度约1mm,77K霍尔数据表明,N型材料占被统计数(122片)的88%,材料参数多数为n=8×10~(14)～8×10~(15)cm~(-3)、μ=1×10~3～5×10~4cm~2/     

无损检测仪器讲座：第一讲 射线检测仪器

一、射线检测原理射线——我们指的是波长比紫外光还短的电磁波,X光及γ光。X光波段的波长范围为10~(-8)～10~(-13)m,γ波段的波长范围为2×10~(-9)～2×10~(-13)m。它们能穿透物体从而获得物体内部的信息。射线穿透物体时,一部分光子或光子能量被物体吸收,产生散射的光子或二次电子,使穿透过去的光子数量及能量发生变化。令入射线的强度为I_0,贯穿后的出射线强度为I,则得 I=I_0e~(μd) (1)式中d为物体的厚度,μ称为材料对射线的吸收系数。如果物体的组织不均匀,或者内部有孔洞或夹杂,则物体各部分的吸收系数并不相同,因此检测到的各     

用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料

本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下,逻辑摆幅为20mV)的结果。     

畅销产品透视

特点计算:真有效值平均整流值绝对值提供:200mV满度输入范围高输入阻抗:10~(12)Ω低输入偏置电流:最大25pA高转换精度:±0.3mV±0.3％×输入电压有效值转换峰值因数高达5宽电源电压范围:+2.8V,-3.2～±16.5V低功耗:最大电源电流200μA缓冲电压输出AD737不带缓冲电压输出,但可提供电源“待机”方式     

SiO_2绝缘衬底上多晶硅的Ar~+激光再结晶

绝缘衬底上以低压化学汽相淀积得到的多晶硅膜,经连续Ar~+激光再结晶后,电学性质显著改善,晶粒尺寸从原来的200～500埃增大到10μm左右。利用激光再结晶后的多晶硅膜制备了增强型N沟MOS FET。当L=12μm、W=250μm时,得到g_m=580μS,V_T=0.46V,μ_n=301cm~2/V·s,I_(DW)=4.2×10~(-12)A/μm。晶界势垒以及晶界缺陷态的散射作用是影响再结晶多晶硅膜电子表面迁移率的主要因素。激光处理过程中多晶硅熔化并再凝固,结果使晶粒长大并导致电学性质的改善。     

对角线10英寸高分辨率有源矩阵彩色LCD组件

业已研制成功高分辨率监视器用对角线10英寸640×3(H)×450(V)象素 a-Si TFT 寻址彩色 LCD。为了在大面积基板上制作精细图形,采用了步进光刻技术。TFT 制作中,使用了5μm 设计规范,因此尽管象素小至[110μm(H)×330μm(V)],仍然得到了高的开口比(53.6%)。TFT 沟道宽/长比是40μm/5μm。本组件驱动器 IC 芯片采用了高密度组装工艺。源汇线的外引出端焊盘经独特排布成为三路一列的接法。利用半柔性 PCB(印刷电路板)实现了源驱动 IC 的折弯装配。焊有驱动 IC 的 FPC(柔性印刷电路)叠成三层同 LC 板相接。该组件显示性能优良,显示图形象质好、分辨率高且在宽视角范围内具有高对比度。     

电流控制型稳压电路的一些估算

1.E_i 的选定从所需的输出电压μ_o,最大负载电流 Imax 和桥式整流电源内阻r_(zn),选定输入电压μ_i,从而可算出所需的输入交流电压值 E_i。内阻 r_(Zn)可由实验确定或估算。这种电路在满载下μ_i,min=μ_o+V_(bcl)+r_(Zn)I_(max),考虑到电网电压波动±10%,故选μ_i=10μ_i,min/9≈(μ_o+0.7+r_(Zn)I_(max))×10/9。故所需的交流输入有效值为 E_=u_i/2~(1/2)。在一般的12英寸晶体管黑白电视机中的稳压电源,μ_o=12伏,C_2=C_1≥2000微法,     

高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器

探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V/W,峰值探测率 D~*= 6.2 × 10~(10)cmHz~(1/2)/W.     

fMAX为425GHz转移衬底InP／InGaAa／InP双异质结双极晶体管

美国UniversityofCalifornia采用转移衬底技术已研制成fMAX为 4 2 5GHz ,fT 为 14 1GHz的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管 (DHBT) ,这是目前所报道DHBT最高的fMAX 器件的发射极接触面积为 0 5 μm× 8μm。在Jc =5× 10 4 A/cm2 下 ,击穿电压BVCEO为 8V ,且使电流增益 β为 4 3。MBE生长InP/InGaAs/InPDHBT的层结构如表所示。表　MBE生长InP/InGaAs/InPDHBT的层结构LayerMaterialDoping ThicknessEmittercap InGaAs 1× 10 19∶Si 30 0GradeInGaAs/InAlAs 1× 10 19∶Si 2 0 0N+ + emitterInp 1× 10 …     

温度系数系列化的低介电常数陶瓷材料

本实验通过在镁橄榄石熔块中,添加适量的ABO_3型改性剂,得到温度系数系列化的低介电常数高频电容器瓷料。其温度系数为(0～-750)×10~(-6)/℃,相对介电常数为8～18。tgδ20℃≤4×10~(-4,ρv≥1×10~(13)Ω·cm,E≥20V/μm。适合做小容量高频电容器。     

1.52微米InGaAsP/InP双有源区双沟道平面掩埋异质结动态单纵模激光器

研制了1.52μm InGaAsP/InP双有源区复合腔结构的动态单纵模激光器,采用了双沟道平面掩埋异质结构来达到横向电流限制,制成的激光器20℃下阈值电流25—50mA,最高激射温度为80℃,线性输出功率>10mW,单面微分量子效率>20％,用565M bits/s、2~7-1位伪随机码调制,偏置电流由I_(th)～3I_(th)均能保持稳定的单纵模输出,其中谱线半宽为0.7±0.01A,纵模抑制比可达25dB(300:1)以上.     

具有宽带响应的GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器

报道具有宽带响应的130元线列GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展.通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时测得器件探测率的光谱响应曲线的半峰宽为4.3μm.在λ_p=9.5μm时的峰值探测率为4.89×10~9cmHz~(1/2)/W,电压响应率为2.89×10~4V/W.     

世界固体电子新闻

<正> 休斯研究所报导了低噪声0.1μm栅长GaAs MESFET的实验结果。该器件是用MBE技术在半绝缘GaAs衬底上连续生长不掺杂AlGaAs p~-缓冲层和GaAs p~-缓冲层,6×10~(18)cm~(-8)有源层,5×10~(16)cm~(-3)势垒层以及6×10~(18)cm~(-3)接触层。其优点是:器件有效电长度缩短,寄生电容减小,栅极对沟道电荷控制增强,势垒高度提高,栅极漏电降低,而大带隙的AlGaAs层加强了对载流的制约。制得的FET性能为:最大跨导g_m=600mS/mm,输出电导g_o=30mS/mm,电压增益(g_m/g_o)=20,据称,是迄今GaAs MESFET和GaAs/AlGaAs MODFET(0.3μm栅)所报导的最好结果。电流增益截止频率f_T超过65GHz,最高80GH;