LD泵铺Nd：YVO4／Cr：YAG被动调Q绿光激光器

报道了一种LD近贴泵浦、KTP晶体腔内倍频的Nd:YVO4/Cr:YAG结构高重复频率被动调Q绿光激光器。在注入泵浦功率为750mW时,得到平均功率86mW、脉冲宽度26.6ns、重复频率79.2kHz、峰值功率41.1W的被动调Q脉冲绿光输出。     

LD泵浦Nd∶YVO_4/Cr∶YAG被动调Q绿光激光器

报道了一种 LD近贴泵浦、KTP晶体腔内倍频的 Nd∶ YVO4/Cr∶ YAG结构高重复频率被动调 Q绿光激光器。在注入泵浦功率为 75 0 m W时 ,得到平均功率 86m W、脉冲宽度2 6.6ns、重复频率 79.2 k Hz、峰值功率 41 .1 W的被动调 Q脉冲绿光输出     

全固态被动调Q单频绿光激光器的研究

报道了一种LD近贴泵浦、KTp晶体腔内倍频的NdYVO4/CrYAG/KTP结构高重复频率被动调Q绿光激光器.当腔内加入布氏片时,获得了单频运转.在注入泵浦功率为800mW时,得到平均功率43 mW、脉冲宽度26.4 ns、重复频率39.3 kHz、峰值功率41.4 W的被动调Q单频脉冲绿激光输出.     

被动调Q绿光激光器稳定输出方法的研究

对一台LD泵浦的Cr∶YAG被动调Q绿光激光器 ,采取Cr∶YAG晶片按布氏角放置的方法控制用以引发Q脉冲形成的“噪声” ,实现了绿激光脉冲的稳定输出。在泵浦功率 80 0mW时 ,获得平均功率 4 8mW、脉冲宽度 2 6 .7ns、重复频率 4 2 .1kHz、峰值功率 4 2 .7W的绿激光脉冲输出 ,4h工作脉冲能量、峰值和周期稳定性均优于± 0 .5 %。     

半导体泵浦全固态紫外激光器

报道了LD泵浦Nd:YAG,经过KTP和LBO晶体中的倍频、和频,产生355nm紫外激光的全固态调Q激光器.当泵浦功率为100W,脉冲频率5kHz时,产生的1064nm基频光功率为20W,绿光功率为5.62W,输出450mW的紫外激光脉冲,转换效率为8%.     

LD抽运被动调Q Nd:YAG/LBO绿光激光器

报道了一种LD抽运Nd:YAG,LBO腔内倍频,Cr:YAG被动调Q结构的绿光激光器.在注入抽运功率为600 mW时,得到平均功率27 mW,脉冲宽度15.2 ns,重复频率16.4 kHz,峰值功率108.1 W的被动调Q脉冲绿光输出.     

LD抽运被动调Q Nd∶YAG/LBO绿光激光器

报道了一种LD抽运Nd∶YAG ,LBO腔内倍频 ,Cr∶YAG被动调Q结构的绿光激光器。在注入抽运功率为6 0 0mW时 ,得到平均功率 2 7mW ,脉冲宽度 15 2ns,重复频率 16 4kHz ,峰值功率 10 8 1W的被动调Q脉冲绿光输出。     

低温GaAs被动调Q锁模Nd:GdYVO4激光器的实验研究

采用低温生长的GaAs晶体作为被动饱和吸收体兼输出镜,实现了Nd:GdYVO4激光器调Q锁模运转.研究了Nd:GdYVO4激光器的基频运转特性及调Q锁模输出特性.实验结果表明,当用平面镜作为输出镜及泵浦功率为10W时,获得激光的输出功率是3.5W,光-光转换效率是35%;当用GaAs作为输出镜时,激光器调Q运转阈值是1.2W,而当泵浦功率是10W时,输出功率是1.88W,锁模脉冲的重复频率为114MHz.激光调Q锁模深度在7W时达到100%.泵浦功率为8W时,输出功率为1.58W,调Q包络脉冲的重复频率为91kHz,半峰全宽为43.2ns.     

Cr4+:YAG被动调Q4倍频全固态紫外激光器的研究

设计了LD泵浦Cr4+:YAG被动调Q的全固态Nd:YAG脉冲红外激光器。腔外首先经过焦距为100mm的聚焦透镜,将 1064nm的红外激光耦合到长为9mm的KTP2倍频晶体中,得到平均功率为29mW的脉冲绿光。然后将532nm的脉冲绿光经过焦距为30mm的聚焦透镜,耦合到长为4mm的BBO4倍频晶体上,获得了峰值功率为7.3W,平均功率为1.1mW,重复频率为12.5kHz,脉冲宽度为 12ns的266nm紫外激光,其绿光 紫外光的转换效率为3.8%,红外光紫外光的转换效率为0.7%。     

产生特性的研究准连续波泵浦Yb:KYW/Cr4+:YAG调Q激光脉冲

从被动调Q速率方程出发，理论上研究了准连续波激光二极管（LD）泵浦Yb∶KYW/Cr4+∶YAG激光器时泵浦参数对脉冲输出特性的影响，通过数值计算解析了调Q脉冲延时、脉冲宽度、子脉冲序列等特性与泵浦速率的关系，从而获得最优化泵浦光占空比，有效减少连续波泵浦产生的热效应。进一步，在实验上采用高重频LD泵浦源，通过调控泵浦参数实现了被动调Q激光的重复频率、脉冲延时、脉冲串子脉冲个数等输出特征的准确锁定和控制。当采用泵浦功率为15.6 W、占空比分别为6.50%、8.00%和9.65%时，获得单脉冲、双脉冲和三脉冲的稳定输出，提高了泵浦脉冲和激光脉冲的耦合共振，实验结果与理论计算吻合较好。     

新型准光学瓦级固态功率合成器

本文介绍一种新型短焦距开放腔固态功率合成器的实验结构和实验结果。由4只标称功率为155mW,160mW,160mW和165mW的Gunn二极管,采用串联型接法进行的合成实验,在X波段获得了开机输出功率大于1W,稳定输出功率为850mW。     

全固态Cr:LiSAF/LBO腔内倍频蓝光激光器

本文报道了利用最大输出功率为650mW的全固态Nd:YVO4/LB0671nm红光激光器作为泵浦源,纵向泵浦Cr:LiSAF,利用LBO腔内倍频,获得430nm的连续蓝光输出的实验研究,并解释了当泵浦功率继续增大时,输出功率下降的原因。在泵浦功率为560mW时,获得了最大输出功率为9mW的430nm蓝光输出,激光的阈值为230mW。     

0.2THz宽带非平衡式倍频电路研究

基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75 m石英电路上。在小功率和大功率注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功率在10~15 mW时,通过加载正向偏置电压,在210~224 GHz,倍频效率大于3%,在212 GHz处有最高点倍频效率为7.8%。输入功率在48~88 mW时,在自偏压条件下,210~224 GHz带内倍频效率大于3.6%,在214 GHz处测得最大倍频效率为5.7%。固定输出频率为212 GHz,在132 mW功率注入时,自偏压输出功率最大为5.7 mW,加载反向偏置电压为-0.8 V时,输出功率为7.5 mW。     

High-Output, Single- and Dual-Diode, Millimeter-Wave Frequency Doublers

A balanced, dual-diode varactor frequency doubler for 85-116 GHz is described and its performance compared to that of a single-diode device. The balanced doubler can provide a minimum of 18 mW between 85 and 116 GHz for 190-mW maximum safe input power, while the single-diode doubler using the same diode-type exhibits a minimum output power of 10 mW over the same frequency range for a maximum safe input power of 90 mW. An improved single-diode design using a higher break-down voltage diode has achieved a minimum output power of 18 mW between 97 and 116 GHz for a maximum safe input power of 150 mW. These devices have been used in cascade with a frequency tripler to implement a 6X multiplier chain to 310-350 GHz with a minimum output power in this submillimeter band of 0.6 mW.     

A frequency doubler for 200 GHz with a planar Schottky varactor

A frequency doubler for 200 GHz utilising a planar surface channel Schottky varactor was designed, constructed and tested. The doubler employes novel split-waveguide mount design with two sliding backshorts at both input and output waveguides. The theoretical maximum efficiency of the doubler is 44.0 % with input power level of 32 mW and the maximum output power is 16.5 mW with input power level of 50 mW. The measured maximum efficiency of the doubler was 7.1 % and the maximum output power was 2.6 mW     

0.2 THz二倍频器研究

基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器。肖特基二极管倒装焊接在50m石英电路上。采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率。当入射功率在100 mW时,输出频率在190~225 GHz带内效率大于5%。在小功率（Pin100 mW）和大功率（Pin300 mW）注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。在100 mW驱动功率下采用自偏压测试,最大输出功率为14.5 mW@193 GHz,对应倍频效率为14%;在300 mW驱动功率下采用自偏压测试,在188~195 GHz,输出功率大于10 mW,最大输出功率为35 mW@192.8 GHz,对应倍频效率为11%。     

半导体激光照射对红细胞流变学性质的影响

目的:研究低强度激光对红细胞流变学特性的影响。方法:分别用3mW、4mW、5mW、6mW、10mW的半导体激光照射患者离体血液,直接测量切变率为100 S-1、300 S-1、600 S-1、1000 S-1时红细胞的变形指数Dii、最大变形指数MAXDI和变形指数曲线面积SSS。结果:用650nm激光照射20min后,红细胞变形能力有明显改善,此变形能力的改善随照射功率增大而增强,至4mW后趋于饱和。结论:低强度激光照射能显著提高红细胞的变形能力,功率为4mW效果最佳。     

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7%     

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管,器件直流电流增益大于20,电流增益截止频率fT大于30GHz,最高振荡频率fmax大于50GHz,连续波功率测量表明：在1dB增益压缩时,单指HBT可以提供100mW输出功率,对应的功率密度为6.67W/mm,功率饱和时最大输出功率112mW,对应功率密度为7.48W/mm,功率附加效率为67%．     

基于角度调谐F-P干涉仪的C波段可调谐激光器的研究

研究了基于法布里一珀罗(F-P)干涉原理的角度调谐的滤波器特性,使用自制的滤波器进行可调谐掺Er^3 光纤激光器实验。当980nm泵浦功率为30mW时获得了稳定的单纵模激光输出,输出功率约。0.65mW,线宽低于0.1m,在35．76nm波长调谐范围内功率变化不超过1dB,边模抑制比(SMSR)大于35dB;泵浦功率为46mW时获得了最大的输出功率,约为1mW。