石英晶体谐振器生产工艺流程综述

本文主要介绍石英晶体谐振器生产线生产工艺，并对Ｕｍ－５微小型石英晶体谐振器的应用情况作了简要说明。     

HF和VHF微小型石英晶体谐振器

本文简要介绍石英晶体谐振器小型化的发展概况，较详细地介绍了JA7系列石英晶体谐振器的设计、制造工艺及试验样品的性能，对该产品的初步应用情况也作了简单说明。该产吕的频率覆盖范围是8－350MHz，其频率制造公差在210ppm以内，温度频差在－55－＋90℃的宽温度范围内为±50ppm，当工作范围分别为0－60℃，－20－＋60℃时，可以达到±5ppm，210ppm内的小公差。微小型石英谐振器体积小，仅为8×8×3．2mm^3和8×6．5×3．2mm^3，重量小于0．4g，且质量稳定可靠，它们是移动通信等电子设备中良好的电子元器件。     

精品展台

半导体与ＩＣ高精度、微功耗基准源　　　Ｍａｘｉｍ精密基准源世片ＭＡＸ６１９０－ＭＡＸ６１９８系列产品,可分别提供１．２５０Ｖ、２．０４８Ｖ、２．５００Ｖ、４．５００Ｖ、５．０００Ｖ及４．０９６Ｖ基准电压．每种型号对应有三种不同的温度系数（５ｐｐｍ／℃,１０ｐｐｍ／℃．２５ｐｐｍ／℃）,初始精度分别为：±２ｍＶ、±５ｍＶ、±１０ｍＶ。ＭＡＸ６１９０系列串行模式、带隙基准源,最大静态电流为３５μＡ;输入电压变化时,能够保证精确的基准输出,是电池供电系统的理想选择．内部特有的曲率校准电路和精密的激光微…     

JA61微型石英谐振器的研制与生产

我们对ＪＡ６１微型石英谐振器进行了研制与生产，频率范围：３０－８７ＭＨＺ，采用ＡＴ切三次泛音振动模式；外形尺寸：７．７×７．７×３．０（ｍｍ）和７．７×６．６×３．０（ｍｍ）；壳型：ＵＭ－１型和ＵＭ－５型。本文给出了该产品的设计依据和电参数测试结果。     

AT切三次泛音HC—49／S石英谐振器

ＨＣ－４９／Ｓ长条片石英谐振器的设计制造难度大，本文对２７０００ｋＨｚ－６００００ｋＨｚＡＴ切三次泛音石英谐振器研制进行总结，并给出了性能测试结果。厚度切变振动石英谐振器常用切型分为ＡＴ切和ＢＴ切两种，其中ＡＴ切型晶体具有频率稳定性高，在宽温范围内频率特性好等优点而被大量使用。过去石英晶体厂家大量生产的是ＨＣ－４９／Ｕ晶体，随着市场需求的变化，已逐步向生产ＨＣ－４９／Ｓ石英晶体过渡。三次泛音的ＨＣ     

声表面波VCO的研制

介绍了１５５．５２ＭＨｚ、６２２．０８ＭＨｚ声表面波（ＳＡＷ）、１２４４．１６ＭＨｚ浅体波（ＳＴＷ）压控振荡器（ＶＣＯ）的原理、设计和性能。采用低插损、高Ｑ值的ＳＡＷ延迟线和ＳＴＷ谐振器，高性能微波放大器，变容二极管电移相器，使振荡器具有非常低的相位噪声（＜－１４０ｄＢｃ／Ｈｚａｔ１００ｋＨｚ）、高输出功率（＞９ｄＢｍ）、低温度－频率漂移（＜±３５ｐｐｍ，温度范围：－５～６０℃）、大频率调谐范围（＞４００ｐｐｍ）。     

低能离子束成结制作10．6μm碲镉汞光伏探测器

制作光伏型碲镉汞（ＭＣＴ）探测器ＰＮ结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现，低能离子束成结更适合制作长波光伏型ＭＣＴ探测器。本文报导了低能离子束成结的１０．６μｍ光伏型碲镉汞探测器的性能，衬底为载流子浓度在０．８～６×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）范围的Ｐ型ＭＣＴ材料，离子束能量范围为１００～６００ｅＶ，通过离子束处理，可在Ｐ型ＭＣＴ表面形成一薄层较低载流子浓度的Ｎ型区，而制成ＮＰ结，利用该技术成结制作的大面积、四象限１０．６μｍＭＣＴ探测器，在－２０ｍＶ的偏压，８０Ｋ的温度下，器件的峰值响应率和峰值分别为３２４．５Ｖ／Ｗ和１．１３×１０￣（１０）ｃｍＨｚ￣（１／２）／Ｗ，每元光敏面积为６．８８×１０￣（－３）ｃｍ￣２。     

聚合物敷层光纤相位调制器

利用有机聚合物（ＶＤＦ／ＴＥＦ）敷层光纤制备了一种光纤相位调制器，它具有宽带特性（１ＫＨｚ一６０ＭＨｚ）和一定的相移灵敏度（低频区为３．５×１０￣（－２）ｒａｄ／ｖ／ｍ，高频区为５．０×１０￣（－２）ｒａｄ／ｖ／ｍ）．采用独特的镀敷和整形工艺，平滑了频率响应曲线，增加了带宽的利用率。     

60元3～5μmHgCdTe线列光导探测器

６０元３～５μｍＨｇＣｄＴｅ线列光导探测器徐国森（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文简单报导了研制的６０元ＨｇＣｄＴｅ（３～５μｍ）线列光导探测器的工作性能，探测器灵敏元面积为６０ｐｍ×１００μｍ，在７７Ｋ，平均峰值探测率为９．５×１０￣（１０...     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。