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本文介绍了三种用于程控电话同时钟系统的８．１９２ＭＨｚ高精密石英谐振顺。其中ＡＴ切３次泛音８．１９２高精密石英谐振器适合于三级钟，ＡＴ切５次泛音８．１９２ＭＨｚ高精密石英谐振器和ＳＣ切３次泛音８．１９２ＭＨｚ高精密石英谐振器适合于二级钟。文章给出了这三种高精密石英谐振器的详细设计数据。用美国Ｓａｕｎｄｅｒｓ公司的２１００型晶体自动测试系统对样品的性能进行了全面的测量，文章也给出了测得的全部电气参数 相似文献
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基模抑制的石英谐振器是能陷理论的新应用，是一种新型的石英谐振器。本文简要论述了低次谐波抑制的概念及原理，给出了ＡＴ切基模抑制的三次泛音石英谐振器试验数据，并与一般的泛音晶体作了比较。试验数据表明，６７ＭＨｚ三次泛音的等效电阻约为３５Ω，而基频的等效电阻约为２８０Ω，是三次泛音等效电阻的８倍，从而使基模得到了抑制。 相似文献
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ＳＣ切石英谐振器自发明以来,由于和ＡＴ切石英谐振器相比有许多独特的优点,所以它一直以来是高精密石英谐振器研制和生产的热门。近几年来,其小型化成为一个新的课题。我们对小型ＳＣ切石英谐振器也进行了一定的研究。本文主要介绍了双转角ＳＣ切２０ＭＨｚ石英谐振器的研制过程及结果（包括各种参数测试结果、频率温度特性曲线（θ、ψ对曲线的影响）、ＤＬＤ特性、频谱等）,并且分析了研制过程中出现的问题。该产品已用于晶体 相似文献
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我们对ＪＡ６１微型石英谐振器进行了研制与生产，频率范围：３０－８７ＭＨＺ，采用ＡＴ切三次泛音振动模式；外形尺寸：７．７×７．７×３．０（ｍｍ）和７．７×６．６×３．０（ｍｍ）；壳型：ＵＭ－１型和ＵＭ－５型。本文给出了该产品的设计依据和电参数测试结果。 相似文献
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本文介绍了数字程控交换机三级钟用１６．３８ＭＨｚ精密压控石英谐振器的设施性能。它采用ＡＴ切３次泛音模式，高真空玻壳封装，具有稳定度高，体积小，适于批生产等优点。同时它介绍了它的批量应用测试结果。 相似文献
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我们对３０００ＫＨｚ－３０００ＫＨｚＨＣ－４９／Ｓ基频条片微型石英谐振器进行了研制，本文给邮了谐振器的设计依据和性能测试结果，对其设计和加工工序进行了简单的总结。 相似文献
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介绍了一种由柔性铰链构成的弹性体结构和 Ａ Ｔ 切型石英谐振器组成的石英谐振式数字称重传感器。通过仔细设计弹性体的结构形式和石英谐振器在弹性体中的位置,可以消除传感器的四角误差,使之象电阻应变式称重传感器一样经过简单的调整就可以作为电子衡器的传感器。由于 Ａ Ｔ 切型石英谐振器在加力方向角约为４０°处存在着力频转换系数温度影响为零的点,利用这一特性可以使传感器的灵敏度温度系数在没有补偿的情况下达到３×１０－ ４／° Ｃ。通过改变柔性铰链的尺寸可以设计不同量程的传感器,并给出了量程为 ２００ Ｎ 的传感器的精度指标。 相似文献
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以常规ＴＥＭ为工具，对ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料中ＳｉＣ颗粒及其界面进行了研究，除观察到大量α型六方６Ｈ ＳｉＣ外，还观察到少量α型六方４Ｈ和菱形１５Ｒ ＳｉＣ。观察到的都是单一的ＳｉＣ／Ａｌ及ＳｉＣ界面，无论是ＳｉＣ／Ａｌ或ＳｉＣ／Ｓｉ界面，界面清洁，结合紧密，无孔洞，无反应过渡层。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。 相似文献
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三次泛音49U／S石英谐振器因Q值高、频率牵引小、跌落性能好而被一些有特殊要求的电路所采用。三次泛音石英谐振器因谐振电阻大，难以控制成为晶片加工技术中的一个主要难题。通过对晶片的选材、切割角度的控制和晶片长度、宽度、厚度的设计以及晶片加工工艺技术的改进，进行研究和探讨。结果表明，取得了满意的效果。 相似文献
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分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。 相似文献
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本文介绍实现AT切石英晶体振荡器微处理器温度补偿的新方法——双频温度自测法.AT切石英谐振器各泛音次数的频率温度曲线不同,利用基频与3次泛音除一阶温度系数不同外其他各阶温度系数相等的特性,基频的3倍频与3次泛音频率的差频输出与温度近似成线性关系.同时激励并测量基频和3次泛音频率,经过微处理器计算差频实现谐振器温度自测并进行晶体振荡器的微处理器温度补偿.与使用分立温度传感器相比,消除了测温元件与石英谐振器温度时间常数不同以及温度场梯度造成的测温误差,提高了测温和补偿精度. 相似文献
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宁波ＧＳＭ系统ＬＡＣ状况 目前宁波ＧＳＭ系统共有ＬＡＣ区２２个,每个ＢＳＣ分配一个ＬＡＣ（除市区ＢＳＣ２３,ＢＳＣ２４外）,这样,某些ＢＳＣ的Ｌｏｃａｔｉｏｎ－Ｕｐｄａｔｅ占ＯＫ－ＡＣＣ－ＰＲＯＣ的比例（后称ＬＵ－ＲＡＴＥ）相当高,如余姚ＢＳＣ８,其ＬＵ－ＲＡＴＥ高达７９．４２％,其ＳＤＣＣＨ负荷相当重,且已导致ＳＤＣＣＨ拥塞,具体每个ＢＳＣ的ＬＵ次数,ＬＵ－ＲＡＴＥＰＡＧＥ－ＲＥＱＵＥＳＴＳ／ＰＡＧＥ－ＲＥＳＰＯＮＳＥ,ＰＡＧＥＳ－ＰＥＲ－ＳＥＣＯＮＤ,ＳＤ－ＣＯＮＧＥＳＴＩＯＮ－ＲＡＴＥ,… 相似文献
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GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究 总被引：1，自引：1，他引：0
分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ 相似文献
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毛友德 《微电子学与计算机》1993,10(11):47-48,F003
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积ａ－Ｃ：Ｈ膜，通过测量Ａｌ／ａ－Ｃ：Ｈ／ＳｉＭＩＳ结构的高频Ｃ－Ｖ曲线讨论了ａ－Ｃ：Ｈ／Ｓｉ界面的电子特性，结果表明ａ－Ｃ：Ｈ／Ｓｉ膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。 相似文献
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圆形晶片厚度切变石英谐振器是常用的力敏谐振器。它有固定的设计谐波次数和谐振频率。文章介绍了以设计频率为三次谐波、５ＭＨｚ的ＡＴ－切型谐振器为力敏元件的力传感器在不同电路中分别振动在基频、３次谐波、５次谐波和７次谐波四个谐振频率，并对其力敏特性进行了实验研究。分析了用提高谐振频率的方法提高力灵敏度的可行性和局限性。根据石英谐振器振动在不同谐振频率时力灵敏度的温度特性，找到了温度变化时由力灵敏度温度系数造成的测量误差的消除方法，分析比较了这种方法和选取特定施力方位角消除上述误差的方法之间的差别和适用范围，并找到了在一定温度范围内可同时测量力（压力）和温度的石英传感器的设计原理。 相似文献
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