1 550 nm宽光谱超辐射发光二极管的研制

超辐射发光二极管因其宽光谱低抖动的光谱特点以及输出光为非相干光的特性,在光学相干层析成像技术、光处理技术等领域具有重要应用。为获得宽光谱低抖动的超辐射输出光,设计并制备了一种1 550 nm AlGaInAs多量子阱超辐射发光二极管。采取倾斜12波导并增加隔离区,结合抗反射薄膜,最终实现宽光谱输出的超辐射发光二极管,并比较了有无隔离区对器件性能的影响。实验结果表明,制得的超辐射发光二极管3 dB光谱宽度可拓宽至83 nm,光谱纹波小于0.1 dB,在200 mA工作电流下,出光功率大于1.5 mW。     

新颖红外发光二极管

主要介绍近几年国外研制的红外正面、侧面发光二极管和超辐射发光二极管的最新进展，并对新开发的超晶格、量子阱发光二极管的基本结构、性能、制造技术和应用前景作了简要叙述。     

1.3 μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究

量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性.简要介绍了一种1.3 μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍.通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件.     

1．3μmInGaAsP／InPLD，SLD和LED的介质镀膜

简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器（ＬＤ）、超辐射发光二极管（ＳＬＤ）和发光二极管（ＬＥＤ）上进行了大量的Ａｌ２Ｏ３和ＺｒＯ２减反射膜的工艺研究。结果表明，该减反射膜使激光器阈值电流增加，并将部分激光器变成了超辐射发光二极管。减反射膜还显著地改进超辐射发光二极管的性能，增加其输出功率。它也能导致发光二极管的输出功率的有效增加。     

横向限制1.3μm超辐射InGaAsP发光二极管

实验已经证明,用横向限制波导和超辐射发光二极管(SLD)相结合的办法提高了进入多模光纤里的耦合效率。超辐射发光二极管的光学特性介于发光二极管和激光器的之间。通过调节注入电流密度可使这些特性适合某一特殊的应用。早先的分析表明,与所用光纤等数值孔径(NA)的无源横向波导足以将受激辐射产生的绝大部分光子导引进能被光纤收集的光线内,同时还表明输出端面,即前端面的     

抗中子辐射加固超辐射发光二极管的研究

我们设计并制作了一种高性能的抗中子辐射的超辐射发光二极管。高能中子辐射后产生的位移损伤造成器件有源区内少子寿命减少,从而导致器件光输出功率的降低。通过理论分析可知高输出功率的超辐射发光二极管对中子辐射的敏感度较低。本文中的超辐射发光二极管的有源区采用了具有高量子效率和小体积有源区的InGaAsP/InP多量子阱结构,外延波导层采用了线性缓变折射率分别限制结构(GRIN-SCH),并设计和优化出了特殊波导吸收区和腔面减反射膜结构。辐射实验结果显示,在中子注量为6?10₁₃～1?10₁₄n/cm₂(1MeV)下,InGaAsP/InP多量子阱结构的超辐射发光二极管与双异质结结构相比具有更好的抗中子辐射性能。     

1.3μm超辐射发光二极管制作和实验

通过在激光二极管端面底高减反膜，实现了辐射发光，制成了超辐射发光二极管，它在较宽的驱动电流范围（３３￣６８ｍＡ）内均呈现超辐射发光特性，对超辐射发光二极管特性进行了研究，实验表明，它的发射谱很宽，在输出功率达１ｍＷ情况下，谱线宽度仍达１５ｎｍ。     

质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究

介绍了空间辐射环境,利用SRIM程序来模拟计算10MeV氦离子在GaAs材料中的入射深度与非电离能损（NIEL）的关系,分析了不同能量质子在不同材料中的入射深度及不同能量质子对超辐射发光二极管的辐射损伤对比,计算结果证明了利用SRIM软件模拟不同能量质子对超辐射发光二极管辐射损伤的可能性。     

具有激光二极管结构的1.3μm侧面发光二极管（Ⅰ）：理论分析

讨论了用某些参数不合格的激光二有管管芯制作侧面发光二极管的可能性，并给出了超辐射发光二极管和侧面发光二极管的定量判定依据。     

高功率850 nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW。     

Broad-band superluminescent diodes fabricated on a substrate with asymmetric dual quantum wells

Broad-band AlGaAs-GaAs superluminescent diodes are fabricated using asymmetric dual quantum wells. With a proper design of the quantum-well structure, the spectral width of the superluminescent diodes could be engineered. By choosing 40 /spl Aring/ and 75 /spl Aring/, respectively, for the two quantum wells, the spectrum remains bell-shaped and is broadened to 2/spl sim/3 times that of the conventional superluminescent diodes. The measured spectra show that there is no obvious preference on the transition in either well at any pumping current.     

锥形微透镜保偏光纤与超辐射发光二极管的耦合

对采用锥形光纤微透镜的保偏光纤与超辐射发光二极管的耦合进行了理论分析.制作出几种不同的微透镜保偏光纤,并对它们进行了耦合试验,找到了制作具有高耦合效率的微透镜保偏光纤的方法.     

镀膜法获得的超辐射发光二极管的特性分析

在考虑了反射率与波长有关这一基本事实后，用图示方法对由镀膜法获得的超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的特性进行了分析。结果表明：在判定减反射膜镀得好与不好的时候，最低反射处波长控制的准确性与最低反射率本身的大小都很重要；同时，也可以看到单面镀膜的ＳＬＤ振荡波长与增益峰值波长不重合的现象。     

High-power superluminescent diode with reduced coherence length

In work with superluminescent diodes, a significant new device structure has been developed that produces a spectral bandwidth of 160 ? at a power of 10 mW CW at room temperature. This spectrum has a Fabry-Perot modulation depth of less than 25%. These results point to a coherence length of about 45 ?m, making this light source very useful for fibre-optic gyroscope applications.     

Analytical model of a superluminescent diode

Using a set of traveling wave rate equations ,a superluminescent diode with a low facet reflectivity is studied .Analytical expressions of the distribu-tions of carrier density ,forward-and backward-propagation photon densities,and gain are obtained at different facet reflectivities.It is shown that the high nonuni-form carrier distribution is evident in the case of low facet reflectivity.The results can serve as useful guides in understanding emission mechanism of superlumi-nescent diodes.     

Modulation characteristics of double-heterostructure superluminescent diodes

High-speed double-heterostructure GaAs superluminescent diodes have been fabricated. Risetimes of 2 ns at optical linewidths of 10 nm have been achieved.     

Analytical model of a superluminescent diode

ＡｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｏｆａｓｕｐｅｒｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｄｉｏｄｅＭＡＤｏｎｇｇｅ；ＳＨＩＪｉａｗｅｉ；ＧＡＯＤｉｎｇｓａｎ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃ．Ｅｎｇ．，ＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ１３００２３，ＣＨＮ）Ａｂｓ...     

Bonding stress measurements from the degree of polarization offacet emission of AlGaAs superluminescent diodes

Mechanical stress induced by bonding AlGaAs superluminescent diodes to Cu, SiC, or diamond heat sinks using 40% Pb-60% Sn or 80% Au-20% Sn solder has been observed using measurements of the degree of polarization of the facet emission at low current levels. Stresses up to 10⁹ dyn/cm² were observed, with the magnitude of the stress dependent on the solder used, and the sign of the stress dependent on the difference in thermal expansion coefficient between the diode and the heat sink. Relaxation of the bonding stress over time was investigated as a function of temperature for each solder. The implications of the relaxation for the interpretation of high-temperature life tests, of superluminescent and laser diodes are discussed