双极器件的可能性和限制

评述了传统的双极正艺所面临的问题,并讨论了先进的“双-多晶硅”自对准双极工艺的潜力和限制。还讨论了缩小这些使用于高性能ECL 和低功率 VLSI 电路中的先进双极晶体管的工艺影响。     

硅材料对双极超高速器件的影响

本文选择ECL(发射极耦合逻辑)亚毫微秒门电路EB60、ECL1000MHz÷10分频器S8665、ECL1000MHz÷2分频器S032为样品,从晶向、少子寿命、“雾”及薄外延等方面分析讨论了硅材料对双极超高速器件成品率和性能参数的影响。     

DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究

在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一。研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射极结构对器件直流和低频噪声性能的影响。实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构是影响多晶硅发射极双极器件噪声性能的主要因素。     

双极型功率集成电路版图设计技术

双极型功率集成电路已大量应用于民用、军用电子设备中,其典型应用主要是在通信系统、雷达和电子对抗等领域.大功率电子设备的性能与可靠性很大程度上取决于双极功率器件及其放大电路的性能,因此,提高双极型功率集成电路的性能和可靠性具有十分重要的现实意义.在分析双极功率器件和集成电路工作特点的基础上,介绍了器件结构及其版图设计方法,详细分析了其特点和功能,以达到提高双极型功率集成电路性能和可靠性的目的.     

新型锗硅应变层异质结构双极器件研究进展

新型锗硅材料和器件的发展开创了硅异质结构和能带工程器件的新时代.现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能.本文详细评述了新型锗硅应变层异质结构双极器件的研究现状及发展,着重讨论了锗硅应变层的性质和以锗硅应变层作基区的异质结双极器件的性能及其应用前景.     

功率BiMos——作为开关和控制应用的一种多功能IC技术

功率BiMos是一种IC技术,它兼有双极型和MOS器件的优点,具有高压纵向pnp输出晶体管。本文将讨论工艺技术、器件性能和参数以及特殊电路的应用。     

阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.     

一种单片高速八位A／D转换器的设计

本文介绍了一种硅双极型单片大规模集成8位逐次近似A/D转换器X1001的电路设计,这种电路采用了自锁式电压比较器和高速低功耗ECL逻辑电路,转换时间为400ns,是单片集成逐次近似A/D转换器中速度最快的器件。     

高信息密度的ECL集成电路设计

本文从多值逻辑能提高集成电路处理信息量的观点出发对三值ECL高速集成电路进行研究.文中提出符合双极型晶体管工作原理的基本运算,并讨论了有关性质.在此基础上提出差动电流开关理论,并用于设计若干基本三值ECL电路.使用SPICE 2G5程序的计算机模拟表明,这些电路具有正确的逻辑功能及理想的静态与瞬态特性.     

两位数超高速程序分频器

本文介绍一种全部采用ECL电路的程控分频器,由于应用了提前译码的方法,并考虑了合理的装配工艺及线路布局,充分发挥了 ECL 电路的超高速性能,使器件达到了潜在水平.本分频器己用于某频综系统;在120兆赫的频率上工作稳定可靠.     

Semiconductor materials for microwave devices

Microwave device performances have been rapidly improving due to recent developments in the areas of device construction and material preparation. In this paper emphasis is placed on material selection and preparation for several devices which are currently receiving attention throughout the industry. These include transferred electron devices, avalanche diodes, bipolar transistors, varactor and mixer diodes, and field effect transistors. The structures of these devices are considered with reference to the requirements which they place on the epitaxial layers. Various techniques of epitaxial growth are described together with the relative advantages and disadvantages of each.     

钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响

采用全耗尽的In Ga P材料在基区Ga As表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT) .通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出:钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果,对器件的高频特性无明显影响.此外,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性.     

新型的功率器件--射频LDMOS

射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。     

VMOS管小型固体激光器电源

VMOS场效应晶体管有许多超过双极晶体管的优点，特别适合于功率电子学应用。我们使用VMOS管、光隔离器等器件研制的小型激光器电源，性能良好。本文给出了实际电路及实验结果。     

An analog/digital BCDMOS technology with dielectricisolation-devices and processes

A dielectrically isolated bipolar-CMOS-DMOS (BCDMOS) integrated-circuit technology that has been successfully developed for high-voltage applications (150-500 V) is reported. This technology integrates bipolar, CMOS, DMOS, p-n-p-n, JFET, and DGDMOS (dual-gate DMOS) devices on a single chip. The core BCDMOS process is chosen to be an optimized poly-gate n-channel DMOS process; additional levels and their relative sequences were chosen on the basis of their effects on the performance of the various kinds of devices in the chip and the trade-offs among those performances. The characteristics of the major devices in solid-state switches for telecommunication applications are demonstrated     

高速自隔离三重扩散技术研究

本文介绍双极IC中自隔离的三重扩散(3D)技术的特点和工艺路线,给出了采用全离子注入工艺制作的器件特性,探讨了工艺技术中的关键问题,指出,浅结离子注入与退火条件的选择是影响器件性能的主要因素。     

The Impact of Deep Ni Salicidation and$hboxNH_3$Plasma Treatment on Nano-SOI FinFETs

In this letter, 50-nm gate-length nano-silicon-on-insulator FinFETs with deep Ni salicidation and$hboxNH_3$plasma treatment are fabricated. It is found that device performances, including subthreshold slope (SS) drain-induced barrier lowering (DIBL) and off-state leakage current, can be greatly improved by using deep Ni salicidation process compared to no Ni salicidation process. The deep Ni-salicided devices effectively suppress the floating-body effect and parasitic bipolar junction transistor action. In addition, the effect of$hboxNH_3$plasma on the deep Ni-salicided devices is discussed. Experimental results reveal that the devices under a new state-of-the-art$hboxNH_3$plasma process can achieve better performance such as an SS of 66 mV/dec and a DIBL of 0.03 V.     

埋栅结构双极型静电感应晶体管动态特性的改善

双极型静电感应晶体管(BSIT)的失效经常出现在阻断态与导通态之间的瞬态过渡过程。因此,研究BSIT的开关动态过程的物理机理对于设计和制造高性能器件有着重要意义。本文深入研究了埋栅结构电力BSIT瞬态过程的动态特性,讨论了材料、几何结构与工艺参数对BSIT动态性能的影响。提出了一系列改善BSIT动态特性的工艺措施。     

运算放大器中JFET对管的制作技术及其发展前景

JFET与双极器件相结合,可以获得高速/宽带/高输入阻抗的运算放大器。但由于工艺水平的限制,Bi-JFET单片兼容工艺中的场效应器件的特性并不很理想,影响了电路的性能。目前的高性能场效应运放,基本上是采用高性能JFET对管与纵向p-n-p、n-p-n混合组装而成。本文分析了场效应运放中场效应器件制作技术的发展,提出了两种新的单片高性能JF-ET对管与高性能纵向p-n-p、n-p-n兼容工艺,以期能结合自动稳零技术,制造出单片高速、宽带、高输入阻抗、低失调、高精度运放。     

Comparison of p-channel lateral insulated-gate bipolar transistorswith and without collector shorts

The performances of p-channel lateral insulated-gate bipolar transistors (LIGBTs) with and without collector shorts on n^- epi/n⁺ substrates are compared. The collector-shorted devices have a 4× improvement in turn-off time but about 1-V higher forward drop, due to a substantially reduced vertical current component. The addition of a buried layer on the emitter side increases the forward drop and reduces the turn-off time slightly for both types of LIGBTs. The presence of the collector shorts significantly improves the breakdown voltage but increases the percentage of the lateral current component, leading to a lower maximum gate controllable current