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据日本电子材料生产者协会,(EMAJ)统计报告称,1991年日本电子材料总产值比1990年增长了6%,达4450亿日元。其中;金属材料(包括管子、半导体材料、软磁材料,弹性材料、焊接材料,耐腐,耐热材料,电阻材料和特殊材料)和永磁材料的产值分别比1990年增长3%; 相似文献
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信息存储材料的现状与未来 总被引:2,自引:0,他引:2
信息存储材料的研究与开发直接影响着整个信息技术的发展进程。本文从磁光存储材料,磁存储材料、光存储材料和纳米存储材料四个方面评述了现代信息存储材料应用于电子领域中的现状,并就其前景及今后研究方向进行了讨论。 相似文献
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大连理工大学课题组经过几年攻关,开发出暗室使用的新型锥体材料和地板材料,它在物理特性、电性能以及技术含量上都明显超过传统的微波吸收材料,具有现行传统微波吸收材料难以做到的优势。 相似文献
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研究了一类常温,高效有要无机物相结合的新型远红外辐射材料。通过对30种不同配方材料热发射率的测试,分析了它与材料成份,含量,加工条件等的关系,这些材料对防病治病和康复有一定作用。 相似文献
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本文首先简要介绍了多光谱高性能玻璃窗口的技术现状,然后着重介绍了两种多光谱玻璃材料,硒化锌材料和硫化锌材料,文章最后阐述了与多光谱高性能玻璃相关的一些工艺、技术的发展。 相似文献
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离子注入R—PVC材料静电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用150keV不同注入济量的Ar^-离子,对特种聚氯乙烯材料注入,进行抗静电改性,使材料表面静电特性得到显著改变。对比实验和近九年的静电性能跟踪测试表明:在相同条件下,改性材料与未改性材料相比,表面电阻率下降四个数量级以上,静电半衰期由数小时减小到秒量级,抗静电性能稳定。与化学改性工艺相比,离子束改性材料不怕水洗,不怕高温,受环境湿度影响小,抗静电性能具有永久性。 相似文献
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本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10~(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P~+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以探测最小功率为10~(-)W,此时信/噪比达到1:4,电流灵敏度可提高10倍。 相似文献
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透波性混杂纤维复合材料性能研究 总被引:6,自引:1,他引:5
在立足国内材料的基础上 ,研究了混杂纤维复合材料的性能。研究结果表明 ,将芳纶纤维和玻璃纤维按一定混杂比、混杂方式与力学性能、电性能优良的树脂体系制成混杂纤维复合材料 ,可作为频率选择反射器 (FSS)用的功能结构材料 相似文献
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由于金属-半导体-金属光电探测器潜在的优点,用于光通信、高速片到片互连、以及光控受到极大关注,文中介绍这种光探测器及其与放大器单片集成的最新进展。 相似文献
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本文描述了材料表面改性或优化的新型宽束离子束混合装置。系统含有引出离子不同能量范围的三种离子源。可用于单离子注入,离子束混合,单离子或反应离子束溅射淀积以及离子束增强淀积。它装备有大的水冷却台,可进行各种复杂的运动,以满足处理各种复杂形状的大的工件的需要。本文还对该机的两种使用实例做了介绍。 相似文献
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在现代电视制作中 ,由于素材形式、来源的不同 ,使得非线性编辑设备不能直接利用这些素材 ,因此必须选择恰当的方法将这些素材转换为可以利用的形式 ,同时还要保证素材的质量 ,以满足高质量制作的需要。 相似文献
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叙述了用液相外延(LPE)制作 InGaAsP/InP 雪崩光电二极管(APD)的物理性能。分析了该器件的设计参数。介绍了器件结构、器件制作中 LPE 生长条件及器件性能。最后,评述了器件发展水平及改进意见。 相似文献