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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
压合工序是高多层板线路板工厂最重要的工序之一,压合起皱问题困扰多数高多层线路板工厂的一大难题。文章分析了压合起皱问题的机理;介绍了解决压合起皱传统的方法:增加假铜点、升温速率与压力的调整、压合结构的调整、增加牛皮纸提高缓冲度、工具边图形设计优化等方法,提出了一种全新的解决思路和方法即通过钢板与线路板的铜箔之间的膨胀匹配性的解决压合起皱问题。  相似文献   

2.
印制电路板层数越来越高,在压合生产过程中出现铜皱的现象越来越频繁。本文主要从铜皱的表现形式入手,通过现象铆钉位铜皱、熔点位铜皱、组合夹具引起铜皱、板面中心铜皱四个方面来研究探讨压合铜皱是如何产生的,制定什么方法来预防,进而提高品质。  相似文献   

3.
在多层印制电路板层压工序中,容易出现压合后铜箔起皱的现象,导致产品报废。针对12μm薄铜箔在大面积空旷区域压合中,容易起皱这一质量问题展开原因分析,从调整半固化片参数、层压压合参数、拼板方式和铜箔厚度几个角度进行实验论证。通过实验结果得到最佳工艺调整路线,由此提升了印制板生产合格率。  相似文献   

4.
主要针对411.6μm(单位面积铜重量:12oz/ft^2超厚铜箔多层PCB的制作工艺进行研究,采用铜箔反面蚀刻+压合+正面蚀刻的技术,有效解决了超厚铜蚀刻困难和压合填胶困难等业界常见的技术难题,保证线路的蚀刻质量和压合的效果。极大提升了品质,满足了客户的特种需求。  相似文献   

5.
挠性电路板(FPCB)是用挠性基材制成,其对于铜箔的需求也呈逐年上升趋势,下面就FPCB所需的铜箔的生产工艺做一个简单的探讨。 铜箔的生产过程分为四个工序,溶铜工序——生箔工序——表面处理工序——分切包装工序。 溶铜工序主要就是将铜料溶解成硫酸铜溶液,并经一系列过滤净化,制备出成分合格、纯净度很高的电解液,电解液质量的好坏,直接影响着铜箔产品品质的好坏,必须严格控制溶铜造液过程所用原辅材料,还要严格控制电解液制备的生产设备和操作过程。 生产普通铜箔的电解液,成分比较简单,铜离子、硫酸是主要成分,再添加明胶和氯离子等添加剂。  相似文献   

6.
从影响层压板厚的基材厚度、PP100%残铜时压合厚度、各内层残铜率、内外层铜箔厚度等各方面经过大量实验准确得出板厚的控制方法,并设计“多层板压合后板厚计算表”,简单输入所需信息后可方便快捷的计算出层间半固化片厚度和压合后最终板厚。方法合理科学,可完全指导实际生产。  相似文献   

7.
随着背板厚度和尺寸的不断增加,压合的制作难度也随之增加,文章主要从材料选择、工程设计、排板方法、压合程序等几个方面进行介绍,通过优化相关资料和工艺方法,来解决压合过程中易出现的层偏、缺胶、空洞等一系列的品质问题,最终降低了大背板压合工序的报废率,提高了大背板的制作能力。  相似文献   

8.
通常铜厚≥350mm(10 oz)以上电路板称为超厚铜板,其主要应用于大电流大功率电源、清洁能源太阳能等产品。随着这类产品需求量的迅速增长,未来超厚铜板必然会成为PCB发展的另一趋势之一。超厚铜板由于铜厚较厚,制作时内层无铜区填胶、钻孔、蚀刻等工序都存在一定的难度。文章通过制开发28 oz的超厚铜板,对选用的材料及制作工艺等方面进行优化,解决了这类板制作过程中蚀刻、压合、钻孔等工序的制作难点,为业内同行制作此类超厚铜板提供参考。  相似文献   

9.
随着背板厚度和尺寸的不断增加,压合过程制作难度也随之不断增加,其中以压合空洞及其导致的渗铜问题尤为突出,本文通过对问题大背板渗铜表观、切片及影响因素进行分析,最终确定渗铜的直接原因为层间介质树脂空洞,通过优化叠板层数、排板方式、优化压板参数匹配材料压合要求、采用排板时加铝片缓冲及使用厚度均匀性好的小钢板改善局部失压,最终降低了大背板的渗铜报废率,提高了大背板制作能力。  相似文献   

10.
功率混合集成电路键合强度控制研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐学良  肖玲 《微电子学》2005,35(3):279-282
通过引入铜过渡键合垫片,取消了金-铝键合系统,改用铝-铝键合,以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级,满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制,对键合工艺进行了有效控制,使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到了较大的提高。  相似文献   

11.
人体皮肤皱纹参数的检测对实现皮肤老化的诊断有重要的指标参考意义.文中在研究国内外皮肤皱纹检测技术和光学理论的基础上,提出了皮肤皱纹的一种定量检测方法.根据这种方法,本着检测设备要求体积小、设计简单和软件操作方便的原则,选择CY7C68013作为USB控制器,选择MCM20027进行辉度检测,完成了具体的测量系统集成.着重介绍了测量系统工作原理和设计构想、CY7C68013的固件程序设计和系统软件设计,并对测量系统的测量精度进行了计算.  相似文献   

12.
低流动度半固化片的压合技术研究及其产品应用开发   总被引:1,自引:1,他引:0  
随刚挠板、阶梯板与金属基散热板需求量的增大,相对于纯胶片更为便宜的低流动度半固化片的使用量增多,但由于此类半固化片的流胶量较低而往往容易导致压合白斑。本文对比试验了图形分布、半固化片数量、层压辅助材料、拼板工艺边设计及层压工艺参数等的影响,提出了低流动度半固化片的压合模型,此法有效避免了必须采用低流动度半固化片与FR-4半固化片混压或必需采用额外压合辅材的业界做法;试验并成功采用陪板填充阶梯槽的独特的简单工艺,避免了业界报道的操作相对复杂的叠板方式,可成功避免板凹和板件局部变形的质量问题,希望能对PCB制造业同行有所帮助。  相似文献   

13.
实现各层间准确对位是多层线路板制作的最关键的环节之一,然而影响层间准确对位的因素有很多,如内层线路曝光对位偏差、PE冲孔精度、板材涨缩、压合偏位、钻孔等。本文简述影响层问准确对位的多种因素,重点讨论压合工序的层偏问题,尝试通过偏位板的缺陷模式分析,以快速准确定位层偏板缺陷原因,及改善措施。  相似文献   

14.
从多层电路板加工工艺的角度,介绍多层板在设计需要考虑的因素以及布局与厚度、孔径与焊盘、线宽与间距和敷铜区的设计原则和计算关系,阐述了多层板的重点制作工艺流程,并详细介绍了孔金属化和去除钻污的处理流程,具体给出在实验室快速制作多层板工艺的方法.  相似文献   

15.
Organic wrinkle structures are investigated as an internal scattering layer for the fabrication of highly efficient organic light-emitting diodes (OLEDs). The solution-processed wrinkle structures are planarized with a high-index layer, resulting in a reduced surface roughness and optical haze simultaneously. The OLED device including the wrinkle structures achieved external quantum efficiency (EQE) of 24.2%, corresponding to a 1.24 time enhancement with respect to that of a control device having no internal scattering layer. By attaching a micro lens array (MLA) or a half ball lens (HBL) on the external surface of the substrate, the proposed device exhibits an EQE of 30.5% (1.56 time enhancement) and 41.8% (2.14 time enhancement), respectively. Randomness of the distributed wrinkle structures is shown to provide additional benefits of reduced angular spectral distortion and Lambertian-like emission properties. Trans-scale optical simulation combining wave-optics and the geometrical effect are used for the quantitative analysis of the emission characteristics of the device.  相似文献   

16.
用离子溅射法在聚二甲基硅氧(polydimethylsiloxane,PDMS)表面沉积的金膜因金属与聚合物之间热膨胀系数的差异从而导致了具有正弦界面、微米尺度的波长和振幅的复杂而有序的褶皱图案。用光刘技术在硅片制备图形结构作为模板,通过复制模铸得到表面具有浮雕结构的聚二甲基硅氧烷基片。改变浮雕结构可以调控其上沉积的金膜的褶皱图案呈规则有序的排列。这种多尺度的复合结构将光刘技术、复制模铸和物理自组装等有效结合,可广泛应用于微纳制造领域。  相似文献   

17.
基于化学机械动力学的碱性铜抛光液平坦化机理研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
The planarization mechanism of alkaline copper slurry is studied in the chemical mechanical polishing (CMP) process from the perspective of chemical mechanical kinetics.Different from the international dominant acidic copper slurry,the copper slurry used in this research adopted the way of alkaline technology based on complexation. According to the passivation property of copper in alkaline conditions,the protection of copper film at the concave position on a copper pattern wafer surface can be achieved without the corrosion inhibitors such as benzotriazole(BTA),by which the problems caused by BTA can be avoided.Through the experiments and theories research,the chemical mechanical kinetics theory of copper removal in alkaline CMP conditions was proposed. Based on the chemical mechanical kinetics theory,the planarization mechanism of alkaline copper slurry was established. In alkaline CMP conditions,the complexation reaction between chelating agent and copper ions needs to break through the reaction barrier.The kinetic energy at the concave position should be lower than the complexation reaction barrier,which is the key to achieve planarization.  相似文献   

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