PTO种子层对PZT铁电薄膜结晶温度和电学性能的影响

该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善.     

凝胶干燥温度对CoFe2O4／SiO2纳米复合材料的影响

采用溶胶．凝胶法制备了CoFe2O4／SiO2纳米复合粉末．利用热重／差热综合热分析仪、X射线衍射研究了凝胶干燥温度对CoFe2O4／SiO2纳米复合粉末的结构和晶粒尺寸的影响．结果表明。提高凝胶干燥温度有利于形成完整的二氧化硅网络,从而实现CoFe2O4晶粒的有效细化．     

分散剂对纳米复合材料CoFe2O4/SiO2的影响

采用溶胶-凝胶法制备CoFe2O4/SiO2纳米复合材料,使用X射线衍射仪和扫描电镜对样品的结构、晶粒尺寸和形貌进行了分析.研究了分散剂乙二醇的用量对样品的影响.     

退火时间对纳米CoFe2O4/SiO2复合薄膜结构和磁性的影响

利用溶胶-凝胶旋涂法制备了纳米CoFe2O4/SiO2复合薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了研究.结果表明,随着退火时间的延长,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸和晶格常数变大.随着晶粒尺寸的增加,样品的矫顽力变大,当退火温度为3 h时,样品垂直和平行膜面的矫顽力分别为246 kA·m-1和198 kA·m-1,样品具有较明显的垂直磁各向异性.     

铬掺杂二氧化硅纳米球的铬辅助合成和尺寸控制

采用汽相传输技术,利用Si为衬底,在700℃制备了Cr掺杂的SiO2纳米球.CArCl2粉末不但可以作为掺杂剂,还可以通过和衬底硅反应,从而降低了SiO2纳米球的合成温度.并且通过改变载流气体中氧气的含量可以控制SiO2纳米球的尺寸和氧含量.这种采用Cl辅助合成并对纳米球尺寸、氧含量、掺杂元素含量进行控制的方法为纳米材料合成技术提供了新的手段.     

溶胶-凝胶法制备CoFe2O4/SiO2复合薄膜

以硝酸盐和正硅酸乙酯为原料利用溶胶-凝胶旋涂法在硅基片上制备了CoFe2O4/SiO2复合薄膜.用X射线衍射仪、扫描探针显微镜和振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了研究.结果表明,经700 ℃退火处理的薄膜样品中CoFe2O4的晶粒尺寸为6 nm,样品的矫顽力和饱和磁化强度随着环境温度的降低逐渐增大.     

溶胶-凝胶法制备CoFe2O4/SiO2纳米复合粉末

以正硅酸乙酯和金属硝酸盐为原料,采用溶胶-凝胶法制备了（CoFe2O4）x/SiO2（1-x）纳米复合材料.利用热重/差热综合热分析仪（TG/DTA）研究了热处理过程中干凝胶的变化.使用X射线衍射仪（XRD）分析了（CoFe2O4）x/SiO2（1-x）纳米复合粉末的结构和晶粒尺寸.结果表明热处理后的样品中同时存在非晶态SiO2和晶.态CoFe2O4,当x≥0.5时,出现少量的Fe2O3杂相.随着热处理温度的升高,样品的晶粒尺寸逐渐变大.     

二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理

采用火焰水解法（FHD）在Si片上快速演积出SiO2厚膜材料，材料膜厚40μm以上，生长速率8μm/min。将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理，获得各种形状的二氧化硅厚膜材料。利用XRD，SEM，电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行测试分析。     

γ-Y2Si2O7陶瓷材料介电性能研究

以溶胶-凝胶法制备的纳米SiO2颗粒和微米Y2O3为原料,在高能行星磨上球磨混合粉末(摩尔比2:1),冷压成型后烧结,制备出纯相γ-Y2Si2O7.借助X射线衍射、扫描电镜、能谱等方法研究了该材料的低温烧结行为.结果表明,该材料能够在1350℃下低温烧结出纯相γ-Y2Si2O7.用谐振腔法在X波段测试了γ-Y2Si2O7的介电性能.结果表明,该材料具有良好、稳定的介电性能.     

表面多孔TiO_2的制备及其光催化性能研究

以水热法制备的Fe3O4为磁性核心,十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,采用溶胶-凝胶法制备的多孔SiO2为中间层,TiO2为外壳,制备出Fe3O4/多孔SiO2/TiO2复合氧化物,并将其应用于苯酚的光催化降解研究。结果表明,所制备的复合氧化物呈规则球形,表面多孔,粒径约为500nm,平均孔径约为2.16nm,其饱和磁化强度接近0.77emu·g-1;多孔SiO2与TiO2之间存在Si-O-Ti键相互桥联,TiO2以锐钛矿形式存在于催化剂表面;与P25相比,复合氧化物在紫外光及可见光区域的吸收都有所增强,光吸收范围拓展至750nm;在氙灯照射下降解10mg·L-1的苯酚废水,反应120min,苯酚的降解率可达75%以上。     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

氩离子辅助轰击对激光烧蚀法制备非晶碳膜的影响

离子辅助轰击能有效改善非晶碳 (a -C)膜的质量 .用脉冲激光 ( 5 32nm ,3.5× 10 8W cm2 )烧蚀石墨靶 ,同时用Ar+轰击膜面 ,在Si( 10 0 )衬底上沉积a -C膜 .用扫描电镜和喇曼光谱对膜结构作了分析 .结果表明 :在较低气压和较高的射频功率下制备的a -C膜质量较好 ,同时 ,激光重复频率对膜生长也有显著影响     

化学共沉淀法制备PZT纳米粉体研究

以四氯化钛、硝酸铅、氧氯化锆等为原料 ,采用化学共沉淀技术 ,通过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相PZT纳米粉 .分析给出了化学共沉淀法制备纳米粉体的机理 .实验表明 ,5 0 0℃热处理得到的粉体粒径小于 1 0 0nm .     

钇铁柘榴石单晶薄膜在高功率下铁磁共振饱和现象和折叠效应

本文进一步研究了垂直泵作用下,钇铁柘榴石(YIG)单晶薄膜脉冲微波功率的铁磁共振吸收特性.实验结果表明:在较低微波功率下,低占空因子脉冲微波功率的铁磁共振曲线的主要特征是由于自旋波不稳定性引起共振线宽的变宽效应,而且增加磁场和减少磁场得到的共振曲线基本是相同的.在高微波功率下出现了铁磁共振的折叠效应.     

强脉冲电子束引发气相沉积过程的研究

近年来,随着等离子体技术的迅速发展,等离子体化学气相沉积在微电子、超导、光纤通讯等新技术领域里被广泛用于材料表面改性,制备各种具有特殊性能的薄膜等.作者在这方面作了一些有意义的工作.本文将介绍一种类似于激光产生化学气相沉积的新手段,即在低压气体环境中,利用强脉冲电子束轰击靶物质,在衬底表面生成固体薄膜的实验结果,以及用AES,ESCA.电子显微镜等分析手段观察,探讨样品表面的化学组成和结构变化.     

离子束动态混合氮化钛薄膜生长及其组分和结构分析

用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击同时进行的动态混合方法制备了氮化钛薄膜.RBS组分分析结果表明,离子束动态混合制备的氮化钛薄膜中的氧含量比不用离子束轰击的显著减少,薄膜的组分与离子原子到达比关系不大,主要受长膜过程中吸附效应的影响.随着蒸发沉积速率的提高,膜中氮含量下降,提高样品温度可获得同样效果.采用TEM和XRD对薄膜的结构进行分析测定,发现离子束动态混合制备的氮化钛薄膜主要由面心立方结构的TiN相构成,晶体取向随离子原子到达比(N/Ti)的增加,由<111>择优取向变到无择优的随机取向,然后再转变到<200>择优取向,合成的氮化钛薄膜具有良好的抗磨损性能,划痕试验表明薄膜与基体间结合力极强,临界载荷达10-15kg.     

掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究

采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究.结果表明,薄膜中氮含量随工艺中氮气/甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和.光谱中CH键吸收峰(2859~3100cm^-1)逐渐消失,而且CNH键(1600cm^-1)、C≡N键(2200cm^-1)和NH键(3250cm^-1)对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加.拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应.偏振光谱分析认为,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由1.8降低到1.6.     

渗硼铁衬底上利用热丝辅助r.f等离子体CVD法生长C-BN薄膜

本文利用热丝辅助射频等离子体CVD法在渗硼铁样品上成功地生长了c—BN薄膜。薄膜的维氏硬度高达4500Kg/mm~2,c—BN膜与Fe衬底的附着力也令人满意。本文还给出了x射线衍射及红外吸收谱测试结果。     

用溶胶-凝胶法制备钛锆酸铅(PZT)粉末

用溶胶凝胶法制备了钛锆酸铅Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)粉末，对合成条件如溶胶制备反应的温度，反应物正丙醇锆和异丙醇钛的加入顺序进行了选择，凝胶的烧结温度和时间进行了条件实验，通过X-射线衍射和扫描电镜分析证明，最后得到的是粒径比较均匀的PZT粉末。     

液晶Langmuir—Blodgett膜的热电效应

介绍使用水平提拉法制备非中心对称的液晶Langmuir-Blodgett(LB)膜.吸收光谱和形貌观察表明LB膜中液晶分子以聚集体的方式存在,LB膜的静态热电系数为10~(-11)C·cm~(-2)·K~(-1)量级.同时讨论了LB膜结构变化对静态热电系数的影响.