若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究

将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面，对键合有若丹菁的锗片进行了激光Ra-man光谱及XPS谱分析，结果表明，两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n－型锗片的In(Pt)／染料／n-Ge器件具有整流作用。     

若丹菁在单晶锗表面的键合

通过烯丙醇单体，用化学键合法将一种若丹菁键合在了抛光的单晶锗表面，将键合有光敏染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱测试。结果表明：若丹菁染料通过Ge-0键键合于锗表面。     

单晶锗表面键合份菁的研究

用一种新的化学方法，将一种份菁键合在抛光的单晶锗表面，对键合有染料的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析，结果表明，光敏染料通过锗氧键共价键合于锗片表面。     

金刚石车削单晶锗平面表面粗糙度扇形分布…

建立了金刚石削单晶锗切削力的分布模型，研究了车削单晶锗平面时表面粗糙度呈现扇形区分布特征的成因机制，并进行实验验证，采用飞切方法加工单晶锗时，可以制得表面粗糙度Ｒａ值为０．００７～０．００９μｍ的匀质光滑表面。     

生物样品中痕量锗的分析进展

对生物样品中痕量锗的分析方法进行了综述，介绍了样品的前处理，分离与富集以及痕量锗的分析方法：包括原子吸收分光光度法、原子发射光语法、分光光度法、电化学法和荧光光语法．     

对氯苯基荧光酮—Tween80—CTMAB分光光度法测定微量锗

对氯苯基荧光酮在表面活性剂Tween80—CTMAB存在下，与锗(Ⅳ)形成稳定的混配络合物，其显色体系较单一表面活性剂的p－ClPF显色体系具有更高的灵敏度，提高了体系的稳定性和抗干扰能力，可以不经分离直接测定矿渣样品中痕量锗，结果令人满意．     

基于UV光照射在硅片表面活化的阳极键合工艺研究

为了减少阳极键合试验时Si片和Pyrex玻璃片的键合困难,提高硅片表面活性和键合质量,在阳极键合的表面预处理工艺中引进UV光对硅片的活化并对其工艺参数和效果进行评估。基于阳极键合实验的基本流程,采用对比实验,探究UV光对硅片的照射与否,以及对硅片照射的时间长短对硅片表面的影响,并利用大恒图像系列数字摄像机、单轴拉伸测试仪分别对UV光照射前后硅片的活化效果和键合强度进行了测试与表征。结果表明经过该UV光源适当4 min时间照射的硅片,其表面的亲水键合活化能得到很大提高,可以显著地改善键合片的表面状况。验证了该工艺在阳极键合的预处理方法上的可行性和有效性。     

锗烷分子（3000）局域模振动态的高分辨光谱…

锗烷在其伸缩振动泛频态上会出现局模振动，这不仅对研究分子在激发态上的行为有重要意义，而且它所揭示的成局域模振动的机制普遍适用于任何分子，从而为选键化学带来新希望。在０．０５ｃｍ＾－１分辨率上记录了锗烷的６０４０－６４２０ｃｍ＾－１区域的泛光谱。     

关于一维掺杂晶体表面态

本文应用格林函数方法讨论一维掺杂晶体的表面态。证明:断短键时存在零能表面态,而不论断短键或长键,均出现非零能局域表面态。当掺杂吸收于短键时,若U>(J_0-J_1)则两个束缚态出现于能隙内,若U<(J_0-J_1)则出现于带外,且在隙中心出现中间隙态。当掺杂吸收于长键,此时存在4个束缚态。     

局域表面等离子体增强锗的光电响应特性

局域表面等离子体共振(local surface plasmon resonance,LSPR)因其对光独特的响应特性而在纳米光电子领域成为研究的重点.作为重要的微电子材料,锗在近红外波段的光电响应较弱,而把局域表面等离子体应用在锗材料中,必然会改善锗的光电响应特性.利用时域有限差分(finite difference time domain,FDTD)法,详细研究了1,2,3个银纳米颗粒嵌入锗中的消光光谱.结果发现,在可见光以及近红外比较宽的波长范围内,这种复合结构可以有效增强锗的光电响应特性,且多个孤立的银纳米颗粒会表现出与1个银纳米颗粒不一样的光电响应特性.同时,LSPR导致的光响应特性与光源的偏振、颗粒尺寸、颗粒个数以及颗粒之间的距离有依赖关系.这一结果不仅对锗在光电子领域的应用有重要意义,也可以拓宽局域表面等离子体在纳米光电子领域的应用范围.     

低能康普顿散射模拟模型在高纯锗探测器中的研究

国际上CDEX、CDMSlite等实验组,在开展直接暗物质探测实验中,发现高能光子本底的来源之一.高能光子在高纯锗探测器中会产生低能本底,这些本底来自于康普顿散射的影响.分析发现低能本底的结构有台阶出现,这与经典理论预测的结果相悖.这是由于原子中电子处于束缚状态,并具有一定的动量,因此康普顿散射在低能部分受到影响.现在已经有低能康普顿散射理论Impulse Approximation(IA)考虑到电子的这些效应,并且应用到模拟实验软件Geant4中. IA理论框架下的模拟模型有三个:Liermore模型、Penelope模型和Monash模型.我们发现三个模型在keV能级以下能谱有康普顿台阶出现,与经典康普顿能谱相比有明显减少.经过计算,在k壳层的台阶高度比例分别为95.92%、92.87%和96.68%,这与只考虑束缚效应而计算出的93.73%不同.三个模型keV能级以下时有大约10%的差异.     

磷酸锗铝分子筛GeAPO-5的合成与表征

在弱酸性介质和氟离子存在下,以二乙氨基乙醇为模板剂,采用水热法合成了磷酸锗铝分子筛GeAPO-5。并对其结构和性能进行了表征。研究确证了Ge对AlPO_4-5分子筛骨架的同晶取代。     

二苯基锗二硫代氨基甲酸衍生物的合成与性质

利用二苯基二氯化锗和二硫代氨基甲酸盐反应,合成了8种二苯基锗二硫代氨基甲酸衍生物.通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和质谱对其结构进行了表征.初步生物活性测试结果表明,该类化合物对KB癌细胞具有一定的抑制活性.     

Hydrogen Bonding in Hydrogenated Amorphous Germanium

Thin films of hydrogenated amorphous germanium (a-Ge:H) were prepared by radio frequency glow discharge deposition at various substrate temperatures. The hydrogen distribution and bonding structure in a-Ge:H were discussed based on infrared absorption data. The correlation between infrared absorption spectra and hydrogen effusion measurements was used to determine the proportionality constant for each vibration mode of the Ge-H bonds. The results reveal that the bending mode appearing at 835 cm^-1 is associated with the Ge-H2 (dihydride) groups on the internal surfaces of voids. While 1880 cm^-1 is assigned to vibrations of Ge-H (monohydride) groups in the bulk, the 2000 cm^-1 stretching mode is attributed to Ge-H and Ge-H2 bonds located on the surfaces of voids. For films associated with bending modes in the infrared spectra, the proportionality constant values of the stretching modes near 1880 and 2000 cm^-1 are found to be lower than those of films which had no correspondina bending modes.     

P-204(磷酸〈2—乙己基基〉酯)—YW100锗萃取体系的反萃研究

本文研究了用1.0mol/LHF作为P204—YW100萃锗体系的反萃剂是行之有效的。该反萃剂的反萃液用N—235(三烷基胺R_3N)对锗进行二次富集,使锗含量达到20g/l,从而为溶剂法生产锗创造了一定条件。并对氢氟酸反萃锗的行为和N—235在萃取过程中的行为进行了讨论。     

氢化物—原子荧光光谱法测定保健食品中痕量锗

提出了以氢化物-原子荧光光谱法测定保健食品中锗的新方法,研究了酸介质、氢化物发生、增敏掩蔽剂等因素对测定的影响,并选择出仪器的最佳工作条件;采用磷酸-酒石酸介质进行测定,不但可有效消除共存离子的干扰,而且起到增敏作用,方法的检出限为6.2ng/g,相对标准偏差（RSD）为5%以内,加标回收率为95%-105%,结果令人满意。     

植酸锗配合物的合成及其毒性研究

介绍了植酸锗配合物的合成和组成以及通过动物实验研究了它的毒性。实验结果表明植酸锗有着类似于植酸的较低的毒性。为此,又探讨了植酸锗作为食品和化妆品的添加剂以及作为医疗保健品主要成分的可靠性。