单晶锗表面键合光敏染料的研究

用新的化学方法将一种若丹菁键合在抛光的单晶锗表面．对键全有染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS光谱分析，结果表明，若丹菁通过锗氧键共价键合于锗表面．     

工程陶瓷精密研磨技术

研究外圆柱表面和平面的新型研磨方法，并分析加工效率和表面粗糙度的主要影响因素，当初削参数最佳时，表面粗糙度值大约为Ｒａ０．０１６－０．０２１μｍ。     

单晶锗表面键合份菁的研究

用一种新的化学方法，将一种份菁键合在抛光的单晶锗表面，对键合有染料的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析，结果表明，光敏染料通过锗氧键共价键合于锗片表面。     

细颗粒流化床炉衬表面粗糙度对流态化质量的影响

就细颗粒流化床的炉衬表面粗度对（准）散式流化状态的影响进行了试验研究。试验采用粒径为０．０７６￣０．４５ｍｍ的细石墨粒子，通过变换不同的炉衬和采用自制的炉内电阻网络测量装置，得到了炉内流化滞区的分布和表面粗糙度与壁面附近流化滞区厚度的关系，并结合细颗粒与不同炉衬壁面之间的摩擦系数的测量结果，对炉衬表面粗糙度与流化滞区的关系进行了理论分析。研究表明，粗糙的炉衬表面会产生较大的流化滞区，并使流化状态过     

若丹菁在单晶锗表面的键合

通过烯丙醇单体，用化学键合法将一种若丹菁键合在了抛光的单晶锗表面，将键合有光敏染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱测试。结果表明：若丹菁染料通过Ge-0键键合于锗表面。     

若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究

将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面，对键合有若丹菁的锗片进行了激光Ra-man光谱及XPS谱分析，结果表明，两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n－型锗片的In(Pt)／染料／n-Ge器件具有整流作用。     

锗片清洗工艺对太阳电池性能影响的研究

随着砷化镓太阳电池对锗片的需求,免清洗锗片的需求日益增加.本文在试验的基础上阐述了锗单晶抛光片的清洗机理.通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗工艺,利用该清洗工艺制备的锗抛光片完全满足了空间岛效太阳电池的使用要求.     

非成像表面的散射分布模型

光学系统杂光分析对航天航空，精细细微分析领域的光学设计有着重要意义，其首要问题是研究光学系统中典型受光表面的散射模型。该文用小镜面细分非成像表面，结合概率论的方法，在考虑表面遮挡因子的基础上，推导了光学系统训均方粗糙度与光波波长之比〉１．０的非成像表面双向反射分布函数的数学模型，把表面特征参数与表面散射分布显式地联系起来。     

含磨屑粗糙表面接触滑动摩擦副温度场的计算

接触温度是评价摩擦副工作性能好坏的一个重要因素,对粗糙表面、特别是含磨屑粗糙表面接触温度场求解尚缺乏深入研究。介绍了粗糙表面及含磨屑粗糙表面线接触滑动摩擦副接触温度场的求解过程及方法,分析了光滑表面、粗糙表面及含磨屑粗糙表面接触温度场分布,探讨了表面接触温度对滑动摩擦副胶合及咬死的影响。结果表明：粗糙表面温度场较光滑接触表面温度场有明显的提高,在粗糙度影响系数的０．１、０．５时,接触区温度分别增加     

N型GaAs单晶表面复合速度的宽谱光伏测算

提出适用于可见光全波段的光伏测算ＧａＡｓ单晶表面复合速度的新方法．实验结果表明，对于掺Ｓｉ的Ｎ型弱简并ＧａＡｓ单晶（ｎ０＝２．０×１０１７ｃｍ－３），其表面复合速度Ｓｐ＝１．６×１０５ｃｍ·ｓ－１，与有关报道基本一致．     

表面粗糙度的激光在线测量

为了克服现有方法在表面粗糙度测量范围和抗震动等方面的不足,分析了最近发展起来的几种动态表面粗糙度测量方法的优缺点,提出采用被测表面激光反射图的暗区比来实现运动表面粗糙度的实时测量。该方法的测量范围可达３０倍跨度,即可测量的表面粗糙度为０．０５μｍ到１．６μｍ或０．４μｍ到１２．５μｍ。分析了试样的运动速度和初试平均光强对暗区比的影响,该方法的测量结果与Ｔｅｌｙｅｒ－ｓｏｆｔ表面形貌测量仪的测量结果很吻合。     

用苯芴酮和非离子型表面活性剂分光光度法测定锗

本文研究了在非离子型表面活性剂ＴｒｉｔｏｎＸ—１００（或称ＯＰ）存在下，苯芴酮和锗的胶束增溶光度法的显色条件、干扰离子的影响及其消除方法。结果表明显色体系的最佳条件为：１－３Ｎ硫酸；５—８　×１０－５Ｍ苯芴酮；５－１０％乙醇；０．３－０．６％的ＯＰ；络合物在５０８ｎｍ处呈最大吸收。表观克分子吸光系数为１．３　×１０５；　遵守比尔定律范围为０．０５—０．３ｐｐｍ的锗　　（１厘米比色池）或１０—７０ｐｐｂ（５厘米比色池）。用等克分子系列法测定了在ＯＰ存在下，锗和苯芴酮的组成比为１：２。大量外来离子没有干扰，并且扩大了对Ｇｅ通常有严重干扰离子的允许量；尤其是当联用酒石酸、抗坏血酸、氨荒乙酸（ＴＣＡ）、氟化铵及ＥＤＴＡ时，可以允许存在Ｗ（Ⅵ）（２５）、Ｍｏ（Ⅵ）（１００）、Ｓｎ（Ⅳ）（３０）、Ｎｂ（Ｖ）（２５）、Ｓｂ（Ｖ）（５０）、Ｔａ（Ｖ）（１）－（括号内为锗的倍数）。选择性比相应的阳离子型［７，８］或阴离子型［１６］表面活性剂高得多。在掩蔽剂存在下络合物至少稳定二小时以上（２５℃）。初步将本法应用于测定阳极泥中的锗，与萃取法的结果相符合，从而提供了不经分离而直接在水溶液中测定某些样品中微量锗的可能性。     

锗在常温下的线性热膨胀系数

本文用新技术（Ｌｉｕ，１９９３）测得单晶锗在常温下的线性热膨胀系数为α＝（６．１２±０．０３）×１０￣（－６）／℃（１１．２１－２３．２７℃）；这又进一步证验了：在快速简便与准确测定晶体材料热膨胀的实验工作中，新技术的确是比传统技术好。     

铣削加工中刀刃相位差与主轴运动误差对加工表面的影响

为了改善高速进给铣削加工时的表面花纹模式和降低表面粗糙度，采用切削实验和理论解析的方法，探讨了在切削过程中始终存在的刀刃相位差和回转偏心对加工表面的影响，得出如下结论：(1)垂直加工时，表面粗糙度远大于理论值，但不受刀刃相位差和回转偏心的影响；(2)倾斜加工时，刀刃相位差和回转偏心分别影响间歇进给方向和进给方向的表面花纹模式和表面粗糙度．当刀刃相位差和回转偏心约为零时，表面粗糙度接近最小值．如果再采用大的进给量，则加工面花纹以矩形形式整齐均匀排列，并且可以在不增大粗糙度的情况下大幅度提高加工效率；(3)当刀刃相位差和回转偏心大于零时，表面粗糙度有可能成倍增加．     

表面粗糙度对非晶态合金亚稳态小孔形核和生长的影响

用恒电位和动电位极化法研究了表面粗糙度对非晶态ＮｉＣｒＦｅＳｉＢ合金亚稳态小孔形核和生长的影响，粗糙表面显著促进亚稳态小孔的形核，在恒电位下，亚稳小孔的生长电流随时间的平方线性增长为Ｉ－Ｉ０＝ｋ（ｔ－ｔ０）２．生长速度参数ｋ和亚稳态小孔的峰值电流都服从对数正态分布。在粗糙表面上亚稳态小孔的生长速度略高，且分布范围较大。     

利用Monte Carlo算法对薄膜生长过程的计算机模拟

用Monte Carlo方法以Cu为例对薄膜生长过程进行计算机模拟．不仅对原子的吸附、迁移及脱附3种过程采用更为合理的模型，还考虑这些过程发生时对近邻原子的连带效应．在合理选择原子间相互作用势计算方法的基础上．改进了原子迁移激活能的计算方法．计算了表征薄膜生长表面形貌的表面粗糙度和表征薄膜内部晶格完整性的相对密度．结果表明，在一定的原子入射率下，表面粗糙度和相对密度的变化存在一个临界温度．随着衬底温度的升高．表面粗糙度减小，膜的相对密度增大．当达到临界温度时，粗糙度随衬底温度的升高开始增大，而相对密度趋于饱和．临界温度随原子入射率的增大而增大，不同温度下原子入射率对粗糙度的影响不同，在较低温度时粗糙度随入射率的增加而增加，在较高温度时粗糙度随入射率增大而减小．同时发现．随入射率的增大或薄膜厚度的增加，相对密度均逐渐减小。     

单晶α-Al2O3镜面加工工艺研究

通过对单晶α－Al2O3磨削，研磨，抛光工艺中的设备，工具，辅料，清洗，环境等方面的研究，优化了加工工艺，使晶片表面粗糙度降低到0.4nm以下，成品率由94％提高到99．5％，加工成本降低了30％。     

赤霉素还原锗钼酸铵分光光度法测定锗的研究

研究了赤霉素作新还原剂还原锗钼酸铵的显色反应，在０．５０２５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４介质中，赤霉素能将锗钼酸铵还原成锗钼蓝，其最大吸收波长为８０５ｎｍ，摩尔吸光系数为２．４２×１０４Ｌ／ｍｏｌｃｍ，线性范围为０～３０μｇ／２５ｍＬ，显色液色泽十分稳定，可用于锗的分光光度测定。     

聚焦离子束刻蚀多晶TiNi薄膜的表面形貌

报道了TiNi薄膜的聚焦离子束刻蚀特征及刻蚀后的表面形貌．测量结果表明薄膜的表面粗糙度随刻蚀深度呈非线性变化,当刻蚀深度等于0．1μm时,表面粗糙度为最小（5．26nm,刻蚀前为14．88nm）;刻蚀深度小于0．1μm时,表面粗糙度随刻蚀深度的增大而减小;当刻蚀深度大于0．1μm时表面粗糙度随刻蚀深度增大而增大,其原因是刻蚀深度大于0．1μm后表面出现了清晰的周期性条纹结构．此外,表面粗糙度随聚焦离子束流的增大而减小,当离子束流为2．5nA时,表面粗糙度从刻蚀前的14．88nm减小到4．67nm．     

锗/硅量子点形貌随退火温度的变化与电学特性研究

研究了锗(Ge)量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在300℃温度、p-硅(100)基片上沉积了锗量子点薄膜,然后分别在400℃、500℃、600℃温度下退火。应用原子力显微镜(AFM)系统地观察了锗量子点薄膜的二维、三维图像,发现原位生长的锗量子点尺寸起伏大、薄膜表面比较粗糙。退火后,锗量子点分布趋于均匀,并且随退火温度的升高,量子点呈一定的取向排列,表面变得平整。通过电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试,发现锗量子点薄膜具有良好的电学特性。随退火温度的升高,电流、电容显著增大,漏电流减小,说明退火后,锗量子点薄膜晶界和粗糙度减小,使样品的表面、界面特性更好。