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本文从锅炉酸洗的安全要求、清洗回路的设置、清洗前的准备工作、化学清洗步骤和注意事项、清洗过程的监督检测、清洗废液的排放、化学清洗过程中的安全措施、清洗质量检查评定等进行了具体的论述,并列举实例证明其清洗质量得到了保证。 相似文献
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近些年,大气压等离子体射流清洗得到广泛的关注,而实现等离子体射流清洗效果的定量控制也是这些年研究的热点之一.文中在反应动力学理论和阿仑尼乌斯定律的基础上建立了大气压等离子体射流清洗的反应动力学方程,并根据所建立的反应动力学方程确定了等离子体射流清洗装置反应动力学方程中的参数:指前因子和活化能,从而建立了该射流清洗装置的反应动力学方程,并将反应动力学方程所得到的清洗效果理论值与相同参数条件下实验所得到的清洗效果进行了对比,结果表明实验值与理论值吻合的很好,验证了所得到的大气压等离子体射流清洗反应动力学方程的可靠性.大气压等离子体射流清洗反应动力学方程的建立为实现现代化工业生产中清洗效果的定量控制提供理论基础和研究方法. 相似文献
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以清洗面图像的平均灰度值为指标,对清洗效果进行评价,从而达到对容器内壁清洗进行研究和分析的目的;以固定式清洗球作为产生射流的基本元件,通过改变流体的压力、清洗的时间、清洗球的位置等方式来研究清洗效果的影响因素,对容器内壁射流清洗的参数进行优化.实验表明:在某一水平高度上,如果要得到较好的清洗效果,清洗球应置于中心位置;清洗球水平居中,变换其竖直位置,置于容器顶部时的清洗效果最好. 相似文献
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以涂装油缸为实验对象,根据涂装油缸清洗机喷淋清洗筒自身的结构特点,分析油缸在进行涂装之前受污染的主要原因。从清洗机设备的工作原理入手,找出原有设备在清洗油缸工件时因喷淋清洗筒结构设计的不合理,导致对油缸工件表面清洗不彻底、喷淋清洗后无法及时进行干燥等问题。通过改进设计清洗机喷淋清洗筒内外部分的结构、合理优化喷淋清洗筒的相关参数来解决上述存在的问题,使涂装油缸的清洗质量和效率得到显著提高。 相似文献
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超滤装置在处理含油污水时,浓差极化与凝胶层同时存在,凝胶层一旦形成,便大大超过浓差极化的作用.此时单用传统的清洗方法难以恢复膜的透水通量.在油田污水站用管式超滤膜组件对采油污水进行了处理,分析了膜面污染的组成,试验了油—酸—碱、碱—酸—碱、碱洗等清洗方法.针对中型管式超滤膜组件,确定了低压大流量冲洗结合化学清洗的清洗步骤.该法具有清洗操作简单,清洗剂各成分较易得到的优点.实验中所用管式膜组件经用上述方法清洗后,水通量可以得到较大程度甚至完全的恢复. 相似文献
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采用KBQX-30DG单管干冰清洗机进行混凝土干冰清洗试验,结果表明清洗效果好,但试块表面会产生孔隙。基于正交试验,研究了清洗过程中的4个因素(干冰流量、清洗距离、清洗时间及喷射角度)对混凝土表面孔隙的影响。运用极差分析法对数据进行处理,结果表明干冰流量对表面孔隙率增长量影响明显,随着干冰流量的增加,表面孔隙率增长量增加,当干冰流量大于1.54 kg/min时,表面孔隙率增长量剧增;喷射角度对表面孔隙率增长量的影响较明显,喷射角度在55°~60°及85°~90°范围内,对表面孔隙率增长量多于喷射角度在65°~70°及75°~80°范围内;清洗距离与清洗时间对表面孔隙率增长量影响不明显。运用线性回归分析及层次分析法得到各因素的权值,通过权值计算得到的各因素对表面孔隙率增长量影响的主次顺序与极差分析相一致。各因素对表面孔隙率增长量的影响为隧道干冰清洗提供了一定的理论基础。 相似文献
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针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程.CCD的RHEED图像分析表明,在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2min以上表面质量开始变坏.若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10min左右.而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4min,表面质量将开始变坏.如果采用氢氮等离子体清洗,约需20min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20~30min)内都能获得良好的清洗表面. 相似文献
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用放射性同位素示踪法研究清洗剂“811”和“812”对半导体表面沾污杂质的清洗效果表明,用811、812清洗半导体表面沾污的蜡和油脂等有机杂质效果很好,用812清洗半导体表面沾污的铁、金、铬、钠等金属杂质都能得到很好的效果,清洗效率均可大于97%,甚至大于99.9%,在某些条件下比用酸、碱清洗还要高一些.有关工厂在生产中应用811、812作为半导体清洗剂,其半导体器件产品的合格率比用酸、碱和有机溶剂的清洗还有所提高.清洗机理是一个十分重要的问题.为什么清洗效率如此之高呢?我们用多种方法研究了811、812对半导体硅片和锗片表面沾污杂质的清洗机理.结果表明,其清洗效率之所以如此之高,是由于811、812是一种表面活性剂,812既是表面活性剂又是较强 相似文献
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建立了高压陶瓷过滤器反向脉冲清洗的数学模型,得到了反向脉冲清洗的一维非稳态的压力分布解析解,进而得到了反向脉冲过程中的管内动态压力分布曲线,证实了负压区的存在.分析了反吹过程的正压峰值和负压峰值与渗透率、脉冲宽度和喷吹压力之间的关系.分析指出,负压区的存在不仅与反向脉冲系统的结构有关,而且和多孔介质本身的性质有关,这对于优化脉冲清洗系统设计具有一定的意义.结果表明,在保证脉冲反吹效果的前提下,应该选择较小的喷吹压力和脉冲宽度. 相似文献
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建立了激光清洗的物理模型,探讨了激光辐照下基底表面和吸附粒子位置随时间的变化规律,作出粒子运动的相轨道,从相轨道角度对激光净化能量密度阈值进行研究.激光清洗Al基底上的Fe粒子,本文对激光清洗Al基底上的Fe粒子所计算的能量密度阈值比用其它方法得到的结果更与实验值接近. 相似文献
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超声波清洗技术是半导体材料制备的主要清洗方法,极大地提高了半导体材料制备的工作效率和清洗效果。阐述了超声波清洗作用原理。通过调节超声机功率密度、频率,进行晶片去蜡清洗实验,验证、分析了超声清洗过程中超声机功率密度、频率对晶片去蜡清洗的影响。 相似文献
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基于碳分子筛动态吸附机理,建立了分离氧氩的实验装置.实验研究了流程形式、清洗比、吸附时间对碳分子筛分离氧氩过程性能的影响.结果表明,循环过程中增加产品气清洗阶段可以显著提高解吸气的纯度.为了得到质量分数为99.0%以上的氧气,循环过程中清洗比应控制在0.4左右,最佳吸附时间为60 s.以95%氧、5%氩的混合气作为原料气,实验装置的产品气纯度可以达到99.4%,氧气回收率为42%. 相似文献