Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响

利用分子束外延设备(MBE)制备了MgZnO薄膜.X射线衍射谱、紫外-可见透射光谱和X射线能谱表明薄膜具有单一六角相结构,吸收边为340 nm,Zn/Mg组分比为62:38.采用掩膜方法使用离子溅射设备,在MgZnO薄膜上制备了Au电极,并实现了Au-MgZnO-Au结构的紫外探测器.通过改变溅射时间,得到具有不同Au电极厚度的MgZnO紫外探测器.研究结果表明:随着Au电极厚度的增加,导电性先缓慢增加,再迅速增加,最后缓慢增加并趋于饱和;而Au电极的透光率则随厚度的增加呈线性下降.此外,随着Au电极厚度的增加,器件光响应度先逐渐增大,在Au电极厚度为28 nm时达到峰值,之后逐渐减小.     

原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构及方块电阻的影响

采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg_2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400~600℃退火温度下制备出一系列Mg_2Si薄膜样品.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg_2Si薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,利用四探针测试仪测试薄膜样品的方块电阻,讨论了原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响.结果表明,采用原位退火方式成功在钠钙玻璃衬底上制备出单一相的Mg_2Si薄膜,退火温度为550℃时,结晶度最好,连续性和致密性最强,方块电阻最小.这对后续Mg_2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.     

Mn掺杂对热蒸发制备Mg_(2-x)Mn_xSi薄膜结构和电学特性的影响

采用热蒸发镀膜方法制备Mg_(2-x)Mn_xSi(原子比x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08)半导体薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微(AFM)对Mg_(2-xMn_xSi薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,用四探针仪测试样品的电阻率,研究Mn掺杂量对Mg2Si薄膜结构和电阻率的影响.结果表明,在Si(111)衬底上制备Mg_(2-xMn_xSi多晶薄膜,其衍射峰(220)、(200)和(111)随Mn含量的增加逐渐增强.当x=0.02-0.06时,制备的Mg_(2-xMn_xSi薄膜具有较低的平均粗糙度和RMS(Root Mean Square)粗糙度.Mn掺杂降低了Mg2Si薄膜的电阻率,且电阻率随着掺杂量的增加呈现下降趋势.     

硅衬底MgB_2-B-MgB_2超导SNS约瑟夫森结的制备与特性

利用两步原位电子束蒸发技术,在Si(111)衬底上制备了MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森夹心结.夹心硼(B)层厚度从10nm到80nm范围内MgB2-B-MgB2/Si(111)薄膜表现出明显的SNS约瑟夫森结特性,而在5nm和100nm处薄膜分别是整体超导和正常金属特性.在同一温度下,随着硼层厚度的增加,临界结电流减小,对同一厚度下,临界结电流随着温度的增加而减小.同时,实验指出,夹心硼SNS超导MgB2约瑟夫森结的电流-电压(I-V)曲线具有回滞现象,符合SM模型.     

具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池

采用超声喷雾热解法制备了具有高阻抗的本征SnO2透明导电膜,将其运用在CdS层减薄了的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池中,对减薄后的CdS薄膜进行了XRD,AFM图谱分析,并对电池进行了光、暗I-V,光谱响应和C-V测试.结果表明,在高阻膜上沉积的减薄CdS薄膜(111)取向更明显,但易形成微孔.引入高阻层后,能消除CdS微孔形成的微小漏电通道,有效保护p-n结,改善了电池的并联电阻、填充因子和短波响应,使载流子浓度增加,暗饱和电流密度减小,从而电池性能得到改善,电池转换效率增加了14.4%.     

具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池

采用超声喷雾热解法制备了具有高阻抗的本征SnO₂透明导电膜，将其运用在CdS层减薄了的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池中，对减薄后的CdS薄膜进行了XRD,AFM图谱分析，并对电池进行了光、暗I-V，光谱响应和C-V测试.结果表明，在高阻膜上沉积的减薄CdS薄膜(111)取向更明显，但易形成微孔.引入高阻层后，能消除CdS微孔形成的微小漏电通道，有效保护p-n结，改善了电池的并联电阻、填充因子和短波响应，使载流子浓度增加，暗饱和电流密度减小，从而电池性能得到改善，电池转换效率增加了14.4%. 关键词： CdTe电池 过渡层 效率     

Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构及光学性能

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜,研究了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构和光学性能。结果表明,Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.03 nm。薄膜呈现优异的半导体特性,激子吸收峰位于297 nm,禁带宽度约为4.3 eV。薄膜平均粒径约为20 nm。薄膜在深紫外激发下的荧光发射位于368 nm。     

单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究

采用离子束溅射沉积法，在单晶Si基片上制备了不同厚度(1—100nm)的Co纳米薄膜.利用原子力显微镜、X射线光电子能谱(XPS)仪和X射线衍射仪对不同厚度的Co纳米薄膜进行了分析和研究.结果表明：当薄膜厚度为1—10nm时，沉积颗粒形态随薄膜厚度增加将由二维生长的细长胞状过渡到多个颗粒聚集成的球状.当膜厚大于10nm时，小颗粒球聚集成大颗粒球，颗粒球呈现三维生长状态.表面粗糙度随膜厚的增加呈现先增加后减小的趋势，在膜厚为3nm时出现极值.XPS全程宽扫描和窄扫描显示：薄膜表面的元素成分为Co，化学态分别 关键词： 离子束沉积 纳米薄膜 X射线光电子能谱 X射线衍射     

沉积于MgO基片上的La0.7Ca0.3MnO3薄膜的应变弛豫和磁电阻特性

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_0.7Ca_0.3MnO₃(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm. 通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数, 结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况, 用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明, LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长, 在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫, 当薄膜厚度为100nm以上时, 薄膜的微应变接近于完全弛豫, 并表现出与块体材料类似的磁电阻特性, 具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度.     

Si／SiO2多层膜的I-V特性研究

用射频磁控溅射法制备了Si／SiO2多层膜,并对多层膜的FV特性实验结果进行了拟合．分析表明,Si／SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定。单一的电流输运模型不能控制Si／SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主要因素．     

1555nm宽带通滤光膜的设计和优化

针对对空间通信的特殊需求,设计并制备了1 555 nm波段的高透过率、宽带通滤光膜,该滤光膜在高温高湿环境下能够稳定工作。根据薄膜设计理论,选取折射率差大的TiO2和SiO2作为镀膜材料,采用规整膜系进行膜系设计。借助Optilayer软件,采用针形优化和双面镀膜方法,得到优化的非规整膜系。采用直接与间接监控相结合的手段监控薄膜生长,并探讨了薄膜的生长条件。在电子束蒸发离子辅助沉积条件下,制备出中心波长处透过率达到97%,带宽为50 nm的滤光膜。在100℃高温和-30℃低温各保持3 h的条件下,波长漂移仅0.2 nm,具有高的稳定性和可靠性,满足空间通信的使用要求。     

脉冲准分子激光淀积薄膜的实验研究

 利用两种脉宽(30ns，500fs)的KrF准分子激光展开了淀积类金刚石薄膜的实验研究，并且成功地制备了大面积不含氢成分的HF-DLC薄膜，运用时空分辨的等离子体发射光谱诊断系统和离子探针系统研究了等离子体特性对薄膜性能的影响。尝试了利用准分子激光制备非晶硅薄膜，研究了实验参数对非晶硅薄膜制备的影响，并分析了制备具有良好电学和光学性能的非晶硅薄膜的条件。     

新型酞菁的光致发光性质研究

研究了2,3-四-(2-异丙基一5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300 K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200 nm厚)在300 K下光致发光光谱.氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300 K下出现了1 673 nm激基缔合物峰.该峰的出现与分子抗聚集能力的强弱有关,在300 K激基缔合物峰比在177 K下的峰强,从氢酞菁分子结构特点讨论了形成激基缔合物的原因.随着温度的升高,可以观察到荧光发射峰渐渐减弱而激基缔合物峰变强.由于浇铸膜和真空镀膜的酞菁分子聚集态不同导致了斯托克司位移的差异,真空镀膜的发光峰峰值在1 140 nm左右,与酞菁浇铸膜的峰值差别较大.浇铸膜的发光峰的半高宽为300 nm,而真空镀膜发光峰的半高宽为100 nm左右.     

聚合物纳米孔隙增透膜制备工艺的研究

论述了聚合物纳米孔隙增透膜的制备工艺流程,分析了聚合物材料分子量、实验环境温度和湿度、溶剂挥发性等条件对纳米孔隙增透膜的影响。研究表明,聚合物材料分子量的增大、温度的降低、湿度的升高以及采用挥发性弱的溶剂都将导致增透膜孔隙尺寸的增大,孔隙越大其对光的散射损耗就会增大,所以增透膜的透过率就越低。通过大量的试验分析得出一组较理想的工艺参量:使用低分子量的聚合物材料(小于15 kg/mol),环境温度大于25℃、环境相对湿度小于30%,在采用低沸点的溶剂如四氢呋喃等措施下可有效降低增透膜散射损耗。     

金刚石薄膜电致发光现象的研究进展

阐明了金刚石薄膜电致发光研究的重要意义．综述了金刚石薄膜电致发光现象研究的进展情况，指出目前该方面研究中存在的问题，并提出了进一步提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度的可能途径．     

Effects of annealing time on the structure,morphology, and stress of gold–chromium bilayer film

In this work, a 200-nm-thick gold film with a 10-nm-thick chromium layer used as an adhesive layer is fabricated on fused silica by the electron beam evaporation method. The effects of annealing time at 300℃ on the structure, morphology and stress of the film are studied. We find that chromium could diffuse to the surface of the film by formatting a solid solution with gold during annealing. Meanwhile, chromium is oxidized on the surface and diffused downward along the grain grooves in the gold film. The various operant mechanisms that change the residual stresses of gold films for different annealing times are discussed.     

Distribution of boron within the microstructure of a ferritic steel determined using secondary ion mass spectrometry

At low concentrations, boron in ferritic steels can potentially have a significant effect on the mechanical properties. High spatial resolution microanalyses have been undertaken on a normalised C–Mn ferritic steel containing less than 1?wt. ppm boron. Secondary ion mass spectrometry on bulk samples has been used to map the distribution of boron with the overall microstructure. Image analysis has been used to determine the location and concentration of boron within the overall microstructure of the steel. The results are discussed in terms of the microstructure, distribution, detection capability and overall audit of boron.     

界面合金化控制柔性Al/PI薄膜应力的研究

针对航天器用MEMS热控百叶窗存在的柔性薄膜应力问题, 开展界面合金化控制薄膜应力技术研究. 通过给柔性Al/PI薄膜体系添加中间层Sn, 使其合金化, 使晶格产生膨胀畸变, 来引入相反的应力与已经存在的本征压应力相抗衡, 可获得低表观应力的薄膜. 用SEM和EDS剖面分析验证了Sn原子发生了明显的扩散现象, 形成了Al-Sn合金层. 这种方法可作为控制薄膜应力的一种新的技术手段.     

脉冲准分子激光淀积薄膜的实验研究

利用两种脉宽 (30ns,5 0 0fs)的KrF准分子激光展开了淀积类金刚石薄膜的实验研究 ,并且成功地制备了大面积不含氢成分的HF DLC薄膜 ,运用时空分辨的等离子体发射光谱诊断系统和离子探针系统研究了等离子体特性对薄膜性能的影响。尝试了利用准分子激光制备非晶硅薄膜 ,研究了实验参数对非晶硅薄膜制备的影响 ,并分析了制备具有良好电学和光学性能的非晶硅薄膜的条件     

Ordering temperature of L10-type FePt films reduced by CuO addition

Effects of addition of CuO layers in L1₀-type FePt thin films are investigated. The ordering temperature of L1₀-type FePt films can be reduced by CuO addition. The coercivities of 0.78 and 0.82 T are achieved in [Pt(10 Å)/Fe(14 Å)/CuO(2 Å)]₁₀ film annealed at 550 °C for 20 min and [Pt(10 Å)/Fe(15 Å)/CuO(3 Å)]₁₀ film annealed at 600 °C for 20 min, respectively, and these values are compared to the coercivity of 0.8 T in [Pt(10 Å)/Fe(13 Å)]₁₀ film annealed at 650 °C. The thickness of Fe and CuO layers strongly influences the ordering temperature of L1₀-type FePt and the magnetic properties of the films. The addition of CuO not only brings microstructure and surface morphology changes of FePt film, but also lowers the ordering temperature.