用于光电子器件封装的耦合对准技术

在光电子器件封装工艺中，光器件的对准是个关键问题，它直接关系到光电子器件的性能和实用化。本叙述了光电子器件封装中的有源对准技术、无源对准技术、自对准技术和自动化的对准封装技术。     

NIKON NSR步进重复光刻机对准原理及典型故障修复

论述了NIKON NSR步进重复光刻机对准系统工作原理，包括掩模版对准和圆片对准；列出了对准过程中遇到的常见故障，并提出了对应的解决方法，对设备运行过程中出现的对准方面的故障修复有一定的指导作用。     

Nikon光刻机对准系统概述及模型分析

对准系统是光刻机中最精密复杂的部分,掌握对准原理是设计和使用光刻机的关键之一。阐述Nikon步进投影光刻机（Stepper）的对准机制,详细介绍目前应用于Nikon步进光刻机硅片对准的三种对准方式：LSA、FIA、LIA,比较它们的优缺点。并结合数学模型对影响Nikon对准模型信号强度进行分析,为提高对准精度提供了依据,对实际应用有一定的指导作用。     

底面对准曝光中的对准技术研究

主要论述了底面对准光刻机的对准原理、工作台结构以及对准标记的形式和尺寸的选择。     

玻璃基片双面光刻对准工艺流程的研究

介绍了双面光刻对准原理及技术新发展,表明了不变焦对准的技术优势.针对玻璃基片设计了十字加方框的对准图样,经重新调焦,利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现对准,不再采用静态存储的掩模数字图像作为精对准基准,规避了可能由物镜侧移带来的对准误差.最后提供了几种常用的对准标记图样,并为了加工操作的便利引入了辅助搜索线.     

投影光刻中非对称型相位光栅对准信号及对准误差计算模型

在半导体投影光刻机中,对因工艺处理产生的非对称型相位光栅对准标记作了详细分析,提出了关于衍射效率、对准信号及对准误差的计算模型,并着重分析了CMP型对准标记和金属淀积型标记的相应特点。     

光刻对准技术研究进展

回顾了光刻对准技术的发展功能,对各种对准方法的原理和特点进行了分析和评价,介绍了几种典型主流光刻对准系统结构形式,并对光刻对准技术前景进行了描述与展望。     

用于光刻装置的多光栅标记对准系统

提出了一种用于光刻装置的Si片-工件台对准系统。该对准系统采用多光栅对准标记,标记的每个方向有序排列着四个子光栅。对准时,单波长对准光束照射在标记上,各级衍射光以不同的衍射角反射出。通过空间滤波器,零级和高级衍射光被滤除,而±1级衍射光被保留并相干涉成像在参考光栅的表面。两个较大周期子光栅的对准信号用于对准标记的捕获和粗对准,两个较小周期子光栅的对准信号用于获得粗对准基础上的精确对准。由于该对准系统无须采用楔板组,与ATHENA对准技术相比,降低了制造成本,提高了工程的可实现性。     

硅片传输中的预对准方法

本文叙述了硅片自动传输中片子位置精度的预对准方法。并汇集了常见的具有代表性的十几种典型的预对准结构,介绍了其实现的途径和特点。     

双面光刻简易技术

本文介绍用于半导体器件制造的两种简易双面光刻技术:一种是单版式对准,另一种是双版式对准。文中还详述了双版式双面光刻的全套工艺。实验表明,这两种双面对准方法经济实用,单版式双面对准误差<15μ,双版式双面对准误差<3μ,其光刻图形符合工艺要求。     

液晶显示器摩擦取向技术的新发展

摩擦取向技术一直是液晶显示器领域使用最广泛的取向技术和研究热点。介绍了液晶显示器摩擦取向技术在取向工艺、取向理论、取向材料、检测方法等方面的新进展和局限性。     

纳米结构液晶取向膜

介绍了一种新型纳米结构液晶取向膜技术,详述该取向膜的机理和最新进展。该取向膜本身是不均匀的,但不均匀性在亚微米以下,可以为液晶分子提供均匀的取向,并且产生任何在0～90°范围内的预倾角,具有良好的可靠性和可控性。分析了获得这样均匀取向性能的条件,提出3种产生纳米结构液晶取向膜的方法。     

电子束缩小投影曝光机对准模拟软件应用

介绍了用于电子束缩小投影曝光机的标记对准模拟软件及标记图形，模拟出标准对准的背散射信号，并与实际实验信号图形进行了对比。     

等离子体处理过的基板上液晶平行取向的两种模式

我们提出了一种用于液晶盒的新取向工艺,可以得到0或非0的预倾角。这项工艺是用定向的等离子体流倾斜辐照基板。我们用一个阳极层发射器(anodelagerthruster)作为等离子体辐射源,以产生层状的等离子体流。它适合于处理大面积基板,可以处理有机(聚合物)和无机(玻璃,ITO)层。等离子体流辐照可以得到两种类型的液晶取向:(1)最可及(择优)取向轴位于离子束方向和基板法线组成的入射平面上;(2)最可及取向轴垂直于入射面。随着照射总剂量的增加,取向方向可以从类型(1)向类型(2)转变。在第一种取向模式中,可以通过改变工艺参数,如入射角、离子流密度和离子能等来改变预倾角。第二种取向模式的特征是预倾角为0。第一种模式的方位锚泊能系数相对较弱(W=10-3 Erg/cm2),而第二种类型锚泊能很强(W>10-1 Erg/cm2),与摩擦聚合物基板相当。两种模式的取向特征可以用来产生满足所需参数的取向,和构图(pattern)液晶盒基板。这种工艺方法可以克服传统摩擦工艺的某些缺点。     

一种新型液晶垂直取向膜

采用离子沉积法在玻璃基板表面制备了十四烷基磺酸盐自组装膜,用带有该自组装膜的基板制成的液晶器件呈现出垂直取向效果。通过自组装反应过程分析,认为自组装膜表面的纵向沟纹引起了液晶的垂直排列。实验发现,当自组装膜烷烃碳链长度大于11个C原子就可获得垂直取向。这种取向膜制作过程简单、热稳定性好,非常有望应用于多畴垂直取向模式的液晶显示器。     

改进的三维人脸稠密对齐方法

针对ICP、NICP、流光法用于对齐三维人脸,建立形变模型,存在人脸对齐精度和准确性上的局限性问题。在标准形变算法的基础上,改进了局部匹配点搜索策略和形变能量函数,增加匹配点的准确性。并根据非刚性形变算法的思想,提出三维人脸迭代稠密对齐方法。在BJUT－3DFace Data人脸数据上实验证明,文中算法提高了人脸对齐的精度和准确性。     

用整体最优准则实现ISAR成像的包络对齐

ISAR成像中的包络对齐通常是基于距离像之间的相关性.本文从目标的散射点模型出发,首先通过分析和实验研究表明,近角度(转角变化小于0.1°)距离像之间具有强相关性,但随着转角的增大,由于交叉项的影响,相关性急剧下降,这也表明用相邻相关法作包络对齐,会产生漂移误差;之后,提出了通过在成像所需的距离像中散布选取十多次距离像作平均,抑制交叉项,就能得到稳定平均距离像,它和所有距离像具有强的相关性,把它作为相关模板进行对齐,能改善对齐效果 ;最后,提出整体最优准则包络对齐的迭代算法,实测数据也表明它比已有的方法要好.