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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
孙娟  唐祯安 《电子器件》2011,34(6):690-694
以20 kHz/10 kW中频电源为设计对象,设计了采用三相不控整流和串联谐振逆变器的IGBT淬火感应电源.给出了其功率主电路器件的具体参数并通过Simulink仿真为实验装置提供了依据;根据IGBT的驱动要求,选择驱动器SKHI 22A详细研究了IGBT的驱动电路及其外围电路的设计;锁相控制电路由CD4046和DSP...  相似文献   

2.
中频电源已广泛应用于工业加热领域。本文结合实际讨论了一种新型IGBT感应加热电源主电路结构及工作原理,该电源采用成熟的变频技术,由全控型器件构成串联谐振式逆变电路,解决了工频加热效果差和浪费电能等问题,具有功率调节范围宽、频率变化小的优点,适用于中小功率系统。  相似文献   

3.
目前高频感应加热电源的输出功率调整主要是通过改变逆变器的输出频率或改变逆变器的输入直流电压方式来实现的,这种方法开关损耗大.该设计采用CPLD实现一种脉冲均匀密度的功率调节式100 kHz串联谐振逆变电源,在逆变桥进行功率调节,弥补了这一缺点.以往脉冲密度调节方式的实现主要通过计数器等模拟电路实现,该设计采用CPLD实现,具有控制电路简单,可靠性高等优点.在此介绍了脉冲均匀调制的原理及其CPLD的设计实现,给出了CPLD程序模块图以及仿真波形和试验结果,证明了本设计的可行性.  相似文献   

4.
廖平  樊光锋 《压电与声光》2016,38(2):312-315
为满足压电陶瓷对驱动电源连续可调和快速响应的要求,同时改善传统驱动电源效率低、输出波纹大等缺点,该文采用一种直流逆变原理和电压控制驱动方案,并进行了理论分析和实际的电路实验。结合主功率电路和控制电路,采用交流直流变换、功率转换、整流滤波输出直流电压,结合脉宽调制控制芯片,经采样反馈调节高频逆变器的占空比,从而调节输出电压的大小,采用半桥驱动方式实现负载的驱动。当驱动等效负载电容为6.4μF的压电陶瓷时,在0~1kHz频率范围内实现输出电压0~200V连续可调,波纹电压小于10mV,上升沿的时间只有75μs,能满足点胶机的工作要求。  相似文献   

5.
针对高频感应加热电源负载参数随时间变化引起固有谐振频率变化,从而导致逆变器偏离最佳工作点,效率降低的现象,提出并实现了一种以集成高速锁相环CD4046为核心,在一台50kW的基于DSP的高频感应加热电源实验样机的基础上,对电源的输出频率进行实时控制,实现逆变器工作频率对负载谐振频率的同步跟踪,并对相关参数和外围电路进行...  相似文献   

6.
IGBT的NPT和PT工艺技术比较 IGBT(绝缘栅双极晶体管)的应用主要是在功率变换方面,其范围从电机、机器人、工业驱动及风机泵类所用的小型逆变器到城市运输牵引系统巾的单轮驱动,以及其它如感应加热,开关电源、不间断电源和电动汽车等领域。 总的来说,IGBT是由电流垂直流动的MOS元胞加上能够提供少子注入的P型层组成。在上述应用中,IGBT可使MOS型功率晶体管在开关  相似文献   

7.
串联谐振逆变器死区位置不同时的浪涌电压电流分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
以高频串联感应加热电源为研究对象,分别在负载呈感性和容性两种状态下,分析了感应加热电源的谐振槽路和拓扑结构,就串连谐振逆变器的换流过程从理论上进行了深入地研究;根据逆变器运行性能与死区时间存在紧密联系的特点,论述了两种情况下死区对浪涌电压电流的影响;在分析对比两种状态下的换流过程的基础上,提出了一种计算最佳死区的方法,并以IRFP460作为逆变开关器件,根据最佳死区的理论,用PSpice进行仿真验证,得出了和理论分析一致的仿真波形。  相似文献   

8.
我们已试制出一种感应加热用的电流馈电高频逆变器,在98%的高效率下其输出功率很大。这种逆变器电路是单相全桥式逆变器,侵用了四个额定值为300A、1200V的SI晶闸管。由于所使用的晶闸管没有反向阴断特性,所以使用串联二极管和小功率反向并联二极管制出了桥接电路。在控制系统中,变换器部分控制输出功率,而逆变器部分控制工作相位。在整个工作相位控制期间,在关断状态下,通过域小开关损耗和抑制SI品闸管的浪涌电压,得到了高效无缓冲的转换。  相似文献   

9.
200kHz,75kW SIT逆变器   总被引:1,自引:0,他引:1  
开关损耗是困扰高频大功率逆变器正常运行的关键,本文通过研究感性、容性和阻性负载性质下逆变器中SIT的开关损耗变化特点,在计算机仿真和实验研究基础上,研制成功200kHz75kW SIT谐振逆变感应加热电源。  相似文献   

10.
《今日电子》2013,(3):65-66
阳极短路型IGBT高功率和高频率感应加热(IH)家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能,以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高的效率和系统可靠性。飞兆半导体的高电压场截止阳极短路(Shorted Anode)trench IGBT可针对这些设计挑战为设计人员提供经济实惠且高效的解决方案。  相似文献   

11.
介绍了一种弧流放电用功率直流电源的设计方案和实现,该电源满载输出功率为120kW(400V/300A),调节部分采用传统的Buck电路和高频全桥逆变电路,研究和设计了50kV隔离的高频变压器。IGBT驱动控制芯片采用2SD315A驱动模块,实现了电源短路、过流时高速保护功能。  相似文献   

12.
本文研究设计了一种新型集肤效应加热电源,该系统由控制器、功率转换元件、多传感器温度反馈系统构成。系统采用双PWM分别对整流侧与逆变侧进行控制调节,系统运行时依据温度设定值及其反馈信号做出响应,同时电源控制器能够传输占空比以及频率能够调节的PWM波操控相应的逆变以及整流电路,通常逆变电路会通过多电平H桥的方式提高输出电压并实现多路大功率输出。该设计方案经Simulink仿真分析,具有灵活可靠的调节性能,可有效提高电源的输出功率及加热效率。  相似文献   

13.
李帆 《电子科技》2013,26(5):149-150,153
为给被测试的光伏逆变器提供一个测试其最大功率点性能的环境,设计了一种光伏模拟电源。其主要由整流滤波电路和DC/DC电源组成。整流滤波电路将交流电变成直流,开关电源部分完成降压功能,通过将输出电压采样送入误差比较器中与控制器RAM中的电压进行比较,来控制输出电流和电压,使其工作在对应的I-V曲线上。文中设计的光伏模拟电源可人为地输入温度和日照来模拟太阳能光伏曲线。  相似文献   

14.
林仙根 《移动信息》2023,45(1):240-242
文中基于碳化硅功率器件应用的优势展开分析,讨论了碳化硅功率器件的高频感应焊机设计要点,包括逆变器原理分析、功率单元设计、电源控制系统设计、驱动及减速装置设计、模糊 PID 控制设计等,同时借助实验的方式验证了高频感应焊机设计方案的可行性,积累了相应的设计经验,以期为高频感应焊机的后续开发与设计提供参考。  相似文献   

15.
夏小荣  陈辉明  蒋大鹏   《电子器件》2006,29(1):142-144
对于感应加热电源来说,在高频时对逆变器开关管损耗的控制比低频时更为严格,对其上升沿、下降沿的时间也要有更精确的控制,一个好的驱动电路可以很好的减小开关管的开关损耗。文中介绍了一种电流型高频感应加热电源用MOSHFET驱动电路,它结合IXDD414CI芯片进行设计,结构十分简单,工作频率高,时延很小,可靠性好。给出了驱动电路应用于200kHz/50kW电流型逆变器的实验结果,证明这个驱动电路运行状况良好,实用性强。  相似文献   

16.
马良  胡聪权 《信息技术》2014,(4):114-117
针对现阶段感应加热领域逐渐数字化的趋势,将DSP芯片应用在感应加热电源的逆变器控制上,以达成频率跟踪与定角控制,从而实现智能控制,使得逆变器的控制与调整更加简单可行。分析了感应加热电源装置的发展趋势及其电源中逆变器的控制要求,设计了基于DSP的并联谐振式感应加热电源中的逆变器的控制主电路,成功实现了频率跟踪和定角控制。  相似文献   

17.
针对现阶段感应加热领域逐渐数字化的趋势,将DSP芯片应用在感应加热电源的逆变器控制上,以达成频率跟踪与定角控制,从而实现智能控制,使得逆变器的控制与调整更加简单可行。分析了感应加热电源装置的发展趋势及其电源中逆变器的控制要求,设计了基于DSP的并联谐振式感应加热电源中的逆变器的控制主电路,成功实现了频率跟踪和定角控制。  相似文献   

18.
为了实现铜蒸气激光器电源的小型化,采用高压大功率脉冲变压器对储能电容进行开关脉冲充电的电路拓扑,通过建立设计和输出模型,采用铁基超微晶材料,研制了高压大功率脉冲变压器,在14kHz下实现了13kV的充电电压,传输功率超过2.3kW。通过控制IGBT的触发脉宽,可实现输出电压和功率的调节。  相似文献   

19.
基于PWM大功率超声波电源的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文详细介绍了为驱动磁滞伸缩换能器而设计的一种频率、功率可调式大功率超声波电源,该电源采用由IGBT构成的全桥式逆变主电路,实现了逆变降压和输出电压调控。控制电路以脉宽调制电路为核心,通过给定信号和反馈信号电压的比较,获得宽度可变的脉冲信号,调节电源的输出电压,并实现对电源的闭环控制。  相似文献   

20.
最近由于降低了导通和开关损耗,PT IGBT的性能已在200~300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少,总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命,这些PT IGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明,300V的IGBT比功率MOS的成本低,性能更好。  相似文献   

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