广义e－bent函数

本文针对广义ｅ－ｂｅｎｔ函数进行了讨论，证明了此类函数仅包括ｂｅｎｔ函数、常数函数和形如的函数，其中αｉ∈｛０，１｝，ｉ＝０，１，…，ｎ。     

环Zq^n上部分bent函数的谱特征

本文在环Ｚｑ＾ｎ上讨论了部分ｂｅｎｔ函数的谱特征（ｑ＝ｐ１＊ｐ２，ｐ１，ｐ２是素数），得到了Ｚｑ＾ｎ上部分ｂｅｎｔ函数的几个新的刻划，揭示了部分ｂｅｎｔ函数的平衡性、线性结构点及非零谱值点之间的相互关系，并对部分ｂｅｎｔ函数的恒变线性结构点进行了分类，指出了它们之间的相互关系，提出了零因子恒变线性结构点和非零因子恒变线性结构两个新概念。     

1.55μmSi_(1-x)Ge_x/Si光开关与光探测器集成的分析及设计

对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导开关和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光开关，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为３，８．５和２．６μｍ，分支角为５～６°。要实现对１．５５μｍ波长光的开关作用，ｐｎ＋结上所需加的正向偏压值应为０．９７Ｖ；（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５和１７ｎｍＳｉ交替组成厚度为５５０ｎｍ，长度约为１．５～２ｍｍ的超晶格，内量子效率达８０％以上。     

关于本原M序列的一些自相关函数取值

本文讨论了由ｍ序列叠加小项ｘ２…ｘｎ构成的Ｍ序列的自相关性能，获得了ｃ（ｎ＋１）＝－４或０或４，ｃ（τ１）＝－４，ｃ（τ２－１）＝０或４（τ１和τ２意义见定理１）的新结果，同时并给出了ｃ（ｎ＋ｋ）（ｋ≥２）的可能取值范围。     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

二维傅里叶变换及其在红外系统分析中的应用

第二讲空间滤波器的分析３．６被半径为ａ的圆孔径限制的平行幅条函数设平行幅条的周期间隔为ｘ０＝１／ｋ０，则ｐ６（ｘ，ｙ）＝Ｃｉｒｃ（ｒ／ａ）·ｐ４（ｘ）由第一讲中公式（８）得：ｐ６（ｆｘ，ｆｙ）＝ａＪ１（２πａＦ２ｘ＋ｆ２ｙ）ｆ２ｘ＋２ｙ１２δ（ｆｘ...     

As~＋注入Si_（1－x）Ge_x的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快     

类似于bent性质的平衡函数的构造

ｂｅｎｔ函数有较好的密码学性质，但ｂｅｎｔ函数不是平衡函数，从实际应用角度来说，我们有必要构造具有类似于ｂｅｎｔ性质的平衡函数，本文对此做了一些研究。     

超晶格（GeXSi1—x）1／（Si）m（001）的电子能带结构

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在ｘ＝０．０１～０．１范围内随ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在Ｘ＝０．０１～０．１范围内，Ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（０     

关于布尔函数的二次逼近

本文首先利用矩阵形式引入了二阶ｗａｌｓｈ谱的概念并讨论了其性质，其次引入了二次ｂｅｎｔ函数的概念，同时论述了二次ｂｅｎｔ函数的密码学意义。     

n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式，推测多声子无辐射复合起着决定性作用     

α－（Sb_xFe_（1－x））_2O_3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３．ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体．实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３～０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ３＋和Ｓｂ５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实．     

GF（p^α）上钟控序列

本文利用有限域ＧＦ（ｐ＾α）（ｐ＞２为素数，α≥１为正整数）上二次特征η建立了ＧＦ（ｐ＾α）上一类互钟控序列，即ＬＳＲｇ［ｄ０，ｄ１，ｄ２］－互钟控序列。讨论了当用作移位时钟控制的前馈函数ｇ（ｘ１，ｘ２，…ｘｎ）为二次型时，ＬＳＲｇ［ｄ０，ｄ１，ｄ２］－互钟控序列的周期和线性复杂度的特点。     

α—（SbxFe1—x）2O3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３。ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体。实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３￣０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在ＳｂＦｅ＾ｘ→ＳｂＦｅ＾－＋２ｅ缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ＾３＋和Ｓｂ＾５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实。     

在于样条修匀公式的图像边缘检测

本文给出了一类基于Ｂ样条修匀公式的图像边缘检测算子,其过程是先利用等距Ｂ样条函数对图像／ｆ（ｉ,ｊ）／Ｎ－１ｉ,ｊ＝０做一个全息光滑曲面公式,进一步利用Ｂ样条函数的局部支撑性质导出,该曲面公式可以严重地局于每点的某变邻域内计算,即Ｓ（ｘ,ｙ）＝∑（ｉ,ｊ）∈Ｎｋ,ｌ（ｘ,ｙ）ｆ（ｉ,ｊ）Ωｋ（ｘ－ｉ）Ωｌ（ｙ－ｊ）该曲面既有足够的光滑性,又有良好的保凸性;然后,基于光滑曲面Ｓ（ｘ,ｙ）,再通过求／     

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快，对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样吕，Ａｓdispla     

超晶格（Ge_xSi_（1－x）1／（Si）_m（001）的电子能带结构

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在Ｘ＝０．０１～０．１范围内随Ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在ｘ＝０．０１～０．１范围内，ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）形式的超晶格，而获得准直接能隙结构的材料，以提高其光的发射和检测能力。关键词：     

Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验

设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。     

Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％     

Ti_(80－x)Nd_xSi_(20)纳米复合材料的显微结构特征

Ｔｉ８０－ｘＮｄｘＳｉ２０纳米复合材料的显微结构特征李斗星平德海叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）化学成分为Ｔｉ８０－ｘＮｄｘＳｉ２０（ｘ＝０，０．０５，０．１，０．２，０．４，０．８）合金，用锤砧快冷法制成Ｔｉ...