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《微纳电子技术》1993,(2)
本文介绍了对Si/Si_(1-x)Ge_x异质结双极晶体管(HBT)和硅双极结晶体管(BJT)高频性能进行模拟比较的结果,其结构参数是为获得最高f_T≈f_(max)设计的。模拟研究表明,(1)Si/Si_(1-x)Ge_xHBT具有64GHz的峰值f_T(=f_(max)),它比Si BJT提高了16.4%;(2)发射极充电时间对高频性能有相当大的影响,即使电流密度高达80kAcm~(-2)时也是如此;(3)SiGe基区组分梯度和基区掺杂分布强烈影响着f_T和f_(max)。研究发现高斯梯度分布具有最高的峰值f_T=f_(max),据估计其峰值截止频率比均匀掺杂分布高30%;(4)高频性能对集电极设计的依赖关系表明,要在f_T、f_(max)和BV_(CBO)间进行折衷处理;并且(5)通过降低发射区或基区掺杂浓度,可设计出f_T超过100GHz的Si_(1-x)Ge_xHBT。同样,通过提高基区掺杂浓度和降低非本征电容和电阻,可实现100GHz的f_(max)。 相似文献
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报道了具有最高单位电流增益截止频率(fT)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作,器件的fT值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(Rbi)17kΩ/□,发射极宽0.9um,该器件用SiGe作基底材料,采用多发射极双极工艺制作,其75GHZ的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍,45nm基区中的Ge是缓变的,这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场,因而本征渡越时间仅为1.9ps。 相似文献
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研究了Si/Si1-xGex/Si n-p-n异质结双极晶体管(HBT)的结界面处基区杂质外扩散与标定的未掺杂Si1-xGex隔离层的影响,发现,来自重掺杂基区或非突变界面处少量硼的外扩散会在导带中形成寄生势垒,它严重地影响了HBT中集电极电流的提高,未掺杂界面隔离层能消防这些寄生势垒从而极大地提高了集电极电流。 相似文献
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在Si/SiGe/SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系,成功地制备了fT为2.5CHz、fmax为2.3GHz的射频Si/SiGe/SiHBT,为具有更好的射频性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。 相似文献
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本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管. 相似文献
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IBM微电子公司开发了一种SiGe材料的异质结双极晶体管(HBT),可运行在210GHz频率下。开发的成功表明取得了很大进展,它将扩展Si器件进入40Gbit/s以上的通信市场。IBM采取运行在130MHz的0.18mm的SiGe工艺,使晶体管的频率超过了 200GHz,并降低晶体管基极的垂直厚度。IBM的晶体管截止频率(fT)是210GHz,不但比原来的器件快75%,而且比其它SiGe晶体管快得多。例如日立公司去年公布的0.2mm SiGe HBT的 fT是76GHz。其它材料,如InP,由于具有更高的性能,正被看好运用到高速通信中,但是它们的制造成本更为昂贵。IBM声称它的H… 相似文献
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利用Yih-FenyChyan等的PET大注入模型,并考虑了发射极串联电阻RTE和多晶硅/硅界面氧化层延迟时间τox对器件特性的影响,编制了程序。结合实例模拟了在大注入下具有发射区、基区指数掺杂分布的PET的电流增益和频率特性(fT人和fmax)。模拟结果表明,RCA器件(发射区的多晶硅/硅界面氧化层厚度δ=1.4um)的β值高于HF器件(δ=0),但HF器件的fTmax值高于RCA器件。 相似文献
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在传统双极性晶体管(简称BJT)的Gummel曲线中电流增益β都只有一个波峰(简称单峰),然而现在实验室实测数据得到BJT的增益特征曲线出现了两个波峰的现象(简称双峰),针对双峰现象建立器件模型,并分别从器件的结构和基极发射极和集电极的掺杂浓度上进行分析,得到基极的掺杂浓度和掺杂位置影响器件产生双峰现象。 相似文献