长波长1.3μm超辐射发光管的制备

对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。     

电子束蒸镀Y_2O_3-ZrO_2减反射膜用于1.3μm半导体激光器

用ＤＭＰ４５０型电子束镀膜机,制备了Ｙ２Ｏ３ＺｒＯ２膜,并将它用作１．３μｍ半导体激光器的减反射膜．测试结果表明,镀膜后的半导体激光器其外微分子量效率明显提高,线性化也有改善．对于减反程度很高的管子,出现了超辐射现象．本文对这些现象及有关机理进行了讨论．     

1.3μm双涂层高功率超辐射发光二极管

在半导体激光器的输出端面上蒸镀ＳｉＯ／ＳｉＯ２双层减反射涂层，我们制造了１．３μｍ超辐射发光二极管，对其输出特性进行了研究，并估算了涂层的剩余反射率，得到了剩余反射率小于１０＾－３的减反射涂层。     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

长波长1．3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备

本实验采用ＩＬ－４００型膜厚速率控制仪和钼舟，对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管，并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。     

长波长1.3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备

本实验采用ＩＬ－４００型膜厚速率控制仪和钼舟，对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管，并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。     

腔内倍频激光二极管泵浦Nd:YVO4红光激光器研究

全固态大功率红光激光器在医疗、彩色显示等方面具有巨大的应用前景．目前红光激光二极管（ＬＤ）的功率虽有较大提高，但是相对于固体激光器来说其亮度小、光束质量差、线宽宽．通过光参量和和频过程，Ｂｏｓｅｎｂｅｒｇ等利用周期性超晶格铌酸锂（ＰＰＬＮ）得到 ２．５ Ｗ红光激光输出，但该系统技术复杂，且ＰＰＬＮ难加工，厚度小，成品率低，目前还难以实用化． 倍频钕郭子的 １．３ μｍ谱线是得到红光的一种有效途径． Ｌｉｎｃｏｌｎ等利用 Ｉ类临界相位匹配 ＬＢＯ在 ＬＤ泵浦 Ｎｄ：ＹＬＦ激光器中得到 ３００ ｍＷ的 ６５９ ｎ…     

光栅调谐外腔半导体激光器特性

用一端面镀制高效减反射膜的激光二极管（实际已变成超辐射发光二极管），作为外腔中的增益介质与衍射光栅一道构造了光栅调谐外腔半导体激光器，并对其特性进行了分析和实验研究，实现了外腔半导体激光器的宽带调谐单模输出，调谐范围宽达４０ｎｍ，测定了阈值电流和调谐波长的关系。     

He－Ne激光对玉米幼苗活性氧代谢的影响

用功率密度为２．８ｍＷ／ｍｍ２，３．８ｍＷ／ｍｍ２及５．４ｍＷ／ｍｍ２的Ｈｅ－Ｎｅ激光辐射干种子，辐射时间均分别为５，５０和５００ｓ。发现经激光辐射干种子的玉米幼苗中，过氧化物酶（ＰＯＤ）和过氧化氢酶（ＣＡＴ）活性均增高，抗坏血酸过氧化物酶（ＡｓＡＰＯＤ）活性下降，谷光甘肽（ＧＳＨ）含量增加。其综合效果是增强了植物体清除活性氧的能力。     

LD泵浦的内腔倍频激光器单频运转的理论研究

给出了激光二极管（ＬＤ）端面泵浦的内腔倍频激光器单频运转时的最大泵浦功率与腔参数和材料参数间的简单函数关系，并对ＬＤ泵浦的ＮｄＹＶＯ４及ＮｄＹＡＧ内腔倍频激光器的单频运转进行了详细的分析。     

半导体激光泵浦固体激光器锁模获得成功

半导体激光泵浦固体激光器锁模获得成功本文报道ＬＤＡ侧面泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ板条激光器声光主动锁模、调Ｑ锁模和预激光调Ｑ锁模的研究结果。泵浦光源准连续输出最大平顶峰值功率约６０Ｑ，Ｎｄ：ＹＡＧ板条几何尺寸为１６．２×２×２ｍｍ３，板条两端平行切成布儒斯特角...     

利用LiNbO_3电光调制器实现宽频带激光输出

利用ＬｉＮｂＯ３电光调制器理论上可以获得宽度达１００ＧＨｚ的宽频带激光输出，并且其输出激光脉冲的宽度和形状都能够由一台电脉冲发生器很方便地进行控制。报道了宽频带激光器的实验结果，利用ＬＤ泵浦的单纵模连续激光器作为光源，可获得峰值功率为４．２ｍＷ，带宽为４２ＧＨｚ的激光脉冲输出。     

弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。     

镀膜法获得的超辐射发光二极管的特性分析

在考虑了反射率与波长有关这一基本事实后，用图示方法对由镀膜法获得的超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的特性进行了分析。结果表明：在判定减反射膜镀得好与不好的时候，最低反射处波长控制的准确性与最低反射率本身的大小都很重要；同时，也可以看到单面镀膜的ＳＬＤ振荡波长与增益峰值波长不重合的现象。     

双段式PBC型1.3μm InGaAsP超辐射发光二极管

本文报导了１．３μｍ超辐射发光二极管的研究成果，室温下，驱动电流为１５０ｍＡ时，单管输出功率可达４．３ｍＷ，光谱半宽为２１ｎｍ。     

1.3μm波长超辐射发光二极管组件

光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验，确定了器件的结构，在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用１４针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括ＳＬＤ、光监视用ＰＩＮ光探测器、热敏电阻和半导体致冷器，可通过外电路对组件实现温控、光控，以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于３００μＷ，最大超过７００μＷ，光谱宽度大于３０ｎｍ。     

渡膜法获得的超辐射发光二极管的特性分析

在考虑了反射率与波长有关这一基本事实后，用图示方法对由镀膜法获得的超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的科特性进行了分析。结果表明：在判定减反射膜镀得好与不好的时间，最低反射处波长控制的准确性与最低反射率本身的大都很重要；同时，也可以香到单面镀膜的ＳＬＤ振荡波长与增益峰值波长不重合的现象。     

LD泵浦的946nm Nd:YAG激光器及腔内倍频473nm蓝光输出

本文偷 准三能级系统９４６ｎｍＮＤ：ＹＡＧ固体激光器室温运转的条件及实现方法,并给出腔内倍频获得４７３ｎｍ蓝光发射的方案,用波长８０８．５ｎｍ,功率２Ｗ的半导体激光器泵浦Ｎｄ：＾ＡＧ,采用腔内插入高损耗元件选模的方法,在室温下获得９４６ｎｍ波长连续红外激光输出１８０ｍＷ,斜效率１３５;用ＢＢＯ和ＬＢＯＪ晶体腔内倍频,获得４７３ｎｍ波长连续蓝色激光,输出功率分别１２ｍＷ和５０ｍＷ,斜效率分别为３％及     

非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器分析与实验

本文分析了非对称大光腔结构在提高ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器输出光功率方面的优越性。计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数。在上述分析的基础上，研制了非对称大光腔（Ａ－ＬＯＣ）ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器，其未涂覆输出光功率达８５ｍＷ以上，这一结果与理论计算基本符合。     

LD泵浦Nd：YVO_4激光器的基横模、高重复频率声光调Q

用国产激光二极管，实现了连续泵浦Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器声光调Ｑ．以及单纵模预激光调Ｑ输出。在较小的泵浦功率下．得到了２．４％的光－光转换效率，斜效率为１２．５％，脉冲宽度为６０ｎｓ，激光为基横模输出．将实验结果与ＬＤ泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器进行了比较．