共查询到20条相似文献,搜索用时 328 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
铬镀层的硬度高,耐磨性好,而且可以在高温下工作,可以广泛地用于需要耐磨的零件和工具、量具、模具,以及修复零件的尺寸.针对硬铬镀层厚度不均匀的问题,通过对电镀铬层电导率、电流密度、槽液温度、槽液循环、电流效率等因素的研究,分析各要素对零件电镀铬层均匀性的影响,指出合理的电流密度为-3000~-6000 A/m2,电镀温度... 相似文献
8.
脉冲电镀及其在合金镀中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了脉冲镀合金时的质量传递和电结晶的行为,介绍了脉冲电镀所得合金镀层在组成、性质、均匀性、整平性和镀速等方面的特性,及其在电子、功能性和装饰性电镀等领域中的应用。 相似文献
9.
精密小孔在镀硬铬时,很难获得均匀的镀层,直接影响产品的尺寸精度和形位精度。针对这种情况设计了一种电镀夹具,通过夹具进行辅助阳极定位,提高了精密小孔镀硬铬的尺寸精度及形位精度。 相似文献
10.
11.
SiCp/Al复合材料导电性差、膨胀系数低,尤其是不具备钎焊能力。为了满足封装壳体的良好钎焊性能,必须对其表面进行镀金改性处理。文中针对SiC体积分数高达60%以上的SiCp/Al复合材料进行镀金工艺研究,主要目的是解决镀金层与基材之间的结合力难题。通过工艺试验,采用工艺分步实施化学镀镍、热处理、电镀镍、电镀金步骤,得到的镀层表面光滑平整,没有明显的结瘤和夹杂,与基材的结合力强。该工艺作为SiCp/Al可焊性表面处理技术之一,对于其他铝基复合材料表面处理具有重要的参考价值。 相似文献
12.
13.
14.
为研究一种可用于雷达领域的新型冷却技术,本文研究了高电压下共面薄膜电极之间的DC表面放电现象。设计制作了一系列具有不同参数且带有一个阳极针尖以及两个对称布置阴极的样机,通过改变基底表面粗糙度以及不同的结构参数(如凹槽深度、凹槽宽度以及阴极长度等)进行实验测试。结果表明:主要受到基底表面离子迁移率的影响,凹槽深度对于共面薄膜平面电极的表面放电现象影响最大;表面放电的电流稳定性随着深度的增加而增加;而放电起始电压则随着深度的增加而减小;离子与平面基底之间的流体阻力影响相对较小。共面薄膜电极表面放电的研究对于推动电冷却技术在雷达技术领域的应用具有重要意义。 相似文献
15.
设计了针对薄膜太阳能电池柔性不锈钢衬底的电化学机械复合抛光法以满足其对表面粗糙度、光反射率和有害物质扩散的要求。首先,设计并制造了一种用于平面加工的复合阴极刀具,理论分析了它的材料去除机理。然后,结合法拉第原理和黏着摩擦理论分析了电化学腐蚀行为和摩擦力作用行为,解决了电化学腐蚀和机械去除钝化膜的匹配一致性问题。最后,以50mm×50mm×0.3mm规格的304不锈钢为阳极工件,对提出的方法进行了实验验证。结果显示:对衬底加工20min后,其表面粗糙度Ra从124nm降到10nm;表面反射率从加工前的56.8%提高到62.4%;表面金属氧化层的形成(氧化铁和氧化铬),有效阻挡了Fe和Cr离子的扩散。实验显示,提出的方法是处理柔性不锈钢表面的有效方法,成本低、效率高。 相似文献
16.
采用复合铸造的方法制备了碳纳米管(CNTs)增强镁基复合材料;对其力学性能进行了测试,并对显微组织进行了观察和分析。用透射电镜(TEM)和能谱(EDS)方法对CNTs涂覆层的界面结构和成分进行分析,探讨了CNTS对镁基复合材料的增强机理及作用机制。试验结果表明:加入CNTs后,复合材料的抗拉强度比基体最高可提高150%以上,延伸率最高可提高30%以上,平均弹性模量可增加近80%,硬度可升高6HB;采用化学镀镍方法可在CNTs表面获得均匀的涂覆层,改善CNTs与基体的润湿和结合状况,提高CNTs对镁基材料的增强效果。CNTs对镁基材料具有较好的增强效果,能明显细化晶粒组织.促使复合材料的位错密度增加,大幅度提高复合材料的抗拉强度、延伸率、硬度和平均弹性模量。但在本文试验条件下,CNTs的加入量不能太高,否则,因CNTS难以分散而使复合材料的性能大幅下降。 相似文献
17.
研究了碳纤维表面预处理和化学镀铜工艺,采用正交设计方法对碳纤维镀铜工艺进行优化,并对制备的镀铜碳纤维进行SEM和XRD微观表征.在镀铜碳纤维中加入PTFE制备固体润滑复合材料,并进行摩擦磨损实验.实验结果表明:碳纤维表面有C= =O及C-O-C等极性基团,能与铜产生较好的机械结合力;经过解胶、还原等表面处理后,碳纤维表面形成凹槽和微孔,便于化学镀时铜附着在其表面;化学镀后铜与碳纤维结合紧密,碳纤维表面镀层光亮、均匀致密、具有较好的结合力;采用化学镀原料配比CuSO4·5H2O 15 g/L,EDTA 25 g/L,NaOH 16 g/L制得的镀铜碳纤维,其镀铜量居中,加入PTFE所制得的固体润滑材料摩擦因数和磨损量较低,且摩擦因数有下降的趋势. 相似文献
18.
Scanning electron imaging of plan views of boron-doped patterns in silicon is examined, together with the mechanism of formation of the electronic contrast in this kind of structures. Main to-date published results are critically reviewed and new data are presented concerning the secondary, backscattered and total-emission electron contrasts, including their qualitative and quantitative behaviour, particularly in the low energy range achieved with the help of the cathode lens (the scanning low energy electron microscopy mode, SLEEM). Surface analysis of the structure by means of Auger electron spectrometer has been performed, too, both before and after ion beam bombardment. The scanning electron microscope micrographs, acquired after the oxide mask removal in HF, are examined in a variety of detection modes, aiming at identification of the signal component primarily bearing the contrast. The energy dependence of the contrasts is presented as well as its change owing to alteration in the vacuum conditions. The most important findings include an extremely high contrast obtained in the SLEEM mode and even more enhanced under medium vacuum conditions at which the carbonaceous layer of surface contamination plays its role. The observed phenomena are partly explained in the frame of the "flat band" model of a passivated surface. The increased contrast in the SLEEM mode is understood as connected with the above-surface electric field of the cathode lens, generating space charge layers inside the semiconductor. In addition, charge carriers, injected via the primary electron beam, are considered as influencing the contrast vs. energy dependence. 相似文献
19.
阐述了旋转开关式环位置传感器产品的芯轴在电镀过程中出现的问题及解决方法。为了起到良好的导电性和耐磨性,该部件要求在外圆金属表面进行Cu/Ep·Ni1~3Au3~5hd表面处理工艺。在实现这一表面处理过程中出现了很多的问题,电镀的合格率最初不足10%,且由于该部件要求导电环表面高出填料表面0~0.01 mm,给产品的电镀、退镀都造成了困难,废品率极高。通过过程监控,发现影响电镀质量的因素是前处理不到位。对电镀的前处理过程进行分析、改进,使部件生产过程及表面处理的前处理过程得到完善,从而提高镀层的外观与结合力 相似文献
20.
S. G. Pokachalov S. N. Fedotov M. A. Kirsanov N. A. Mikhanchuk 《Instruments and Experimental Techniques》2013,56(2):140-145
The dependence of the charge induced at the anode of a flat grid ionization chamber on the grid shielding inefficiency and the mean free path of electrons before their capture by an electronegative impurity is analyzed. The cases of point ionization and ionization in the form of a track of a charge particle from the source located at the cathode are considered. It is shown by calculation and corroborated by experiment that the contribution of the induction effect to the total energy resolution of chambers with a large grid pitch is substantially suppressed, which helps simplify the grid manufacturing technology. 相似文献