表面波声电光效应耦合波方程

从参量互作用基本方程出发,导出表面波声光效应的耦合波方程,再将电光效应视作微扰,分别考虑晶体压电效应产生的交变电场和外加直流电场的影响,对此方程进行修正,得到表面波声电光效应耦合波方程。通过求解方程,得出衍射效率计算公式。由于表面波声电光器件多了一个信号输入端口,使用起来更加灵活,在实时信号处理中,如相关、卷积、匹配滤波、频谱分析、矩阵光计算等领域具有广阔应用前景。     

电光效应与电光开关

所谓电光效应,就是指某些透明物质在外电场的作用下,其光学性质将发生改变.电光效应有两种,即克尔效应与普克耳效应.在激光技术中,这两种效应都可用于激光器的电光调Q.本文主要介绍这两种电光效应,以及将它们用于电光开关的基本原理.克尔效应与克尔开关所谓克尔效应,就是某些各向同性的透明媒质,在外电场的作用下,可以变为各向异性,表现在当光束在其中通过时,会产生双折射现象.     

铌镁酸铅-钛酸铅透明陶瓷电光效应的温度特性

为了研究铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)透明电光陶瓷在275~325K下的电光效应,观察了不同尺寸铁电畴的形貌,测量了不同铁电畴尺寸陶瓷的电光系数,从铁电性的角度分析了温度对透明陶瓷电光效应的影响机制,并对不同波段电光陶瓷的电光效应进行表征。结果表明:低温时陶瓷的电光系数较大;电光系数随温度升高而减小,但其变化趋势会因波段不同而略有差异,这从微观上解释了陶瓷介电性能的变化是温度改变导致电光性能发生变化的原因。     

一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法——比较法

在正交偏光干涉实验装置中,用DKDP晶体的电光效应补偿其它晶体电光效应所引起的光程变化,测量晶体电光系数相对于DKDP晶体γ63的数值,提出了一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法。     

线性和二次电光效应共同作用下的非相干耦合亮-暗孤子族

为了研究非相干耦合亮-暗孤子族的特性,采用数值模拟的方法,求解孤波耦合方程,在综合考虑线性和二次电光效应的情况下,分析了亮-暗孤子族的稳态解和传播特性.结果表明:当外加电场为正值时,系统所支持的亮-暗孤子族中,各亮孤子分量的强度之和略大于暗孤子分量的强度之和,此时,线性和二次电光效应所导致的非线性是相互增强的.当外加电场为负值时,系统所支持的亮-暗孤子族中,各亮孤子分量的强度之和略小于暗孤子分量的强度之和,此时,线性和二次电光效应所导致的非线性是相互抵消的.此外,亮-暗孤子族中的各个分量均可以稳定传输.     

多维声电光效应耦合波方程理论

按照参量互作用的观点推出多维声电光效应的耦合波方程，并给出多维声电光效应衍射效率计算公式。     

外延PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应

从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应与厚度和外加电场的关系. 结果表明,生长在SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,其线性电光系数和二次电光系数都随薄膜厚度的增加而增大,且在临界厚度附近趋于饱和,对50 nm厚的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,线性电光系数和二次电光系数分别为7.2×10-11 m/V和0.31×10-18 m2/V2,双折射变化随外加电场改变,由线性电光效应引起的双折射变化比二次电光效应引起的双折射变化明显.     

侧链液晶聚硅氧烷的电光特性

液晶的电光效应,尤其是向列型液晶的电光效应,是液晶用于显示和记录的基础。1979年,H.Finkelmann等人发现向列型侧链液晶聚合物具有和小分子向列液晶相似的电光效应,也可能用作显示、记录和贮存材料;只是与小分子液晶相比,其上升响应时间较长,阈值电压较高。     

电光学及其应用(续二) 第三讲 电光器件

1 引言利用电光效应可以制作出多种电光器件,它们在激光,光电子以及一些信息科学技术领域中占有重要地位,其中已得到广泛应用的当数电光调制器和电光偏转器,在这一章里,我们将以电光调制器和电光偏转器为重点讲述电光器件的工作原理以及一些设计上的问题。     

比较法测量晶体的电光系数

我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致.     

固体激光高重复率电光Q开关研究

对光学晶体的电光效应进行了深入地分析,应用谐振腔原理研制出折叠循环腔式高重复率电光开关.在电光晶体上施加小振幅的调制电压,可获得高重复率窄脉冲光信号,调制频率可达到60～100 MHz.这种电光开关可应用于电光Q开关、电光调制器、计数器等.     

新型可调电光偏转器

本文从理论上探讨了利用压电材料的电光效应来实现光束偏转的可能性,提出了电光偏转器的设计思想,指出电光晶体的最佳候选者为钨青铜型铌酸盐材料。     

法布里—珀罗腔电光调制器

本文讨论法布里—珀罗腔电光调制器.简要介绍了电光效应,分析了法布里—珀罗腔的特性,讨论了法布里—珀罗腔电光调制器的原理和特性.     

Bi_4Ge_3O_(12)晶体线性电光效应的稳定性分析

本文介绍了我所用提拉法生长的Bi_4Ge_3O_(12)晶体线性电光效应的稳定性情况,给出了实验结果,并对实验中影响线性电光效应稳定性的一些因素进行了分析.     

LiNbO_3晶体中电畴对光学均匀性和电光效应的影响

电光调制晶体由于其电光效应而在激光技术中有很广泛的应用,为了提高晶体的质量和改善器件的性能,研究电畴对光学均匀性和电光性能的影响是有一定的意义的。 对调制晶体,衡量其光学均匀性的参数是消光比。因此本文首先讨论了动、静态的消光比问题,然后讨论电畴对光学均匀性和一次电光效应的影响。     

调制激光用的DKDP电光晶体

随着最近光电子管的发展,电光效应的应用受到人们的重视,这次堀场制作所在日本首次研制成功了激光调制用的电光晶体(DKDP单晶)。这种DKDP单晶是把KDP晶体中的氢置换成它的同位素氘而成的,它能增强电光效应（最大重氢置换率是 99.7%)。     

光波导结构对其极化电光效应的影响

本文采用热极化技术在掺锗玻璃条形光波导中诱导出非线性光学效应,并通过变化光波导结构改变极化内电场的大小,研究热极化条件对诱导出的电光效应的影响。研究发现在最佳极化时间内,加入薄SiON层的光波导结构经极化后电光效应积累快,相同极化条件下诱导出的电光系数比原有的条形光波导增大约22%,同时极化光波导还存在一个较低的极化阈值电压。实验结果表明加入光波导结构中的薄SiON层可在一定程度上改变极化光波导内的电荷分布,实现强化其内部电场增大光波导内的非线性光学效应或电光效应的目的。     

测量聚合物薄膜电光系数的一种简单方法——干涉法

报道了一种测量聚合物薄膜电光系数的简单方法。这种方法是用石英晶体的逆压电效应补偿聚合物薄膜电光效应引起的光程变化,测量聚合物薄膜电光系数相对于石英晶体压电常数d     

电光晶体乘法器及其应用

基于电光晶体的双横向普克尔斯效应,设计并实现了一种电光晶体乘法器,可以利用电光晶体和光载波实现两个电信号的乘法运算.实验证明这种电光晶体乘法器能够用于产生光调幅波和传感电功率,直流电功率传感实验的非线性误差低于3.3%.     

电光晶体用于快速变焦的设计

在利用晶体的电光效应实现快速变焦时,需要合理地设计电光晶体及电极结构。基于晶体电光效应的基本原理,提出了其设计的基本原则和思路,并通过对一次电光晶体(铌酸锂晶体)和二次电光晶体(钽铌酸钾晶体)内部非均匀电场及其总附加光程的模拟和比较,获得了优化的电光晶体及电极设计结果。在此基础上,开展了电光晶体用于快速变焦设计的性能分析,并讨论了电光晶体长度、外加电压等参数对总附加光程的影响。结果表明:电光晶体的附加光程调制的曲率半径随控制电压增大而减小,在加载电压不变的情况下随晶体厚度的增大而增大。因此,在实际应用中,需要对晶体厚度和加载电压综合进行考虑,以获得最佳的变焦效果。