脉冲镀金层耐磨性能的研究

脉冲电镀做为一种新的电镀工艺,近些年来引起了电镀工作者的极大兴趣。从各个不同的角度进行了多方面的研究,并且发现脉冲电镀比直流电镀可以提高某些镀层的物理性能和改善镀液的电化学性能等优点。特别近几年来人们更多地注意对贵金属脉冲电镀的研究,力图通过脉冲电镀相应的减少直流镀层的厚度,达到节约贵金属的目的,而得到经济效益。近几年我们进行了脉冲镀金的研究,重点放在镀金层耐磨性能的试验上。半年多的时间我们对微氰酸性镀金溶液和无氰碱性镀     

高厚径比盲孔HDI板水平脉冲电镀参数的研究

该文主要通过DOE试验,研究了水平脉冲电镀参数如传送速度,正向电流密度,反向电流密度,正反向脉冲时间及部分参数间的交互作用对高厚径比盲孔的 HDI板电镀均匀性和铜厚的影响,找出高厚径比盲孔 HDI板电镀的最佳电镀工艺参数。同时应用于二阶盲孔HDI 板的电镀。     

脉冲镀银工艺研究

本实验研究了单脉冲、双脉冲电镀在镀银中的应用，进行了电镀工艺参数的选取．将直流、单脉冲、双脉冲镀银层的防腐蚀性能、均匀性以及深镀能力方面进行了比较。得出了双脉冲优于单脉冲；而单脉冲又优于直流，并获得部分工艺参数。     

集成电路用磷铜阳极及相关问题研究

随着半导体技术的发展,铜互联技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,铜互连采用双大马士革工艺(Dual Damascene)进行电镀。集成电路用磷铜阳极在电镀过程中起着至关重要的作用,本文系统分析了磷铜阳极中磷的含量、铜的纯度、晶粒尺寸和氧含量等对集成电路电镀性能的影响。     

关于印刷电路技术近期发展

本文从五个方面介绍了印制电路技术近期发展。这五个方面是表面技术，电镀工艺、脉冲电镀、测量和再生方法。     

深亚微米集成电路工艺中铜金属互联技术

本文介绍了铜互联技术在深亚微米半导体工艺中的应用,重点介绍了铜金属互联技术中的关键工艺,包括在器件中采用铜金属互联线以降低互联延迟,大马士革（Damascene）结构微细加工工艺,物理汽相淀积（PVD）技术制备铜扩散阻挡层（Barrier）和铜子晶层（Cu-seed）,铜金属层化学电镀技术（Electroplating）,对铜金属互联工艺集成方面的要点也作了一些探讨。     

通孔内镀金工艺研究

针对化合物半导体芯片通孔内镀金层薄导致通孔接地电阻大的问题,优化了喷液电镀台和挂镀电镀台的通孔镀金工艺条件,研究了两者在电镀过程中的镀液流场的差异,分析了两种电镀方式的工艺结果有显著差异的原因。喷液电镀台最佳工艺条件:直流电镀,电流积为15 A·min,电流密度为0.4 A/dm2,镀液体积流量为20 L/min时,对深宽比约为2∶1的通孔样品进行电镀,得到孔内外镀层厚度比接近1∶1的良好电镀效果。实验结果表明:喷液电镀台在晶圆通孔电镀方面有较大优势,可在不增加背面镀金厚度的情况下增加通孔内镀层厚度,不仅解决了芯片通孔内镀金层薄的问题,而且有利于降低成本,是今后通孔电镀工艺发展的方向之一。     

添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响

目前,铜互连技术已成为超大规模集成电路的主流互连技术,铜的填充主要采用Damascene工艺进行电镀。有机添加剂一般包括加速剂、抑制剂和平坦剂,它们在电镀液中含量虽然很少,但对于铜电镀的过程非常关键。以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了每种类型添加剂对脉冲铜镀层性能的影响。     

关于印制电路技术近期发展

本文从五个方面介绍了印制电路技术近期发展。这五个方面是表面技术、电镀工艺（镀铜、化学镀铜、镀锡与镀铅锡、插头镀金）、脉冲电镀、测量和再生方法。     

超大规模集成电路铜互连电镀工艺

介绍了集成电路铜互连双嵌入式工艺和电镀铜的原理;有机添加剂在电镀铜中的重要作用及对添加剂含量的监测技术;脉冲电镀和化学电镀在铜互连技术中的应用;以及铜互连电镀工艺的发展动态.