添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响

目前,铜互连技术已成为超大规模集成电路的主流互连技术,铜的填充主要采用Damascene工艺进行电镀。有机添加剂一般包括加速剂、抑制剂和平坦剂,它们在电镀液中含量虽然很少,但对于铜电镀的过程非常关键。以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了每种类型添加剂对脉冲铜镀层性能的影响。     

PCB微盲孔电镀铜填平影响因素研究

为满足含微盲孔的高密度互连印制电路板高可靠性的要求,提出了微盲孔电镀铜填平的互连工艺技术.通过对微盲孔电镀铜填平工艺影响因素的分析,主要研究了电镀铜添加剂对微盲孔电镀铜填平的影响,运用了正交试验的分析方法,得到了各添加剂的最佳浓度范围,并验证了其可行性,从而使微盲孔获得了很好的填充效果.     

不同浓度添加剂对铜镑层性能的影响

目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂（包括加速剂、抑制剂和平坦剂）虽然含量很少,但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了不同添加剂浓度组合对脉冲铜镀层性能的影响。     

不同浓度添加剂对铜镀层性能的影响

目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂（包括加速剂、抑制剂和平坦剂）虽然含量很少,但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了不同添加剂浓度组合对脉冲铜镀层性能的影响。     

新型HDI盲孔填孔电镀铜技术

高密度互连(High Density Interconnect Board,HDI)印制电路板的盲孔电镀铜技术是其孔金属化实现电气互连的难点和关注重点,为此,在目前传统盲孔电镀铜技术和盲孔脉冲电镀铜技术的基础上,提出一种新型的电镀铜填孔技术,通过填孔工艺特定的镀铜添加剂,在传统盲孔电镀铜的技术上改变表面和盲孔的电流效率满足填孔要求,灵活应用于不同盲孔填充;通过试验和分析,该方法在效果、质量和成品率上均优于脉冲电镀,并可实现不同深宽比盲孔电镀铜要求,大大降低了成本。     

有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响

针对集成电路电镀铜技术,研究了三种有机添加剂(加速剂、抑制剂和平整剂)对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制.采用电化学方法LCV(线性循环伏安法)和CP(计时电势法),分析了不同添加剂浓度下电镀过程的极化情况;用SEM表征了三种添加剂对脉冲电镀铜的镀层结构形貌的影响.研究发现,适当浓度的添加剂组成能显著改善镀层的覆盖度、紧致均匀性和平整性.     

无添加剂的电镀铜技术

本文描述了先进电子互连的电镀铜工艺,以及该工艺在PTH、微孔和高纵横比的PTH电镀上的应用。 1 电镀铜工艺介绍 电子产品不断小型化的发展趋势驱使印制线路板(PWB)工业在设计和生产中应用高密     

添加剂对电镀溶液充填能力的影响

积层多层板结构借助于铜充填实现生产高密度互连结构。通过选择添加剂以达到充填孔的工艺目的。例如在电镀铜槽液中添加SPS（Bis（3-磺酸丙基）disulfidedisodium）为光亮剂、JSB（Janes green B）为整平剂和PEG（聚乙二醇）的聚合物。但是，这些添加刺随着电镀时间消耗或分解充填能力减弱。因此，添加剂的消耗或分解的评价是从电化学分析来观察其充填能力。从电化学解析的结果，快速的确定SPS和通过沿用的评价添加剂的添加的方法，添加剂JGB、PEG是最具有耐久性。     

图解电镀铜填孔机理

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,本文根据过程监控切片图,简述填孔电镀作用机理,分别介绍了CEAC、CDA电镀铜填孔机理和孔壁铜完整性对电镀铜填孔的影响,以期加深广大PCB业者对盲孔电镀铜填孔工艺的了解。     

文献与摘要（104）

挠性印制板电镀铜的改善 当前挠性印制板（FPC）趋于越来越薄,要求可弯折性更高,应考虑更高的互连可靠性。文章针对高密度薄FPC的铜导体连接可靠性提出电镀铜的要求,及改善电镀铜层性能的新工艺。电镀铜层性能考虑有尺寸稳定性、热应力可靠性、与化学沉铜兼容性、镀层均匀性和表面平整性等,改变传统电镀铜工艺可达到新要求。     

低k介质与铜互连集成工艺

阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用。依照工艺流程,介绍了如何具体实现IC制造多层互连工艺:嵌入式工艺、低k介质与平坦化、铜电镀工艺与平坦化;阐述了工艺应用现况与存在的难题,给出了国际上较先进的解决方法。     

集成电路用磷铜阳极及相关问题研究

随着半导体技术的发展,铜互联技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,铜互连采用双大马士革工艺(Dual Damascene)进行电镀。集成电路用磷铜阳极在电镀过程中起着至关重要的作用,本文系统分析了磷铜阳极中磷的含量、铜的纯度、晶粒尺寸和氧含量等对集成电路电镀性能的影响。     

微孔电镀填孔技术在IC载板中的应用

电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制板在高密度互连技术上面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通常树脂、导电胶和电镀铜都可以用来进行填孔,比较其它的方法,电镀填孔技术工艺流程短、可靠性高,该文讨论不同电镀设备、操作条件和添加剂条件对填孔效果的影响。     

国家科技重大专项项目2011ZX02702项目启动仪式暨2011年阶段性工作汇报会于上海举行

近日,国家科技重大专项《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》（简称“02专项”）的《65—45nm芯片铜互连超高纯电镀液及添加剂研发和产业化》（编号2011ZX02702）项目启动仪式暨2011年阶段性工作汇报会于上海举行。     

文献与摘要（155）

复杂PCB制造中使用常规的逐层层压方法与导电胶互连方法的成本比较 印制电路板层间互连孔的导通有通过孔中电镀铜和孔中填充导电膏方法,或两者组合实现,这些不同的方法各有优势。在生产技术保证的条件下,需要寻找降低制造成本目标。本文从作业成本和参数成本两个主要方面,对HDI板微孔电镀铜互连和填充导电膏互连进行加工成本分析比较,结合手机的10层HDI板和28层服务器主板两个案例的分析,说明导电膏互连比电镀铜互连有成本优势。     

一种新的互连技术——B~2it法

本文介绍了一种新的印制板互连技术。该技术是通过导电凸块实现层间互连。与传统的PTH法相比,不要钻孔、化学沉铜和电镀铜等操作。简化了制作工艺。其连接可靠性达到或超过PTH法。适合于高组装密度及MCM—L的制作。     

金属与导电材料

Y2000-62562-182 0103555铜工艺(含5篇论文)=Cu process[会,英]//Proceed-ings of the IEEE 2000 International Interconnect Tech-nology Conference.—182～196(ZC)本部分有关铜工艺的5篇文章讨论了采用 DC 和脉冲反向工艺的电化学淀积 Cu 膜的间隙填充后的薄膜特性与表面剖面,化学汽相淀积铜薄膜淀积,室温电镀铜的显微结构,铜金属化用反应溅射 TaNx 层的扩散阻挡层的评价,以及先进铜互连应用的电镀后现场快速退火工艺。     

用于铜互连技术的前瞻性生产系统——Atotech（安美特）公司的Everplate生产系统

安美特(Atotech)是全球领先的电镀化学品、设备及工艺供应商。为GMF(装饰性及功能性电镀)、PCB(印刷电路板)及Semiconductor(半导体)行业提供性能卓越的产品。本文将介绍安美特专门针对集成电路制造行业中先进的铜互连工艺而研发的Everplate电镀系统。     

填孔电镀盲孔微蚀分界线成因浅析

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,同时也伴随产生一些普通电镀未有之现象,本文主要介绍其中的一种,填孔电镀盲孔切片中孔内分界线的形成原因。     

基于多种添加剂的TSV镀铜工艺研究

穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型,仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方,并实验验证了该配方的准确性。