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相似文献
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1.
磁环抑制GIS中特快速暂态过电压的模拟试验和仿真   总被引:3,自引:6,他引:3  
封闭式组合电器(GIS)中隔离开关操作空载短母线时产生的特快速暂态过电压(VFTO)有可能在GIS及其相连设备引起故障,已有的VFTO抑制方法存在种种不足,文中提出采用磁环抑制GIS中的VFTO。模拟试验证明磁环可以有效抑制VFTO。考虑磁环的饱和、滞回、损耗特性,应用Jiles—Atherton模型对磁环仿真,模拟试验电路的仿真结果和试验结果基本符合,验证了模型的正确性。对磁环磁化过程的分析表明,磁环在动态磁化过程中储存和消耗了行波能量,从而降低了VFTO的幅值、加速了VFTO的哀减、降低了VFTO的陡度。应用这一模型计算了大亚湾电站GIS系统中加入磁环前后的VFTO,结果表明磁环对VFTO有明显抑制作用。  相似文献   

2.
为了研究含气隙的磁环磁饱和特性,首先在封闭磁环上绕制了一个简易互感器,并测量出该磁环的B-H曲线,然后由PSPICE软件仿真实验电路,获得了使得该互感器达到磁饱和的电流,最后采用ANSOFT软件构建自制磁环模型。利用该模型仿真出的磁环内部磁感应强度与实验测量得到的结果相符合,因此可用其分析含气隙的磁环磁饱和特性。分析结果:气隙的存在可以减小磁环磁感应强度,并且气隙的宽度越大减小的磁感应强度越多,但增加较小的励磁电流磁环就会再次饱和;气隙的位置也会影响磁环磁感应强度,当气隙在绕组内部时使得磁环达到磁饱和所需的励磁电流大于气隙在绕组外部所需的励磁电流。  相似文献   

3.
针对铁氧体环应用于复杂电磁环境防护设计问题,研究了脉冲传导电流作用下铁氧体磁环的饱和特性。在伏安法测得磁环的磁化曲线的基础上,采用磁性朗之万函数拟合磁化曲线,分别获得不同脉冲电流脉宽、磁环厚度、截面积、内外径之比以及材料种类等参数下,磁环的饱和电流特性。结果表明:纳秒级脉冲电流的脉宽对磁环的饱和特性几乎没有影响;磁环的截面积与磁环的饱和电流成线性正比关系,而磁环的厚度以及磁环的内外径之比对磁环的饱和特性几乎没有影响;初始磁导率越大的磁环其饱和电流越小,且饱和电流随截面积的增速也越小。  相似文献   

4.
讨论了行波管周期永磁聚焦系统用稀土磁环轴向峰值场调制方法,即磁环不饱和充磁法和饱和充磁后加反向脉冲场法,并从磁环温度稳定性和磁性能参数两个方面比较了这两种方法的优缺点.结果表明磁环饱和充磁后施加反向脉冲场可消除不可逆损失.采用此方法调制的磁环轴向峰值场,磁环温度稳定性好.  相似文献   

5.
采用普通陶瓷工艺制备了Ba(ZnTi)xfE12-2Xo19多晶六角铁氧体。随着x值增大,比饱和磁化强度σ5值减小,居里温度下降,磁晶各向异性场Hα减小,介电常数ε增加。  相似文献   

6.
分析铝镍钴多极磁环性能偏低的原因,从技术工艺入手,探讨提高(小型及径向磁化)多极磁环性能和技术措施。  相似文献   

7.
针对含多换流器配电网灵活多变拓扑结构导致的单端量保护配合难等问题,提出了利用铁氧体磁环构造线路边界的单端暂态量全线速动保护方案。该文首先介绍了铁氧体磁环的特性,在此基础上对磁环的阻抗特性进行了测试,测试结果表明磁环工频和直流下阻抗很小但高频下阻抗较大,所以充当线路边界时具有不影响系统正常运行的优点;提出了磁环的宽频建模方法,具体包括磁环阻抗频变参数的拟合、电路综合方法以及饱和特性的模拟,最后给出了不同尺寸和磁环个数下仿真模型的参数修正方法。实验和仿真结果的对比验证了所建等效模型的有效性,为后续的理论分析和仿真验证奠定了基础。  相似文献   

8.
为了区别于理论比饱和磁化强度,我们将一定磁场下测量的比磁化强度,称为相对比饱和磁化强度。本文较系统地介绍了永磁铁氧体预烧料、多畴磁粉、单畴磁粉、橡塑磁粉,成品磁体等在低场强测试条件下,其相对比饱和磁化强度σ_s′随取向度的变化关系,并从理论上进行了分析。  相似文献   

9.
本文介绍用电子数字计算机计算交流电磁铁分磁环参数的方法。在保证最小吸力的条件下,可使分磁环的功率损耗为最小,其特点是计算快速、准确,在极面饱和与不饱和的情况下均能应用。  相似文献   

10.
谈谈晶振     
晶振是一种常用的电子元件,在电子设备中常用于振荡电路。晶振主要分两类:一类是陶瓷型谐振器,简称陶振;第二类是石英谐振器,二者都是利用压电效应制成的电谐振器件。其符号与等效电路见图1(a),电抗曲线见图1(b)。  相似文献   

11.
平面磁化/垂直磁化双层耦合膜的磁化方向分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
平面磁化/垂直磁化双层磁光薄膜之间交换耦合作用的控制是中心孔探潮型磁超分辨(CAD-MSR)技术的关键.本文根据磁能分布的连续模型,通过一定的数值方法和边界条件解磁能量方程.总结了单层膜磁交换常数、有效各向异性常数和饱和磁化强度对读出层磁化方向的影响规律.计算结果表明,要实现CAD-MSR,平面磁化层的饱和磁化强度必须有随温度升高而下降的趋势,而记录层的饱和磁化强度最好随温度升高而增大.计算结果将对两层耦合膜实验中材料的选取有直接的指导作用.  相似文献   

12.
研究了软磁铁氧体预烧粉料颗粒大小及粉末颗粒大小对样品比饱和磁化强度的影响。结果表明,样品比饱和磁化强度σ_■′将随颗粒尺寸大小而显著地变化,对应于某一颗粒尺寸,将存在一个比饱和磁化强度的最大值。文中根据必要的物理模型对此进行了详细的理论探讨,并作了定量计算。  相似文献   

13.
一、引言在磁性薄膜的研究中,准确地测出其饱和磁化强度M_s是一个急待解决的问题。如采用通常的测量方法(如磁秤法,振动样品磁强计法等),将遇到一定的困难,因为磁性薄膜的密度是很难测准的。用铁磁共振法测量M_s,的最大优点在于它能方便地、准确地直接测出M_s,而无需测量样品的密度。因此,这个方法对测磁性薄膜样品尤有好处。但用一般的铁  相似文献   

14.
衡量Nd-Fe-B磁体高性能化的一个标准是最大磁能积,至今已报道了烧结Nd-Fe-B磁体的最大磁能积(BH)max的最高值为432KJ/m^3(54MGOe),(BH)max为360KJ/m^3(45MGOe)的磁体已实现了工业化生产,采用快淬和热压工艺可获得磁体的最大磁能积为380KJ/m^3(48MGOe),对纳米晶Nd-Fe-B基永磁材料采用快淬工艺,可获得各向同性的磁体,剩磁和饱和磁化强度  相似文献   

15.
智能电网的建设离不开先进的传感和量测技术。相对于传统巨磁阻电流传感器聚磁环有开口的情况,文中提出了一种应用于巨磁阻电流传感器上的密封式聚磁环,包括对密封式聚磁环形状与构造、气隙开口大小与凹凸程度的设计,以及对密封式聚磁环所用的材料进行挑选。利用COMSOL Multiphysics对密封式聚磁环的模型进行仿真,对比分析了密封式聚磁环与传统式聚磁环之间的磁场饱和程度,气隙中心磁场均匀度的大小关系。仿真结果表明,密封式聚磁环的聚磁能力是传统开口式聚磁环的764倍,其结构能够使得巨磁阻传感器拥有更低的磁滞,灵敏度比传统开口结构磁环更好,从而可以为现场实时、精确、可靠的电流进行测量;小电流实验验证了密封式聚磁环在微弱磁场下的聚磁效果显著,0.2 A及其以下电流所产生的磁场经密封式聚磁环聚磁后作用于巨磁阻芯片上,密封后巨磁阻芯片输出的电压是密封前的5倍以上。  相似文献   

16.
提出一种基于磁环抑制的方法对输电线路进行雷击防护。首先采用曲线拟合得到磁环材料的磁化函数,进而基于微元法与电磁场理论计算建立了磁环的磁链计算模型,并利用有限元法(FEM)验证磁链计算模型的合理性;然后,利用磁环的磁链计算模型在ATP/EMTP中建立磁环电磁暂态模型,进而分析了不同磁环材料、磁环截面积、磁环长度及磁环形状对磁环抑制雷击过电压效果的影响。基于典型的110 kV输电线路对所提方法进行仿真。结果表明:磁环磁链计算模型与FEM计算结果最大误差低于5 %,验证了所提方法的合理性;增加磁环的截面积和长度能加强磁环的雷击过电压抑制效果,但在外半径、长度分别取60 mm、6 m后出现了饱和现象。现场试验结果表明,安装磁环后,雷击过电压得到了有效的降低,仿真和试验结果之间的最大误差为5.92%,验证了所提磁环磁链计算模型、电磁暂态模型的正确性以及磁环抑制雷击过电压方法的可行性。  相似文献   

17.
基于平均场理论,提出重稀土-轻稀土-过渡族非晶薄膜温度特性的计算方法,详细讨论了薄膜成分对薄膜磁学和磁光性能的影响。研究表明,用适量的轻稀土元素替代重稀土元素,室温下饱和磁化强度增大,克尔角有所提高,薄膜的补偿点温度下降,恧大里点温度基本保持不变,并且饱和磁化强度和矫顽力随温变化趋向缓慢,从而可以拓宽磁光介质的使用温度范围。  相似文献   

18.
用磁环抑制GIS的VFTO的高电压模拟试验   总被引:8,自引:1,他引:7  
研究了用磁环抑制全封闭组合电器(GIS)的特快速暂态过电压(VFTO).通过高电压模拟试验,观测了铁氧体、非晶磁芯和金属磁粉芯三种材料的磁环,特别观测了磁饱和的影响.试验结果表明,在适当的参数配合下,磁环能够有效抑制特快速暂态过电压的幅值和陡度.  相似文献   

19.
衡量Nd-Fe-B磁体高性能化的一个标准是最大磁能积,至今已报道了烧结Nd-Fe-B磁体的最大磁能积(BH)max的最高值为432KJ/m3(54MGOe),(BH)max为360KJ/m3(45MGOe)的磁体已实现了工业化生产,采用快淬和热压工艺可获得磁体的最大磁能积为380KJ/m3(48MGOe),对纳米晶Nd-Fe-B基永磁材料采用快淬工艺,可获得各向同性的磁体,剩磁和饱和磁化强度之比具有高的比率,这种磁体的磁性能介于永磁铁氧体和稀土烧结磁体的中间位置,各国都在大力开发和研究中。  相似文献   

20.
采用常规的氧化物法制备了用于S波段移相器的低饱和磁化强度锂铁氧体材料.用扫描电镜观察了材料的显微结构.发现随Ti含量的增大和烧结温度的增高,材料的平均晶粒尺寸增大,气孔也增多.同时测量了材料的饱和磁化强度、矩形比、矫顽力、介电常数与介电损耗.结果表明,Ti含量的增大可以降低Li铁氧体的饱和磁化强度,其它性能也满足使用要求.  相似文献   

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