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本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm 相似文献
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本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的GaAs量子阱长波长红外探测器的制备和性能.探测器具有50个GaAs量子阱和Al0.28Ga0.72As势垒,器件制成直径为320μm的台面型式单管.探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大.通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高:探测峰值波长为9.2μm,工作温度为77K时,峰值电压响应率为9.7e5V/W,峰值探测率超过1e11cm·/Hz/W,暗电流小于0.1μA. 相似文献
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128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描红外焦平面的红外成像 总被引:3,自引:1,他引:2
研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×10^6V/W,截止波长为λ=8.6μm,根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db=2.37×10^6cm.Hz/W,并最终获得了清晰的曙物体残留热像图。 相似文献
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GaAs/AlGaAs多量了阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对基基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果;Dλ=1.42×10^11cmHz1/2W^-1=Rλ=2.32×10^6V/W,峰值响应为8.5μm的高性能GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。 相似文献
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用法国进口的GaAsVPE设备,采用AsCl)3/H_2/Ga体系,以SnCl_4l/AsCl_3为掺杂液,生长了2英寸多层GaAs外延材料,自行设计了反应器的热场分布,在反应器中增加了合适的搅拌器,用以改变反应器中气体流动情况。GaAs外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于5%。浓度均匀性的最佳值为3.7%,厚度均匀性的最佳值为1.5%,当外延层载流子浓度为1.9×10 ̄(17)cm ̄(-3)时,室温迁移率达到4390cm ̄2/V·s。 相似文献
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本文报道我们率先研制出的3~5.3μmInxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能.该探测器具有光伏特征,77K温度、±7V外偏压下的500K黑体探测率达到约1.0×1010cm·Hz1/2/W,并且,与1→2子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外(3~5.3μm)波段作适当调谐.运用平面波展开法,依据样品的阱、垒结构参数,计算了InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱1→2子带间跃迁的Sta 相似文献
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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究.已得到77K温度下迁移率为16.2e4cm2/(V·s)的GaAs材料.样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1e13cm-3<n<1e15cm-3)内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会抑制Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度Na/Nd之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率. 相似文献
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研制了具有约瑟夫逊效应的高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜双晶晶界结,按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测,光源是波长为0.6328μm的He-Ne激光器,系统观测了高Tc GdBa2Cu3O7-δ双晶结的光响应特性,最好的结果为:噪声等效功率NEP=4.3×10^-14WHz^-1/2,归一化探测率D^8=1.2×10^10cmHz^1/2W^-1,响应率Rv=3.5×10^7V/W, 相似文献
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卫星用AlGaAs/GaAs太阳能电池 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了GaAs太阳能电池的基本原理,结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了p-AlxGa1-xAs/p-n-GaAs结构的太阳能电池。在AMO,100mW/cm^225℃的测试条件下,开路电压(Voc)为994mV,短路电流密度为23.2mcm^2,填充因子(FF)为0.794,光电转换这18.25. 相似文献
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采用室温下Se^+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量,剂量,注入角度及快速热退火温度,时间,获得了高剂量下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5-6)×10^16-cm^-2,平均载流子迁移率为3010cm^2/v.s,载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层,成功地研制出3000门GaAs超高速门阵列集成电路。 相似文献
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MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:6,自引:4,他引:2
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA 相似文献
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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
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文中报导了用分子束外廷工艺在GaAs(211)B衬底上生长了较高质量的中、长波HgCdTe薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为x=0.330和0.226的两种材料,77K时载流子浓度和迁移率分别为p=6.7×1015cm-3、up=260cm2V-1s-1和4.45×1015cm-3、410cm2V-1s-1。研制了平面型中、长波线列光伏探测器,其典型的探测器D分别为5.0×1010cmHz1/2W-1和2.68×1010cmHz1/2W-1(180°视场下),其中64元线列中波探测器与CMOS电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。 相似文献
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CO2激光制导用光伏碲镉汞四象限探测器组件 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了CO_2激光制导用光伏HgCdTe四象限探测器组件研究的进展情况,采用中HgCdTe体晶材料已制备出直径达2mm的四象限二极管阵列,其平均探测率为1.41×10(10)cmHz(1/2)/W,平均响应率为214V/W。该探测器配有四通道的前置放大器,整个组件具有3.15×10(10)cmHz(1/2)/W的平均探测率和优于±3%的响应均匀性。 相似文献
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高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶晶界结及光探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
在晶界夹角为24°的Zr(Y)O2人工双晶基片上制备高温超导双晶Gd-Ba2Cu3O7-δ薄膜,用光刻技术在晶界上刻出10×10m2的双晶晶界结,它与外电路一起构成光探测器。在80K用He-Ne激光和500K黑体作为辐射源测量了光探测器的响应特性。探测结果:噪声等效功率NEP分别为6.7×10-14和3.8×1014WHz-1/2,归一化探测率分别为1.4×1010和2.6×1010cmHz1/2W-1;响应度分别为1.8×107和3.2×107VW-1。 相似文献
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固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态 总被引:2,自引:0,他引:2
我们将C60膜淀积在p-GaAs〈100〉衬底上,做成了固体C60/p-GaAs异质结并对其电学性质做了研究.异质结的理想因子接近于1,在偏压为±1V时,其整流比大于106倍.在正向偏压固定的情况下,结电流的对数与温度倒数成线性函数关系,从关系中求出异质结有效势垒高度为0.63eV.用深能级瞬态谱(DLTS)技术在C60/p-GaAs界面上观测到一个空穴陷阱,其能级为GaAs价带之上0.45eV,密度为2.4×1011/cm2.这样少的界面态存在于C60/p-GaAs界面上可能意味着C60膜对GaAs表面 相似文献
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本文利用Wenzl的GaAs缺陷模型研究了在T=1150℃时,Ga1-xAsx固溶体化学计量比偏离度(S=1-2x)对GaAs晶体气固相平衡的影响.计算表明平衡As压在晶体富As情况下(即S<0)随S的减小,迅速增加、而在富Ga情况下(即S>0)随S的增大趋于零.为了了解杂质对相平衡的影响,本文考虑了非掺LEC晶体中两种浓度较高的杂质C和B,发现在C浓度为1.54×1016cm-3时,平衡As压的变化趋势基本不变,As压只有少许增加.在B浓度为2.2×1017cm-3时,平衡As压在富As侧有较大降低. 相似文献