共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
以等效氧化层厚度(EOT)同为2.1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质为例,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法,并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命.结果表明,Si3N4/SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命,这说明Si3N4/SiO2叠层栅介质有更高的可靠性. 相似文献
2.
成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2.1nm的Si3N4/SiO2(N/O) stack栅介质,并对其性质进行了研究.结果表明,同样EOT的Si3N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2栅介质比较,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者.在此基础上,采用Si3N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为0.12μm的CMOS器件,器件很好地抑制了短沟道效应.在Vds=Vgs=±1.5V下,nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为584.3μA/μm和-281.3μA/μm,对应Ioff分别是8.3nA/μm和-1.3nA/μm. 相似文献
3.
成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2.1nm的Si3N4/SiO2(N/O) stack栅介质,并对其性质进行了研究.结果表明,同样EOT的Si3N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2栅介质比较,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者.在此基础上,采用Si3N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为0.12μm的CMOS器件,器件很好地抑制了短沟道效应.在Vds=Vgs=±1.5V下,nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为584.3μA/μm和-281.3μA/μm,对应Ioff分别是8.3nA/μm和-1.3nA/μm. 相似文献
4.
利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得3.4nm厚的SiO2栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N+注入后在Si/SiO2中的分布及热退火对该分布的影响;考察了不同注氮剂量对栅氧化速率的影响.对MOS电容样品的I-V特性,恒流应力下的Qbd,SILC及C-V特性进行了测试,分析了不同氧化工艺条件下栅介质的性能.实验结果表明:注氮后的热退火过程会使氮在Si/SiO2界面堆积;硅衬底内注入的氮的剂量越大,对氧化速率的抑制作用越明显;高温栅氧化前进行低温预氧化的注氮样品较不进行该工艺步骤的注氮样品具有更低的低场漏电流和更小的SILC电流密度,但二者恒流应力下的Qbd值及高频C-V特性相近. 相似文献
5.
6.
研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性.实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%.栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N+离子形成了更稳定的键所致. 相似文献
7.
8.
9.
利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得3.4nm厚的SiO2栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N 注入后在Si/SiO2中的分布及热退火对该分布的影响;考察了不同注氮剂量对栅氧化速率的影响.对MOS电容样品的I-V特性,恒流应力下的Qbd,SILC及C-V特性进行了测试,分析了不同氧化工艺条件下栅介质的性能.实验结果表明:注氮后的热退火过程会使氮在Si/SiO2界面堆积;硅衬底内注入的氮的剂量越大,对氧化速率的抑制作用越明显;高温栅氧化前进行低温预氧化的注氮样品较不进行该工艺步骤的注氮样品具有更低的低场漏电流和更小的SILC电流密度,但二者恒流应力下的Qbd值及高频C-V特性相近. 相似文献
10.
离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性 总被引:3,自引:2,他引:1
研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性,实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介均有显下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%,栅介质性能的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N^ 离子形成了更稳定的键所致。 相似文献