深圳市半导体行业协会

深圳市半导体行业协会（英文名称：Shenzhen Semiconductor Industry Association；缩写：SZSIA），是2002年由深圳主要半导体企业发起成立的半导体行业民间团体。会员包括集成电路Fandry厂、设计企业、封装测试和与半导体产业相关的媒体及配套服务等企业。协会第二届理事会于2005年10月成立，有理事成员26名。     

2005/2010年的全球半导体

讨论了2005/2010年的全球半导体市场、半导体工艺、半导体设备和中国半导体产业。同时, 还介绍了ITRS2001、摩尔定律对2005/2010年全球半导体的预测。     

半导体激光器

中国科学院长春光机所吉林省半导体激光工程技术研究中心主要从事半导体激光器的研究、开发及生产。中心的半导体激光产品主要有半导体激光单管、CS封装半导体激光列阵、半导体激光叠阵、半导体激光线阵、光纤耦合半导体激光器模块等。中心的激光产品功率高、寿命长、波长全、样式多,在国内外用户中享有良好的声誉。     

半导体致冷技术概述

本文在简要叙述了温差电三个基本效应之后,回顾了半导体致冷技术的发展概况,然后着重叙述半导体致冷材料和微型半导体致冷器的实验研究所取得的基本结果。     

半导体后段制造自动化

越来越多的半导体厂商开始考虑在半导体后段生产中采用自动化控制，目前还没有开发出非常成功的技术能够满足变化多端的后段工厂。本文介绍了半导体制造自动化的概况，分析了半导体制造自动化的需求，进而提出了一种基于SECS／GEM标准接口的半导体制造全自动化生产线解决方案。所有设备全部都通过使用SECS标准接口连接到单元控制器及更高级别的MES和工厂计划信息系统，系统除了能完成通常的设备监视和控制、数据搜集、配方管理等功能外，还实现了单一元件追踪，具有Stripmap管理，缺陷管理及多芯片管理等功能。半导体厂商通过实施全自动化改善了生产力，同时减少生产周期和场地占用率，并通过最小化人工操作和过程的连贯性带来质量和可靠性的提升．     

2006/2007年全球半导体设备市场

预测了2006/2007年全球半导体市场及半导体设备市场。2006年全球半导体市场增长率为8%～11%,2007年为10%～11%。2006年全球半导体设备市场增长率为18%,2007年为10%以上。2006年中国半导体市场增长率为30%,2007年为31%。2006年中国半导体设备市场增长率为78.11%,2007年为1%。     

感悟美国半导体工业

美国是半导体工业的发源地，其半导体工业的兴衰、产业发展方向的制定都会对中国有不小的借鉴意义。作为国内电子行业知名媒体的记者，今年二月底，笔者深入美国硅谷腹地及著名工业基地之一的波士顿，对美国大型半导体公司Fairchild和ADI进行了专门的采访，同时还拜访了创新型半导体企业ATTI。美国半导体工业的“黄埔军校”：Fairchild提起Fairchild半导体公司，在上世纪五、六十年代半导体工业风起云涌的发展时期无人不晓。如果追根寻源，美国现在许多著名半导体厂商都与Fairchild有着千丝万缕的联系，见图1。因此Fairchild有了美国半…     

半导体放电管

介绍了用于通信保安单元中的新一代过压保护器件——半导体放电管，简述了它的特点、工作原理、结构及应用。     

半导体蓝光激光器

本文详细论述了半导体蓝光激光器的应用前景，国内外研究动态以及量子阱半导体蓝光激光器件的结构与种类等。     

半导体太阳电池

本文介绍两种半导体太阳电池的研制工艺、器件特性及太阳电池的某些应用。     

基于饱和吸收镜的被动锁模光纤激光器

在普通单模光纤环中插入半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为非线性器件,实现了自启动的被动锁模光纤激光器,并产生了亚皮秒量级的稳定锁模激光脉冲。输出锁模脉冲的基频为几兆赫兹。利用基于倍频晶体的二次谐波自相关仪测得锁模脉冲的脉宽为422 fs,最窄时可达377 fs,利用光谱仪测得脉冲谱宽为6.35 nm,脉宽谱宽乘积为0.329,接近于双曲正割脉冲的变换极限。实验中激光器输出脉冲稳定,没有观察到子脉冲和直流分量。在一般的实验室条件下,未采取任何附加措施,激光器可连续稳定工作10 h以上,没有出现失锁现象。该装置结构简单,紧凑,易于调整,工作稳定,可以很方便地实现自启动锁模。     

利用半导体可饱和吸收镜实现的全光纤被动锁模激光器

设计了包含半导体可饱和吸收镜(SESAM)、单包层高掺Yb增益光纤和光纤布拉格光栅(FBG)的全光纤激光器,实现了皮秒级,中心波长约为1064 nm,3 dB线宽约为0.4 nm,重复频率约为17.3 MHz的稳定的连续(CW)被动锁模脉冲输出。观察并分析了输出激光随抽运功率升高和降低的变化过程,升高过程中连续锁模启动时抽运功率阈值为50 mW,降低过程中能够实现稳定锁模的最小抽运功率为37 mW。随着抽运功率的加大,首先出现调Q现象。然后出现连续锁模,并伴有很小幅度的调Q现象。继续加大功率,脉冲会出现分裂;抽运功率越大,单脉冲分裂成的多脉冲越多,多脉冲调制越强。在较少脉冲演变为较多脉冲的过程中,会出现调制的不稳定性。当抽运功率足够大时.会出现多脉冲个数及峰值的不稳定现象。半导体可饱和吸收镜被动锁模会使输出激光谱线加宽,随着抽运功率的加大和锁模的加强,输出激光谱线逐渐加宽。随着脉冲分裂个数增多,单个脉冲脉宽变窄。在多脉冲调制阶段,外界微扰会对系统产生一定影响。     

半导体可饱和吸收镜连续被动锁模端面抽运Nd∶YVO_4激光器

报道了利用国产半导体可饱和吸收镜(SESAM)实现端面抽运Nd∶YVO4激光器连续锁模(CWML)运转的实验结果。在V型腔结构的实验中观察到调Q锁模(QML)波形不稳并有较强的直流成份,通过选择小透过率输出镜和增加腔长,解决了这两个问题。在腔长从0.66m增至1.27m和1.86m过程中,直流分量从52%降到13.6%,0.3%,最终获得了重复频率约80MHz的稳定连续锁模脉冲输出,光谱宽度为0.15nm。在考虑晶体热效应基础上,利用ABCD矩阵方法设计了四镜Z型腔,获得了1W左右的连续锁模输出,重复频率约150MHz。分析和比较了V型腔和Z型腔的优缺点。     

Multirate and Dual-Wavelength Semiconductor Fiber Laser

We demonstrate the successful operation of a multirate and dual-wavelength mode-locked semiconductor fiber laser that incorporates a multichannel nonlinear optical loop mirror (NOLM) functioning as a multichannel all-optical modulator. Each channel of the NOLM incorporates its own length of highly nonlinear fiber and can be driven by independent pump signals. Thus, the single NOLM is capable of processing multiple wavelength channels independently and simultaneously. We obtain mode-locked operation at different frequencies (5 and 10 GHz) for two wavelengths with spacing as narrow as 0.8 nm.      

基于半导体可饱和吸收镜锁模的Yb:NaY(WO4)2飞秒激光器

采用提拉法生长了Yb:NaY(WO4)2晶体,使用透射式半导体可饱和吸收镜(SESAM),实现了激光二极管(LD)抽运的连续波锁模飞秒激光运转。当最大抽运功率为8.6 W时,输出功率为164 mW,中心谱线为1035 nm,锁模脉冲的重复频率为35 MHz。经测量此时锁模脉冲宽度为246 fs。     

Time-Domain Vertical-External-Cavity Semiconductor Laser Simulation

A time-domain simulator for vertical external cavity semiconductor lasers (VECSEL) is described in detail. The core of the model employs a digital filter method to model the optical properties of the active mirror over a wide range of frequencies, temperatures, and carrier densities. The method is also applicable without modifications to the time-domain simulation of semiconductor saturable mirrors (SESAM). As an illustration, ultrashort pulse generation is simulated in two kinds of devices: in a synchronously pumped VECSEL and in a laser passively mode-locked by SESAM.     

基于半导体光放大器交叉增益调制效应的主动锁模光纤激光器

提出一种腔内损耗小的基于半导体光放大器(SOA)交叉增益调制效应(XGM)的主动锁模光纤激光器结构。使用光环行器成功减小了激光器的腔内损耗,提高了激光器的输出功率。从理论上对有理数谐波锁模过程中腔内脉冲复合的物理机制进行了详细分析。利用有理数谐波锁模技术,在调制频率为10 GHz下,得到了重复频率为30 GHz的皮秒级光脉冲序列输出,其峰值功率约0.5 mW。由于半导体光放大器的宽增益谱与滤波器的较大可调谐范围,使得激光器输出可以在较大的波长可调谐范围内保持较大功率输出。成功实现了调制频率为20 GHz的谐波锁模短光脉冲输出,可调谐范围达40 nm,峰值功率大于0.65 mW。半导体光放大器和激光器的短腔长保证了激光器的长期稳定性。     

Fundamental and Subharmonic Hybrid Mode-Locking of a High-Power (220 mW) Monolithic Semiconductor Laser

We report on the generation of stable optical pulses at 1.55- mum wavelength via fundamental and subharmonic hybrid mode-locking of a high-power electrically pumped semiconductor diode laser with a slab-coupled optical waveguide structure. The highest average power measured in mode-locked operation was 220 mW. This is the highest power reported for a hybrid mode-locked monolithic semiconductor laser. We also measure the phase (or timing) noise during fundamental and subharmonic operation and our measurements show good agreement with theory.     

Passively Mode-Locked High-Power (210 mW) Semiconductor Lasers at 1.55-μm Wavelength

We report on the generation of stable passively mode-locked pulses at 1.55-mum wavelength from high-power electrically pumped, large transverse mode semiconductor diode lasers. Optical pulses as short as 5.8 ps were measured directly from the laser. This is the shortest pulsewidth reported (without external compression) from a monolithic mode-locked slab coupled optical waveguide laser. The highest average power measured in mode-locked operation was 212 mW albeit the pulsewidths were larger. It was also found that length of the laser changes the power-current efficiency with the largest recorded efficiency of 165 mW/A.     

半导体自旋电子学的研究与应用进展

自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.