硅功率晶体管的热疲劳及温度循环图

最近几年来,随着军用和民用电子设备对可靠性要求的日益提高,可靠性研究工作的不断深化,功率晶体管的热疲劳正在理论上和实践上越来越为国内所重视.七十年代前后,国外就对此课题进行了不少的研究工作.美国和日本相继将晶体管间歇工作寿命(热疲动)试验列为国家标准.例如美国的MIL-S-19500F标准和日本的JIS-C-7215标准(1980年)均把热疲劳作为耐久性试验的项目,美国的RCA公司的功率晶体管使用手册已提供了温度循环     

功率晶体管稳态工作寿命试验条件研究

介绍了现行标准规定的功率晶体管稳态工作寿命试验条件,讨论了试验条件的选择问题,提出了选择最高结晶ＴＪＭ,最大额定功率Ｐｔｏｔｍａｘ和与Ｐｔｏｔｍａｘ相应的壳温Ｔｃ作为试验条件的观点。     

提高功率管稳态工作寿命试验可信度的技术措施

提出了一种提高功率晶体管稳态工作寿命试验可信度的技术措施，利用这一技术措施，可以在试验过程中实时测量并严格控制晶体管的结 达到最高允许结温，从而提高了试验的可信度。     

基于加速退化晶体管贮存寿命的评估

为探求快速评价国产晶体管长期贮存寿命的方法,对国产3DK105B型晶体管开展了加速退化试验的分析和研究。通过三组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,确定了晶体管的失效敏感参数,利用其性能退化数据外推出样品的寿命;给出了常见的三种分布下的平均寿命,并结合Peck温湿度模型外推出自然贮存条件下本批晶体管的贮存寿命。最后分析了试验样品性能参数退化的原因。试验结果可以为评估国产晶体管的贮存可靠性水平提供一定的参考。     

稳态工作条件下功率晶体管结温的测量与控制

为了在试验周期中了解晶体管的结温,提出一种在功率晶体管稳态工作寿命试验过程中结温的测量与控制方法.着重介绍了基于理想pn结肖克莱方程的结温测量原理,及试验过程中结温测控的技术难点和解决方案,指出了晶体管结温计算中存在的问题和修正办法,实验结果证明了该方法的可行性.     

振荡器的高可靠性研究

1 前言随机抽取了5部x波段GaAsFET高Q介质谐振振荡器进行额定工作寿命试验,连续工作了4年多而无一失效;然后接着进行室温条件下非工作状态贮存寿命试验,历经7年未发现实质性恶变,统计数据证实该振荡器的可靠性是相当高的。本文给出了试验测量结果,并对其可靠性进行了评价分析。2 振荡器简介高Q介质谐振振荡器是产生固定频率的理想振荡器。在1—5GHz频段通常使用双极晶体管做为振荡器的有源器件,而在4—18GHz频段一般使用GaAsFET作为振荡器的有源器件。南京电子器件研究所生产的该     

晶体管的热稳定性及其失效机理研究

在晶体管可靠性研究中,一般采用各种应力等级的加速寿命试验预计其失效速率。同时,人们也很注重现场应用中器件的失效分析。本文主要是讨论晶体管的热稳定性及其与非热稳定性有关的失效机理,在这里不详细说明可靠性试验方法。     

寿命试验可靠性数据

一个器件可靠性的定义是:在设计规定条件下,在规定的时间内,完成其功能的概率。如今对集成电路的可靠性水平要求高,使得在使用应力条件下测定器件的可靠性,花费时间长且费用高,因而实际上难以实现。 能够解决这些矛盾关系的实用方法是采用加速寿命试验,也就是让器件所工作的应力水平,比它们在典型应用中正常经历到的高。 寿命试验一般是在提高温度和最大推荐的工作电压下进行的,目的是加速那些涉及到温度和电应力条件的,与时间有关的失效机理,寿命试验是预测器实际现场应用失效率的主要方法。     

L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验

Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能.以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案.采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3 GHz,Pin=40 W,TW=150 μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算.推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25 ℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106 h.     

塑封器件可靠性快速评估的研究

本文采用ＰＣＴ试验方法ＳＤ１３００５型ＮＰＮ高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验，发现ＢＶｃｅ０是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器个可靠性指标数据处理计算机软件》对试验数据进行统计分析，得知该的失效分布符合威布尔分布，同时评估了不同应力下产品的可靠性寿命特征，外推出１００％相对湿度时，曙下该产品的寿命特征。     

SiGe HBT器件的可靠性技术

介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点,对SiGe异质结双极晶体管的物理机理进行了讨论,进而分析了影响其可靠性的各种可能因素,总结了目前SiGe HBT可靠性加速寿命试验方法,并进行了比较。     

中功率微波砷化镓场效应晶体管可靠性研究

对WC55中功率微波砷化镓场效应晶体管进行的高温固定偏置加速寿命试验研究表明:该器件在70℃环境温度下的MTTF达7.3×10~5小时以上,已接近国外类似器件的可靠性水平;同时还揭示出器件早期失效模式有栅源烧毁、饱和漏电流下降及栅-源击穿电压降低等三种.根据加速寿命试验结果,提出了器件通过室温250小时LTPD为20%的工作寿命试验和500小时LTPD为15%的工作寿命试验的两种最佳筛选条件.室温工作寿命试验结果证明所提出的筛选条件是合理的.     

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。     

焊点试验的相关标准

理想的焊点应该形成一个电气上连续、机械上稳固的可靠联接。因此，必须进行可靠性设计（DFR：Design For Reliability)。使用DFR设计的焊点．在产品的设计运行环境中可以完成整个寿命周期的工作。2002年01月发布的IPC-9701(表面贴装焊点的性能试验方法和技术指标要求)，对焊点的可靠性试验进行了规定。     

S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验

为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。     

电子产品加速寿命试验研究

电子产品的使用者希望在其工作寿命内尽可能少发生甚至不发生故障,这对电子产品的可靠性提出了较高的要求。制造者为了确保电子产品的可靠性,必须针对产品作一系列的可靠性试验,加速寿命试验是可靠性试验中最普遍和重要的项目。本文简要介绍加速寿命试验的各种模型和它们的适用条件,分析各种加速寿命试验的优缺点。基于加速寿命试验的基本原理...     

浅谈对集成电路加速寿命试验的认识

老炼、稳态寿命等加速寿命试验是衡量集成电路使用寿命的主要手段。文中简要介绍了集成电路的主要可靠性指标——FIT,呈现集成电路失效特征的"浴盆曲线",以及不同失效阶段的主要影响因素、失效率与时间相关的统计分布特征。在此基础上,文章对老炼和稳态寿命的试验目的进行了说明,并列出稳态寿命试验的等效试验条件表以及通过该试验的集成电路使用寿命的一些参考数据。     

电子元器件稳态寿命远程试验信息管理系统

稳态寿命试验是保证电子元器件的使用可靠性和评估微电子器件的质量与可靠性水平的重要试验.针对试验的持续时间长.元器件研制单位地域分布广泛以及监督成本高等问题,提出了电子元器件远程稳态寿命试验监测信息管理系统.采用C/S与B/S混合结构来实现电子元器件远程稳态寿命试验数据采集后期的数据处理、存储及发布.通过信息管理系统能够很好的远程实施异地监测的整个试验过程,保证试验结果的准确性及实时性.     

高晶频体管工作寿命实验中抑制振荡的方法

随着半导体器件的发展,许多超高频管先后研制成功,工作频率高达十几到几千兆赫。如何设计晶体管工作寿命试验线路,这是摆在可靠性与稳定性方面必不可少的工作,这里不仅要考虑高稳定度的直流供电问题,还要考虑消除晶体管器件的自激问题。因此,这项工作就不象处理低频管寿命试验线路那样简单了。 晶体管产生高频振荡以后,加在晶体管上不仅有直流功耗,同时还有高频功耗,轻者得不到可靠的数据,无法对器件做出正确判断;重者则烧毁晶体管。 这里我们只介绍如何防止高频管自激振荡。至于静态工作点稳定问题,这里不再陈述。要着重指出的是直流工作点的稳定程度直接影     

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一咱快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法－高温加速寿命试验，利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置VDS＝8V，IDS－375mA，沟道温度Tch=110℃下，10年的失效率λ≈27FIT。其主要失效模式是IDSS退化，激活能E－1．28eV。