16位InSb-SiCCD混合式红外CCD器件

<正> 本文报导16位n沟InSb-SiCCD混合式红外CCD器件,采用的是在P-InSb衬底上液相外延n-InSb层上制作n~+p结准平面型光伏探测器与n沟四相16位表面沟硅CCD多路传输器     

泛林集团Syndion GP满足芯片制造商对先进功率器件的需求

泛林集团发布新产品Syndion GP,为芯片制造商提供深硅刻蚀技术,以开发新一代用于汽车、电力传输和能源行业的功率器件及电源管理集成电路。随着上述领域的技术日趋先进,对芯片更高功率、更优性能和更大容量的需求日益提高,这要求进一步提升更高深宽比结构的跨晶圆均匀性。这些完善通过采用先进的器件结构即可实现,无需牺牲外形因素。为此,器件制造商需要具备极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺。     

基于FPGA的线阵CCD相机控制系统设计

提出了一种基于FPGA的CCD相机采样率控制系统,该系统能改善线阵CCD相机采样的均匀性,使成像质量得到提高。     

CCD驱动方式的比较

CCD作为一种成熟的成像器件,近年来得到了日益广泛的应用。各个厂商分别推出了不同系列不同类型的CCD器件。由于CCD本身结构上的特点,各种不同型号的CCD要求的驱动信号也不尽相同,本文主要分析比较了几种CCD驱动信号的产生方式。     

基于三(8-羟基喹啉)铝的紫外增强薄膜研究

为了提高硅基成像器件的紫外响应,本文通过对Alq3发光机理与光致发光特性的研究,用真空蒸镀的方法制备出了基于Alq3的有机金属薄膜.通过测量Alq3薄膜的透过率、光致发光光谱和激发光谱,发现Alq3薄膜在可见波段有很好的透过性,用紫外光激发会产生较强的绿光(中心波长位于510 nm),且激发光谱宽(250～425 nm).结论表明Alq3薄膜的发射光谱能够与传统硅基成像器件的响应光谱匹配,是一种符合实际要求的紫外增强薄膜.     

基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试

介绍半导体外延片霍尔效应测试的理论和方法,利用霍尔效应测试可以更好地研究半导体材料电学性能,在外延片的研制过程中测试外延层的载流子浓度,利用范德堡法测试电阻率以及载流子迁移率等参数。     

非接触式温度测量系统中固体摄像器件的选择

非接触式温度测量由于不受被测对象的条件限制,具有十分优越的特点。如何选择能符合温度测量要求的固体摄像器件是值得重视的问题。基于辐射理论和CCD器件成像原理,指出了辐射式测温系统中的固体摄像器件必须具备的性能和选择CCD摄像器件时应考虑的主要问题。     

空间光学遥感器CCD焦面组件的设计与分析

随着空间光学遥感器大视场高分辨力技术指标的不断提高,对CCD焦面组件的结构形式和材料选择提出了越来越高的要求.为了满足指标要求,设计了三片CCD机械交错拼接的焦面组件,阐述了该焦面组件的结构形式和材料的选取过程.应用有限元软件对其进行了均匀温升、模态和静力学分析.结果表明,所设计的焦面组件满足了空间光学遥感器的大视场高分辨力的技术要求,同时也能适应空间微重力、振动和温度变化等环境条件.设计和分析过程为三片以上CCD焦面组件的设计和分析提供了参考.     

光伏型外延InSb红外探测器

<正> 用液相外延技术形成p-n结,即在p型InSb衬底上生长一层n~+-InSb层。采用液相外延法制成的p-n结具有晶格完整、杂质分布均匀,结性能稳定等优点,因而适于制造高性能的多元光伏红外探测器。同时因为外延结是n~+p结,所以用它制造的光伏器件可直接与n沟光伏CCD互联。     

50V/40mΩ VDMOSFET单胞尺寸的最佳设计

本文以正方形单胞为例 ,较系统地分析了器件的物理机制、结构及其工作原理 ,并通过大量计算和分析找出多晶硅窗口区尺寸 LW和多晶硅尺寸 LP的最佳设计比例 ,阐述了器件的最佳化设计思想。通过具体给定的参数确定了外延层电阻率及外延层厚度、运用迭代法算出栅氧化物厚度 TOX、P区扩散浓度 NP。然后由最佳 LW和 LP值给出相应的特征导通电阻 Ron。进而给出有效面积和单胞数。     

多摄像头视频采集系统中摄像头切换方案的设计与实现

目前使用的图像传感器主要有CMOS和CCD两类。CMOS器件功耗低、集成度高,但成像质量不如CCD器件好。因此该多摄像头视频采集系统采用了CCD和CMOS两种器件,以满足多种需求。提出了一种基于TI公司TMS320DM365处理芯片、采用CCD和CMOS器件的摄像头软硬件切换设计方案。     

Si基Ge材料在材料生长及探测器研制方面的主要进展探讨

硅基硅锗材料由于与成熟的硅微电子工艺兼容,加上优越的性能,在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应用。III-Ⅴ族半导体材料在1.3~1.55μm具有较大的吸收系数,是理想的吸收区材料;然而,III-Ⅴ族半导体材料价格昂贵、导热性能不好,机械性能较差,并且与现有成熟的硅基工艺兼容性差,限制了其在光电集成技术中的应用。而Si Ge材料与Si基微电子器件的制作工艺相兼容,应变的外延Ge材料吸收波长扩展到了1.6μm以上,因此研究Si基外延纯Ge探测器引起人们极大兴趣。本文综述了硅基硅锗材料在探测器研制及材料制备方面的主要进展情况。     

CMOS外延本征吸杂技术研究

本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMOS器件制作中,成品率提高15％以上,各项性能指标达到设计要求。     

MEMS器件中多层金属薄膜溅射工艺研究

溅射工艺是制作微机电系统(MEMS)器件金属薄膜的主要方式,金属薄膜作为MEMS器件中的掩模层和功能层,要求薄膜应力小,粘附性、均匀性和可焊性好.通过对常用金属薄膜材料特性、多层金属薄膜溅射工艺和质量评价方法的研究得出了优化工艺的的方法,提高了多层金属薄膜的质量.     

基于CCD场输出模式下成像系统设计

采用SONY行间转移型面阵CCD ICX415AL作为传感器件,设计了一种新型的CCD成像系统,成像系统采用CCD信号专用芯片CXA1310AQ进行信号处理.使输出信号满足模拟信号PAL/CCIR标准,可以采用电视机或者配有视频卡的计算机作为显示终端.在介绍CCD ICX415AL的结构和特点的基础上,完成了时序电路和驱动电路的设计,CCD工作模式为场输出模式,可以理解为垂直方向的binning技术,并采用相关双采样(CDS)技术滤除了视频信号中的相关噪声,提高了系统的信噪比,整个系统采用现场可编辑门阵列作为核心器件,通过自上而下的模块设计.完成了CCD驱动时序,数据采集时序控制和视频信号简单处理.     

什么是扫描仪感光器件CCD

感光器件与半导体集成电路相似，一片硅单晶上集成了几千到几万个光电三极管，这些光电三极管分为三列，分别用红绿蓝色的滤色镜罩住，从而实现彩色扫描。光电三极管在受到光线照射时可以产生电流，经放大后输出。数千个光电三极管的距离很近（微米级），根据各三极管之间的绝缘材料的不同，感光器件分为硅氧化物隔离 CCD和半导体隔离 CCD。半导体隔离 CCD：是依靠半导体 PN结来的绝缘，隔离电阻较小，因此，在各光电三极管之间存在着明显的漏电现象，使各感光单元的信号产生相互干扰，降低了扫描仪的实际清晰度。硅氧化物隔离 CCD：…     

基于FPGA的科学级CCD相机时序发生器的设计

简述了科学级CCD相机中CCD成像单元的时序发生器的功能:产生TDI-CCD、视频处理器和图像数据输出所需的各种时钟脉冲信号,在CCD成像单元工作中起着时间上同步协调的作用。该科学级CCD相机采用DALSA公司的IL-E2型TDI-CCD作为传感器,在分析IL-E2型TDI-CCD器件驱动时序关系的基础上,设计了科学级CCD相机时序发生器。选用FPGA作为硬件设计平台,使用VHDL语言对时序发生器进行硬件描述,采用EDA软件对所设计的时序发生器进行仿真,针对XILINX公司的可编程器件XC2VP20-FF1152进行适配。结果表明:系统的集成度、抗干扰能力提高了,实现了科学级CCD相机工作时的可靠性、稳定性,以及低功耗,同时也使设计与调试周期缩短至小时量级。     

一种提高CCD空间分辨力的方法研究

基于多次移位成像的原理,提出了一种提高红外电荷耦合器件(CCD)空间分辨力的方法.在不改变CCD像元尺寸的前提下,使各相邻像元对应的地面目标进行局部多次采样,提高采样频率,达到将CCD空间分辨力提高多倍的目的.仿真试验显示了其良好的性能.     

镀碳纳米管铜岐片微通道冷却器散热性能实验研究

摘要：本文以空气为冷却介质,对镀碳纳米管铜岐片微通道冷却器进行了气冷散热性能实验研究。通过测量微冷却器出入口温度、底面温度与压降,研究了镀碳纳米管铜岐片微冷却器的散热性能。对镀碳纳米管的铜岐片和硅岐片微冷却器,通过实验比较得到,两种材料微冷却器的热阻在低热流密度时,温度变化梯度较大,随着热流密度的提高,热阻变化趋于稳定,并且镀碳纳米管的铜岐片微冷却器散热性优于硅岐片材料微冷却器。     

CMOS-MEMS体硅集成陀螺的系统仿真

体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径,但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求.通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型,实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真.通过系统仿真,陀螺的结构部分、电路部分、集成产生的寄生效应以及工艺误差得到了有效的分析,从而能够了解它们相互之间的影响,更好的指导CMOS-MEMS体硅集成器件的设计.