盛美12英寸单片清洗设备实现商用

盛美半导体12英寸单片清洗设备近日成功进入世界知名芯片制造厂商生产线。盛美半导体12英寸单片兆声波清洗设备用于65nm技术节点以下的12英寸高端硅片清洗,盛美独家具有自主知     

盛美半导体开发出12英寸单片兆声波清洗设备

盛美半导体（上海）有限公司日前展出了12英寸单片兆声波清洗设备，本设备用于65nm技术节点以下的12英寸高端硅片清洗。盛美独家具有自主知识产权技术可使兆声波能量在12英寸硅片上非常均匀地分布（非均匀度的一个均方差小于2％），本技术在不损伤硅片微结构的条件下使颗粒去除效率达到992％。     

盛美半导体开发出300mm单晶圆兆声清洗设备

盛美半导体(上海)有限公司在SEMICON China 2009上展出了12英寸单片兆声波清洗设备Ultra C,用于65nm技术节点以下的12英寸高端硅片清洗。据盛美半导体CEO王晖博士介绍,盛美SAPS兆声技术可使兆声波能量在12英寸硅片上非常均匀地分布(非均匀度的一个均方差小于2%),在不损伤硅片微结构的条件下使颗粒去除效率达到99.2%。     

盛美推出12英寸单片清洗技术用于清洗10nm超微颗粒

盛美半导体（上海）有限公司近日发表了十二英寸单片兆声波清洗设备的最新工艺，本工艺用于45nm技术及以下节点的十二英寸高端硅片清洗。盛美独家具有自主知识产权的清洗技术可以去除数十纳米超微小颗粒，同时使硅片表面的材料损失降到最低，并且不影响硅片表面的平整度。     

盛美半导体清洗设备打入韩国市场

日前,盛美半导体设备(上海)有限公司宣布第一台Ultra C 12英寸单片兆声波清洗设备已经销售给韩国存储器制造巨头,这是本土的半导体设备厂商首次打入国际主流半导体厂商的供应链。Ultra C采用盛美的空间交变相     

国产半导体制造设备获海外订单

盛美半导体设备（上海）有限公司近日宣布第一台Ultra C 12英寸单片兆声波清洗设备已经销售给韩国存储器制造巨头。采用盛美的空间交变相移兆声波技术（SAPS）,Ultra C无需用高浓度的化学药液,而是采用极低浓度的功能水即可实现优越的颗粒去除率（PRE）,并且使材料的流失降到最低。     

国内首台12英寸单晶圆清洗设备亮相工博会

国内首台适用于65纳米技术节点的12英寸单片晶圆清洗设备Ultra C日前在上海工博会首次亮相，从而填补了国内半导体单片晶圆清洗设备制造的空白。这台清洗设备是由落户上海张江高科技园区的盛美半导体设备（上海）有限公司按照国际一流技术水平设计制造的，其系统框架、核心部件和关键工艺均已申请全球专利保护，具有完全自主知识产权。     

盛美半导体设备(上海)有限公司

正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装备及工艺。盛美半导体设备(上海)有限公司自主研发的空间交变相位移兆声波清洗技术解决了单片兆声波清洗能量分布均一性的技术难点,获得了优异的晶圆清洗效果,产品已销往韩国、中国台湾以及国内的主流集成电路制造公司。     

盛美半导体设备(上海)有限公司

正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装备及工艺。盛美半导体设备(上海)有限公司自主研发的空间交变相位移兆声波清洗技术解决了单片兆声波清洗能量分布均一性的技术难点,获得了优异的晶圆清洗效果,产品已销往韩国、中国台湾以及国内的主流集成电路制造公司。     

φ300mm硅片抛光后清洗工艺的挑战--清除深亚微米颗粒的方案

随着半导体制造业的工艺进步,线宽尺寸的不断减小,对表面覆膜硅片清洗的质量要求也变得越来越严格。当前这类清洗涵盖了从硅片表面有效地去除深亚微米颗粒(<100nm)和将金属杂质数量控制在1E+10(原子)个?cm2以下这两项要求。传统的洗刷机(Scrubber)清洗方式及兆声波缸槽式湿法清洗工艺正面临这些新的不断深化的工艺技术要求的挑战。根据最新《国际半导体技术指南(ITRS)》对提高硅片表面加工水平和深亚微米颗粒去除能力要求,论证了能同时实现上述目标的清洗方法。这个方法采用以传统缸槽整批处理式湿法清洗机台和单片兆声波清洗机相结合的方案,整批处理式湿法机台的沉浸技术被应用于包括去有机膜、去原生氧化层和去金属杂质的硅片表面处理。与之相比,单片兆声波清洗通过提供一个均衡的兆声波能场,增强了去除深亚微米颗粒的能力,从而更高质量地完成硅片表面清洗。为了验证这种方法的有效性,对φ300mm再生抛光片进行上述清洗工艺的效果评定。     

300 mm圆片后抛光清洗--满足纳米微粒去除的挑战

随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格。当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm~2。传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战。单片清洗澡机在硅片表面产生更加均匀的声强分布,更有效地去除了纳米微粒。介绍了湿式批量洗洗机和单片清洗澡机的兆声清洗效果。湿式批量浸泡术和兆声能量单片清洗机结合可以有效地去80mm磨料微粒。     

《半导体国际》第四届晶圆清洗技术研讨会圆满闭幕

由《半导体国际》主办的“第四届晶圆清洗研讨会”8月9日在上海圆满闭幕。会议吸引了200多名国内知名晶圆厂经理人和工程师，另外，TFTLCD制造厂的工程师也积极参与了本次研讨会。针对制造工艺中的清洗案例和解决方案，晶圆厂和设备材料供应商的专家及经理人就单晶圆清洗、兆声波清洗、喷淋法、浸泡法等各种清洗技术的应用等话题，与听众进行了热烈的互动。     

国盛电子直面价格竞争

在IC China2007盛美半导体设备（上海）有限公司（ACM）的展台上尽管没有机台展示，但其独有的技术及高端用户的定位，还是吸引了观众的眼球。ACM主要从事IC湿法工艺设备开发，包括用于12英寸及8英寸晶圆铜互连工艺的电化学镀铜和抛光及硅片清洗设备。据了解，ACM的无应力抛光和电化学镀铜技术为一下代铜、超低K介质整合提供了有效的解决方案。     

单片晶圆兆声清洗的仿真模型研究

通过研究单片晶圆兆声清洗过程中兆声头在晶圆表面的运动轨迹和能量积累过程,构建了单晶圆清洗的兆声能量分布和颗粒去除过程的数学模型。通过Mathematica 9.0对模型进行了运算和简化,经过离散化处理后,运用MATLAB对几种硅片转速和兆声臂转速的组合在硅片上的能量分布和颗粒分布进行了模拟仿真。发现简单组合比例下清洗效果与转速比例和清洗轨迹复杂程度密切相关,而固定半径扫描可以使能量分布更均匀,减少局部能量集中对晶圆IC的破坏,并且可以缩短清洗时间。     

干冰微粒喷射清洗技术

简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。     

硅抛光片表面颗粒度控制

硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响;第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响。     

用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究

目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表明 ,它们的去污效果基本相当 .但对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术优于标准 RCA清洗技术 .     

用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究

目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是RCA清洗技术.文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术.并利用X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面.测试结果表明,它们的去污效果基本相当.但对硅片表面的粗糙化影响方面,新型半导体清洗技术优于标准RCA清洗技术.     

大直径硅材料的发展

<正> 现在半导体制造中所用的硅片平均直径(晶体直径)是4英寸。在美国,3英寸硅片仍用于生产,在最近建立的设备中可制造4英寸硅片。5英寸硅片开始用于生产,而6英寸硅片仅在实验上应用。在日本半导体工业中,估计的生产比例是:3英寸小于5％,4英寸为70％～75％,5英寸为20％,6英寸为零。预计两年后大多数是生长5英寸直径的硅,这将显著地提高平均硅片直径。IC生产厂     

绿色二氧化碳超临界清洗设备

半导体IC清洗技术由于水溶液的表面张力大而无法进入硅片上器件的狭缝与电路线条间隙中进行清洗,同时不易干燥,且干燥时会造成二次污染,从而使得整个工艺耗水量大且清洗效果不佳.以超临界流体为媒体的清洗技术是克服以上缺点的最佳途径.提出并研制了一种绿色二氧化碳超临界清洗设备,它利用超流体二氧化碳来进行硅片的清洗和无张力的超临界干燥,而且该设备还可以对微细结构进行无粘连的牺牲层释放.设备的成本低,二氧化碳使用量少,并且可以循环使用,属于绿色无污染的新型半导体清洗设备.