基于单片机的大容量静态存储器接口设计

为解决采集系统中大量数据存储及数据传输问题,对数据采集系统中基于单片机大容量静态存储器的应用进行了刨析。闪速存储器采用Atmel公司的AT29C040,对系统的总体设计思想及闪速存储器的特点做了阐述。给出了基于8位单片机进行4Mb高速存储器扩展的具体接口电路及其驱动程序。该系统具有在掉电情况下保存数据的功能,且具有存储数据容量大,体积小,功耗低,数据保存安全可靠等特点,适合于便携式流动性环境下的数据采集系统。     

闪速存储器AT29C01A原理及应用

本文以AT29C010A为例，介绍了ATMEL29系列大容量闪速存储器的结构、特点、性能及使用方法，结合实际工程应用，详细说明了AT29C010A闪速存储器在工业智能检测仪器中的硬件接口和软件编程注意事项。     

新一代闪存A T29C040在激光打标控制器中的应用

本文介绍了Atmel公司新一代大容量快闪存储器AT29C040的应用,并且以激光打标控制器为例给出了实际应用的硬件电路和源代码.     

新一代闪存AT29C040在激光打标控制器中的应用

本文介绍了Atmel公司新一代大容量快闪存储器AT29C040的应用,并且以激光打标控制器为例给出了实际应用的硬件电路和源代码。     

精品展台

微芯片与存储器4M位串行EEPROMAtmel公司推出两款可编程4 兆位3.3V串行配置的EEPROM AT17LV040和AT17LV040A。AT17LV040可存储Atmel FPSLIC可编程SoC系列和高密度Xilinx Virtex或Spartan FPGA的所有配置信息。AT17LV040支持Altera的Apex 20KC FPGA。它们用3.3或5V单电源进行读和写操作。由外部引脚设置的写保护功能,可保护EEPROM阵列的任一部分,这样其余阵列可用于存储应用数据。Atmel保证AT17LV040 EEPROM 10000次的写周期和至少100年时间数据保存。用该公司ADH2200E编程器或其它公司的标准编程器可对器件…     

闪速存储器芯片AT29系列的典型应用

闪速存储器AT29系列是低功耗，大容量，非易失高速存储芯片，它以其单电源，在线可编程，可擦除，接口便利等特点正式成为大型数据如声音，图形，符号表等系统数据的载体，文中给出了AT29C010与单片机AT89C51的硬件连接电路和软件应用程序。     

闪速存储器AT29C040与单片机的接口设计

介绍了Atmel公司的新一代大容量快闪存储器AT29C040的使用方法,并以笔者开发的某测试仪器为例,给出了实际应用的硬件电路及软件设计。     

一种应用于OTP存储器的新型电荷泵的设计

对一次性可编程（OTP）存储器进行编程时需要较大的编程电流,而传统的DICKSON电荷泵电路所提供的编程电流较小,不能满足要求。本文提出了一种适用于OTP存储器的新型电荷泵电路,在3.3V的工作电压下,输出电压7V,内部结点最高电压仅为8.8V,输出上升时间100ns,而且具有较高的电流负载能力,非常适合用于OTP存储器的编程。     

用单片机实现并口到串口的数据存储与转发

单片机以其结构简单、控制功能强、应用灵活、可靠性高以及成本低廉等优良特性，越来越广泛的应用于智能产品、仪器仪表、测控系统、数控控制、家用电器等领域。介绍了采用AT89C51单片机实现接口数据存储和转发的实现方法。给出了硬件电路框图，详细描述了电路的组成及其功能。简要介绍了软件的组织结构及每个程序模块的主要任务，提供了主要软件的程序设计流程图。另外，对闪速存储器TMS29F040的性能作了简单的介绍。给出了一种新颖的串口电平转换电路。     

存储器、锁存器

0308371单片机大容量 FlashRAM 的扩展[刊]/狄威//测控技术.—2002,21(增刊).—158～160(E)介绍了新型闪速存储器 FlashRAM28SF040的特点和应用,给出了两片共计8Mbit 的28SF040与80C196单片机分页寻址的扩展实例。参2     

C6000外部FLASH在线编程引导技术

TI 数字信号处理器TMS320C6X系列需要从外部的存储器中引导应用程序,这是开发中的难点之一,关系到系统的可靠性.针对TI公司的TMS320C6201/6701中FLASH引导装载的方法进行了详细的阐述,同时以AT公司的FLASH(AT29LV040A)为例,设计一个利用FLASH进行引导装载的系统方案,并给出了相应的自动加载程序的设计和实现过程.     

基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器

采用0.13 μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8 Mb相变存储器.1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50 F2.外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路.Set和Reset操作电流分别为0.4 mA和2 mA.读出操作的电流为10 μA,芯片疲劳特性次数超过了1...     

低电场应力下闪速存储器的退化特性

基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.     

低电场应力下闪速存储器的退化特性

基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.     

闪速存储器在2000年将摧毁EPROM市场

几年来,分析家一直在预测E-PROM行将消亡.自从闪速存储器几年前成为一种前途广阔的非易失存储器选用产品以来,EPROM一直在受到挑战.在蜂窝电话、调制解调器、BIOS存储器和其他无数嵌入式系统等大批量应用装置需求的不断推动下,EPROM还是顽强地生存下来.但是,在1995年,闪速存储器的发展势如破竹,因而已使EPROM发展停滞不前.当前的预测表明,闪速存储器的使用量已大于EPROM.现在看来,到2000年,EPROM将逐渐消声匿迹,这已成定局.甚至一些特定的专业应用领域也将从EPROM转向闪速存储器和EEPROM等替代器件.     

元器件与组件

指纹传感器AT77C104B指纹传感器为菜单翻页和选择新增了8种浏览方式和点击功能,无须消耗空间和烦琐地机械浏览模块,输出是SPI指纹,500dpi的指纹图像,工作电压为2.3～3.6V,获取指纹时最大电流为6mA,休眠模式电流低于10μA,工作温度为-20～+70℃,耐静电、震动和汗渍。AT77C104B利用整个手指扫过传感器来形成连续的图像,再用软件重建指纹。Atmelhttp://www.atmel.com小体积MEMS加速计ADXL32x 系列双轴iMEMS加速计的体积为4mm×4mm×1.45mm,采用塑性LFCSP包装。ADXL320和ADXL321的工作电压为2.7V,典型电流为450μA,电池可以再…     

集成电路与IP芯核

数据总线字长可配置的闪速存储器意法半导体的M58LW128A和M58LW128B是128Mb的闪速存储器,分为128个容量为1Mb的区块。M58LW128A的数据总线字长为16位,而M58LW128B的数据总线字长可以配置为16位或者32位。该器件使用单电源供电。编程、擦除及读出的电源电压V_DD为2.7V至3.6V,输     

用AT89C1051/2051制作电话遥控器

美国ATMEL公司推出的AT89CXX系列的单片机是一种低价格高性能的微控制器,它内带有闪速可编程可擦除只读存储器(PEROM)。该单片机采用ATMEL高密度非易挥发存储器的生产技术,并与工业标准的80C51指令及管脚分布相兼容。其典型产品AT89C51、AT89C52,可以取代     

为明天的嵌入式系统设计闪速卡软件

闪速存储器具有非易失性、低功耗和结实耐用的优点,是由电池供电的便携式嵌入系统的理想选择.在过去8年里,闪速存储器市场由零增长到25亿美元.但是,各个硅厂家在器件结构和软件算法等方面设有标准化,因此在嵌入式系统的闪速卡软件方面,产品系列的升级面临较大的难题.在使用纯片上 EPROM的年代,CPU把EPROM的程序码转入RAM里,然后从RAM那里开始执行程序.这样的日子已经过去了.今天的设计需要容错的、在线的程序更新,还要求容错的数据存储器可以通过无线链路进行更新.按照这些要求,软件小组有责任     

C6000外部FLASH在线编程引导技术

TI数字信号处理器TMS320C6X系列需要从外部的存储器中引导应用程序,这是开发中的难点之一,关系到系统的可靠性。针对TI公司的TMS320C6201／6701中FLASH引导装载的方法进行了详细的阐述,同时以AT公司的FLASH（AT29LV040A）为例,设计一个利用FLASH进行引导装载的系统方案,并给出了相应的自动加载程序的设计和实现过程。