新型电子封装用金刚石/金属复合材料的组织性能与应用

随着微电子技术的高速发展,金刚石/金属复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装、热沉材料最有潜力的发展方向之一.对金刚石/金属复合材料的性能、制备工艺及应用发展进行了综述,并提出了未来的研究开发方向.     

高含量Si-Al电子封装复合材料的研究进展

随着微电子技术的高速发展,SiP/Al作为新型的电子封装材料受到了广泛的重视.根据近年来报道的有关资料,对SiP/Al电子封装复合材料的组织与性能、制备工艺及应用发展进行了综述,并指出了未来的研究方向.     

SiCp/Al电子封装复合材料的现状和发展

随着微电子技术的高速发展，SiCp/Al作为新型的电子封装材料受到了广泛的重视。根据近年来报导的有关资料，对SiCp/Al电子封装复合材料的性能、制备工艺及应用发展进行了综述，并指出了未来的研究方向。     

电子封装用W/Cu复合材料的特性、制备及研究进展

微电子工业的迅速发展对封装材料的综合性能提出了更为严格的要求.针对封装材料的发展趋势,阐述了以W/Cu作为封装材料所应具备的性能要求及其制备技术,并对其发展方向进行了展望.     

电子封装用W／Cu复合材料的特性、制备及研究进展

微电子工业的迅速发展对封装材料的综合性能提出了更为严格的要求。针对封装材料的发展趋势，阐述了以W／Cu作为封装材料所应具备的性能要求及其制备技术，并对其发展方向进行了展望。     

微电子器件塑封损伤机理解析

塑封微电子器件不仅在封装产业发展中具有较为突出的优势和地位,并且在实际中的应用也比较广泛和普遍,进行微电子器件塑封损伤机理的解析,对于提高微电子器件塑封性能质量,促进塑封微电子器件的生产发展等都具有积极的作用和意义。本文将以微电子器件塑封中应用非常广泛的环氧模塑封装材料为主,通过具体实验对其高温以及常温环境相爱的拉伸疲劳情况机理等进行分析论述,以实现对于微电子器件塑封损伤机理的分析研究。     

低温共烧基板材料研究进展

LTCC是现代微电子封装中的重要组成部分,因性能优良而广泛应用于高速、高频系统.LTCC基板材料的性能决定封装的质量,材料的研究在LTCC的进展中发挥了重要作用.LTCC基板材料可分为两大类:玻璃/陶瓷和微晶玻璃.概述了各类基板材料的组成、性能和应用方面的情况,并介绍了各类材料研究的进展,指出了基板材料未来的发展方向.     

电子封装材料的研究进展

在当今信息时代，随着便携式计算机、移动通信以及军事电子技术的迅速发展，对集成电路（IC）的需求量急剧攀升，微电子封装技术也迎来了它的高速发展期。微电子封装技术经历了双列直插式封装（DIP）、周边有引线的表面安装式封装和面阵式封装三个发展阶段。在新世纪中，以IC产业为代表的微电子工业的发展，为电子封装行业创造了无限的发展机遇。     

电子封装用聚苯硫醚高性能复合材料的研制

微电子工业的快速发展迫切需要性能更为优异的封装材料.采用聚苯硫醚复合材料作为电子封装材料,具有使用温度高、热膨胀系数低、介电损耗低、电绝缘性能好等优异的性能,应用于现代微电子领域的前景良好.本文用国产商品PPS树脂经纯化处理后,与其它材料复合,成功制备出了聚苯硫醚高性能电子封装材料,制备的PPS电子封装材料具有低吸水性、低热膨胀系数、高强度以及优异的介电性能等综合性能,优于目前常用的环氧类电子封装材料.     

新型硅基铝金属高性能电子封装复合材料研究

微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求.在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点.高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯片相匹配,连通分布的金属(铝)确保了复合材料的高导热、散热性,两者的低密度又保证了复合材料的轻质,尤其适用于高新技术领域.重点探讨了硅基铝金属铝复合材料的主要制备技术及其组织性能机理,并对其未来发展作出展望.     

3D封装与硅通孔(TSV)技术

随着对芯片集成度以及对电性能要求越来越高,近些年来3D封装发展迅速。其中硅通孔技术(TSV)被认为是实现3D封装的最好选择之一。因此TSV工艺逐渐成为微电子领域的热门话题之一,并且促进着微电子行业进一步向前发展。本文分析了硅通孔技术的优点以及挑战,同时也简单介绍了硅通孔技术的应用。     

导热型高性能树脂微电子封装材料之一:封装材料的制备

微电子行业迫切需要新一代优异性能的封装材料。采用聚酰亚胺／氮化铝复合材料作为封装材料，可以组合聚酰亚胺和氮化铝的优点，具有高导热、低热胀、低介电、电绝缘等优异的性能，应用于现代微电子领域前景良好。文章讨论了这种封装材料的制各，首先将单体反应物反应得到聚酰亚胺预聚体，然后将预聚体与氮化铝高能球磨混合，最后热压成型。成功制各出一系列聚酰亚胺／氮化铝复合导热型高性能塑料微电子封装材料。     

微电子封装技术与聚合物封装材料的发展趋势

目前,全球集成电路封装技术已经进入第三次革命性的变革时期,为我国集成电路产业的发展提供了一次难得的发展机遇。我国集成电路封装材料的发展必须从我国国情出发,将发展重点集中在集成电路封装第三次技术变革所需的先进封装方面,包括BGA、CSP和MCM所需先进材料,兼顾发展目前我国仍量大面广的传统SMT封装PQFP和PSOP等所需的重要材料,同时还要考虑未来SiP和MCM等先进封装所需的关键性材料。     

电子封装材料的研究现状

电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了严格的要求,综述了各种新型封装材料的发展现状;并以金属基复合材料为重点,分别从增强体,基体材料,制备工艺及微结构几个方面讨论了它们对材料热性能的影响,据此进一步提出了改善封装材料热性能的途径及未来的发展方向。     

导热型高性能树脂微电子封装材料之二:封装材料的导热和热膨胀性能

微电子行业迫切需要新一代优异性能的封装材料。采用聚酰亚胺/氮化铝复合材料作为封装材料，可以组合聚酰亚胺和氮化铝的优点，具有高导热、低热胀、低介电、电绝缘等优异的性能，应用于现代微电子领域前景良好。文章讨论了这种封装材料的导热性能和热膨胀性能。PMR聚酰亚胺/氮化铝复合封装材料导热系数随氧化铝的加入量而显著提高，Bruggeman方程最适合于描述该封装材料的导热系数。PMR聚酰亚胺与氮化铝复合后热膨胀系数显著减小。     

新型微电子封装技术问题及改进方案标准化研究

电子封装是将裸IC硅片用塑料包起来保护好并制作好外部引脚。外引线越来越多是微电子封装的一大特点,当然也是难点,引脚间距越小,再流焊时焊料难以稳定供给,故障率很高。多引脚封装是今后的主流,所以在微电子封装的技术要求上应尽量适应多引脚。但芯片的封装都是有一定规范的,假如每家封装厂都执行各自的标准显然芯片的通用性会大打折扣,也不可能造就半导体产业的繁荣。鉴于此,本文对不同电子封装技术问题展开讨论,分析电子封装技术存在的问题,设计具体改进方案,提高产品的可靠性,降低制造成本和安全风险。以期为微电子封装技术标准化生产提供借鉴和指导。     

微电子器件内连接技术与材料的发展展望

内引线连接是微电子器件制造过程中的重要环节之一.综述了微电子器件内引线连接技术的特点和方法,重点介绍了引线键合和倒装焊材料的研究进展,并指出了未来的发展方向.     

电子封装用陶瓷基片材料的研究进展

简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AIN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料.介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点.     

MEMS封装技术

MEMS封装是在微电子封装技术基础上发展起来的一项关键的MEMS技术.首先提出了MEMS封装设计的一些基本要求,包括封装等级、封装成本、环境影响、接口问题、外壳设计以及热设计等方面.在此基础上,介绍了键合技术、倒装芯片技术、多芯片封装以及3D封装等几种重要的MEMS封装技术,并给出了一个封装实例.最后进一步探讨了MEMS封装的发展趋势及研究动向.     

半导体封装用键合铜丝技术

根据当今微电子器件日趋小型化、高性能化的特点以及国家节能减排、降本增效的发展要求,键合铜丝将逐步取代键合金丝成为微电子封装用主流键合材料。就键合铜丝领域而言,其技术改进主要包括在键合铜丝中添加微量元素和在键合铜丝表面设置涂层2个方面,该文主要对这2个方面的技术进行综述。