文献与摘要(126)

制造埋置无源元件基板Manufacturing Substrates with Embedded Passives现在的数字化电子设备需要安装许多电阻电容等无源元件,把无源元件直接埋置于基板(PCB)内,是减小PCB尺寸、减少安装成本、提高产品性能和可靠牲的有效途径。文章叙述了埋置电容多层板的设计、制造、性能和可靠性测试整个过程,重点是构成电容介质的纳米复合材料结构对电容值和基板电性能影响,采用RC3     

基于Maxwell模型的树脂系基板中埋置电容研究

采用Maxwell模型描述树脂系基板中埋置电容的黏弹性变形行为,获得了埋置电容及阻焊膜的Maxwell模型本构方程。对埋置式基板进行了有限元仿真,重点分析了其中的埋置电容在加速温度循环条件下的热机械变形,得出埋置电容变形分布是从其两侧边角位置向内变形量逐渐增大,中间两侧边缘处变形最大,研究了热机械变形对埋置电容的电容量的影响,在此基础上针对典型滤波电路分析了电容量变化对电路可靠性的影响。结果表明,Maxwell模型可以合理描述埋置电容的变形行为并可用于分析系统封装中黏弹性材料可靠性及为埋置无源器件电性能分析提供了参考。     

埋置电容PCB工艺的开发和量产

根据客户埋置电容PCB量产需求,开发了A与B两种埋容材料的埋置电容工艺,分别为A单面蚀刻工艺与B双面蚀刻工艺。针对客户特殊设计的特殊要求,成功开发了0.1 mm激光通孔埋容板工艺。根据两种埋容材料的不同工艺,进行了理论研究和批量生产,重点研究了翘曲、板损、埋容精度控制、误差控制等问题,设计了埋容板插板架来解决阻焊油墨制作问题并推广。进行上述研究的同时,总结出适合我司的埋容工艺,形成埋容板生产控制文件,实现公司埋容板从试板向量产的飞跃,为公司提供了新的利润增长点。     

埋入电容印制板工艺技术

本篇文章讨论的是采用两种基材制作四层埋入电容印制板的方法FR-4基材和FR-406电容材料分别经过单面 图形转移,再经层压到外层制作的路线完成此四层板尺寸变化较小,能够很好地配合高层数多层板的工艺制作。     

内置电容基板及制造技术探讨

对平面埋置电容多种型号基板材料进行了性能及特点介绍。运用传统FR-4基板制造技术,结合挠性基板制造特点,针对实现平面埋容多层印制电路板加工技术,进行了阐述。     

基于LTCC技术的垂直堆叠结构电容的设计

通过HFSS软件对基于LTCC技术的垂直堆叠结构的电容进行三维建模,利用ADS软件对等效电路进行拟合计算.设计出工作频率为1 GHz下有效电容值为30 pF的垂直堆叠结构电容.通过分析电容的结构参数对有效电容和品质因数的影响可知,增加电容值可以通过增加介质的相对介电常数、极板面积等来实现,这对埋置电容设计和调试具有理论...     

一种新型的单面蚀刻技术制备埋容电路板

介绍了一种新型的埋入电容电路板的单面蚀刻工艺。本工艺主要针对介质层厚度≤50μm的埋入电容材料,在制作单面图形时,不去掉未曝光一面的干膜及干膜保护膜,棕化后再过显影线将干膜去掉。对该工艺可行性进行了评估,并验证了其可靠性。实验结果表明,采用此工艺可以减少工艺难度,加工成本降低了3%,且产品合格率达86%以上。     

高频埋容PCB制作关键技术研究

高频埋容PCB制作是线路板制造行业中十分重要的技术,国内多家线路板厂家也有生产,但是涉及到层数较高的高频埋容PCB的制作还是鲜有听闻.究其原因主要有两点:(1)目前在PcB中还无法埋入较大电容值的电容,需要开发功能值大的埋入元件材料:(2)埋入平面电容的容值误差控制较难,尤其是丝网漏印的平面型埋容元件材料的功能误差控制十分困难.丈章以一款24层高频埋容板为例,探究高频埋容PCB制作关键技术.     

两象限变频器直流电容纹波电流分析与抑制研究

两象限变频器直流环节设计的好坏决定着变频器整机性能优劣以及可靠性高低,而直流环节的设计又是以直流电容的选型设计为主.为了稳定中间环节直流电压,使其波动在所要求的设计范围之内,在进行直流电容选型时,设计者通常会选用容量大的电解电容.但电解电容额定纹波电流小,为保证电容的使用寿命,采取一定措施抑制电容纹波电流显得十分必要.本文通过对两象限变频器直流电容纹波电流进行分析,提出了添加直流电感抑制电容纹波电流的方法,并分别给出了计算电容纹波电流的数学解析式,最后通过MATLAB仿真验证了理论分析的正确性.     

混合微电路用多芯组瓷介电容加固技术

多芯组瓷介电容具有单位安装面积容量大、抗机械应力强、等效串联电阻低等优点,在混合电路中具有很大的应用前景.简述了多芯组瓷介电容的工艺结构,通过仿真分析以及试验验证,确定了一种多芯组瓷介电容的加固方式,解决了多芯组瓷介电容在混合电路中安装可靠性低的问题.     

埋入式电容印制电路板制作工艺

本篇论文主要采用FR406埋入电容材料结合现有的生产设备及条件参数进行工艺兼容性的研究。FR406材料相当于一张超薄的FR-4基材,因而采用标准薄板的图形转移工艺进行电容内层图形的制作。电容材料铜箔表面与半固化片层压的抗剥强度满足IPC接受标准,去钻污及电镀后孔壁质量也比较满意。小面积电容误差分布说明了工艺过程对容值的影响不是很大。因此,采用FR406BC材料进行埋入电容制作是可行的。     

两种蚀刻法制作埋嵌电容PCB的对比研究

蚀刻法是埋嵌电容技术中研究与应用较多的方法。文章研究了双面蚀刻一次层压与单面蚀刻两次层压这两种工艺方法,并指出了两种方法加工埋嵌电容PCB工艺过程的关键点。通过电容值测量及回流焊测试,对比分析了不同工艺方法对埋嵌电容PCB的容值精确度及耐热性能的影响,明确了这两种工艺方法的优缺点。     

Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究

优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。     

超高比表面积活性炭结构与比电容的关系

在非水电解质体系中,用恒电流充放电法测定所制活性炭电极的双电层比电容,研究了活性炭的结构对比电容的影响。结果表明,超高比表面积活性炭(SBET≥2500m2/g)比表面积为2827m2/g时,电容器比电容值高达101.6F/g,是比表面积为1384m2/g的普通活性炭电容器比电容的2.4倍。提高活性炭中2～4nm孔所占的百分率,能有效地提高电容器比电容。     

测定固态试样相对电容率的几种方法

测定电介质材料的相对电容率,最好采用板状试样,因此以平行板电容器为载体测定固态试样的相对电容率是较优的方法.从可操作性及便捷性来看,测定试样相对电容率的方法有三种:一是以干燥空气环境代替真空环境,运用相对电容率的基本定义式进行测定;二是运用直流电路中已知电容器与待测电容器的串联关系,结合电容器电容的基本计算公式进行测定;三是综合运用交流电路中电容器电流有效值、电压有效值、容抗之间的关系式,及其电容、容抗的基本计算公式进行测定.     

单一平面电容式漏水检测传感器的研究

针对北方地区冬季暖气管道漏水可能导致的大型设备机房或重要仪器损坏的问题,提出了一种用于管道漏水检测的单一平面电容式传感器的设计方案。该装置利用平面电容原理,检测水滴落在平面电容上时引起的电容变化,采用微电容测量电路将电容转换成频率,然后通过单片机处理后计算出电容值,通过和预先设定的阈值电容的比较来判断平板上是否漏水。经实际试验,该方案实施的平面电容式漏水检测传感器应用于管道漏水检测具有结构简单、成本便宜、性能可靠的特点。     

用于液体违禁品检测的电容传感器设计

提出了利用液体介电常数的电子测量,实现一种快速、无辐射、非接触、低成本的液体违禁品探测的新方法。在研究了液体介电常数测量的理论,并结合具体应用场合的基础上,提出了基于平面板电容器原理的平面板电容传感器和改进型的梳妆电容传感器电极,从理论的角度上对电极的参数进行了探讨。通过实验证明了改进型的梳状电极能够在不开瓶取样的情况下,有效鉴别出在厚度为4mm以下的非金属容器中浓度50%以上的酒精和水,可以用于非接触式液体违禁品快速检测。     

超高压大容量铝电解电容器的研制

分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12～27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。     

高压脉冲电容器电容量漂移影响的实验研究

针对不同贮存环境对高压脉冲电窖器电窖量瀑移的影响进行了长期对比实验研究。采用同一批次同一型号高压脉冲电容器,随机抽取组合成实验对比组。通过观测,发现该型号高压脉冲电容器电容量的漂移与贮存环境温度的关系密切;与自然光照的关系并不明显;在同样的贮存环境下,与未加任何保护的实验对比组相比较。使用硅胶灌注的实验对比组电容量的漂移速度明显平缓,特别在贮存环境温度较低时,硅胶灌注对高压脉冲电容器电容量的漂移有明显的减缓作用。