共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
对浮栅晶体管进行了60Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明,辐照导致浮栅晶体管中多晶硅浮动栅极存储电荷的丢失,界面处感生的陷阱电荷数量远少于氧化物陷阱电荷及浮栅中电荷丢失量,退火效应可恢复浮栅受辐射影响的存储能力。试验数据为浮栅晶体管在电离辐射环境的测试及应用提供参考。 相似文献
2.
3.
本研究了77K下薄栅NMOSFET在F-N均匀注入时栅氧化层对电荷的俘获特性,发现沟道区上方栅氧化屋将俘获电荷,使阀值电压下降,而栅边缘氧化层地电子的俘获明显增强,并高于室温一的对应值,从而导致NMOSFET关态特性变差,沟道电阻增大,以及电流驱动能力的显降低,提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷机制。 相似文献
4.
在EPROM器件中,栅注入电流Ig对于Si表面的可动电子浓度n和电场E非常敏感。我们用二维电子温度器件模拟程序研究了n、E和Ig与掺杂分布的关系。 我们研究了沟长L=2(μm)、浮置栅氧化层厚度T_(ox)=400(?)的双栅EPROM器件。漏极写入电压采用17V,产生的漏电流为1.2mA。我们在一个等效的MOSFET上调节栅电压,以便使漏电流I_d与这一写电流相等,发现三种不同的沟道分布的浮置栅压(V_(gf))当量为12.8V、13.9V和16V。 相似文献
5.
6.
《电子产品可靠性与环境试验》2014,(6):61-61
正最近,上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队,成功地研制出半浮栅晶体管(SFGT:Semi-Floating-Gate Transistor),有望让电子芯片的性能实现突破性的提升。该成果发表在2013年8月9日的《科学》杂志上,这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)和浮栅晶体管是广泛应用于当前主流芯片的两种器件。 相似文献
7.
电荷耦合器件(CCD)基本性质的许多应用是探测最小电荷量。特殊电荷注入法和埋沟的采用、最佳时钟频率的选择、相关双取样的应用(DCS)等等能降低CCD寄存器中的噪声。这样,寄存器输出放大器中的噪声就成了决定因素,它主要是由与CCD同片的FET沟道热噪声引起的电动势决定的。使用这种晶体管的放大器可提供探测50—100个电子。通过使用分布浮置栅放大器(FGDA)能减少这种噪声的影响,这里由于使用n个平行级,能增加信/噪比n~(1/2)。使用FGDA可检测出非常小的电荷(10—20 相似文献
8.
针对浮栅晶体管在不同射线下的响应差异问题,进行了60Co-γ射线、25 MeV质子和1 MeV电子的辐照试验,研究了不同射线下浮栅晶体管的剂量响应差异。采用蒙特卡罗方法对器件灵敏区的吸收剂量进行了修正。通过中带电压分离出界面陷阱电荷,分析了不同射线下电离辐射响应差异的微观机理。研究结果表明,在等效剂量下,质子辐照后电离响应特性与60Co-γ射线较为接近,电子辐照后响应程度略低于质子和60Co-γ射线。对器件灵敏区的吸收剂量进行修正后,三种射线下的剂量响应特性差异降低。质子辐照后界面陷阱电荷数量多于60Co-γ射线和电子射线。试验研究为浮栅晶体管辐照传感器的研制提供参考。 相似文献
9.
《微电子学》1993,(6)
1 器件与电路技术WD93601 亚微米轻掺杂漏n-MOSFET中热载流子感生缺陷的浮栅/电荷泵技术合并研究=A Coupledstudy by floating-gate and charge-pumping techniques ofhot-carrier-induced defects in submicrometer LDD n-MOSFET’S[刊.英]/Vuillaume D.…//IEEE Trans.Electron Devices.-1993.40(4).—773~781本文采用浮置栅技术和电荷泵技术分析了亚微(0.85μm)轻掺杂漏(LDD)n-MOS场效应晶体管中热载流子效应引起的缺陷产生情况。文章强调,要对位于漏-栅交叠区靠近轻掺杂漏结构氧化物隔离层进行特性分析,浮置栅技术是一种很有吸引力的工具。 相似文献
10.
研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著增强辐射陷阱电荷产生,而施加负向背栅偏置并不能明显抑制氧化物陷阱电荷的产生,甚至在进一步提高负向偏置时会使氧化物陷阱电荷的数量上升。通过TCAD器件模拟仿真研究了背栅调控机理,研究结果表明:尽管负向背栅偏置可使辐射感生陷阱电荷远离沟道界面,但随着BOX层厚度减薄该区域电荷仍可导致器件电参数退化,且提高负向偏置电压可进一步增强陷阱电荷产生,加剧辐射损伤。 相似文献
11.
12.
Rainer Bonitz 《电子设计技术》2010,17(6)
正恒忆闪存基于浮栅技术。闪存晶体管的绝缘栅极(浮栅)捕获(或排除)电子,因此,晶体管的阈值电压被修改(偏离原始电压值)。在附加的编程和阈压感应电路的 相似文献
13.
一般而言,闪存的工作原理是借助将浮动多晶硅(浮动栅)覆盖在栅氧化物上,来保存位于其上的电荷。此时闪存位单元的编程需要一个高电压场,才能将电子的速度提高到足够快,以便电子能够克服硅物质和浮动栅之间的氧化物的能量障碍,使电子能够穿过氧化物,给浮动栅充电,而浮动栅又会改 相似文献
14.
本文通过测量氧化物的初始击穿强度和与时间相关的介质击穿,估计了在硅片表面下注入氧化层后,在硅薄膜上生长的栅氧化物的质量。初始介质强度和击穿电荷与体硅片上生长的氧化物是相同的,因而作者认为硅膜里的高位错密度,不会使氧化物的质量严重下降。 相似文献
15.
钳位电压(Vpin)是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量.在辐照条件下,Vpin受辐射总剂量(TID)增加而升高,因此研究其机理对抗辐照CIS的设计有重要意义.文章利用TCAD仿真软件分析了 CIS器件的电学特性,研究了 Vpin受TID影响的机理.结果表明,当辐照引起的氧化物陷阱电荷浓度达到3×1016 cm-3时,浅沟槽隔离(STI)附近的耗尽区将PPD中的pin层与地极电学隔离,从而导致pin层电势易受到传输晶体管TG沟道电势影响而增加,使得相同电子注入条件下PPD可存储的电子增多,复位所需电压增大,导致Vpin随着辐射总剂量增加而增大. 相似文献
16.
17.
18.
19.
无论氢在电子器件内部以何种形式(H2分子、H原子或H+离子)存在,均会对电子器件电离损伤产生作用,进而影响器件的抗辐照能力。本文深入研究了氢气和空气气氛条件下1 MeV电子辐照栅控横向PNP(GLPNP)型双极晶体管的辐射损伤缺陷演化行为。利用Keithley 4200SCS半导体参数测试仪对不同气氛下辐照过程中晶体管进行在线原位电性能参数测试,研究晶体管电性能退化与电子辐照注量和氢气深度之间的关系;基于栅扫技术(GS)和深能级瞬态谱技术(DLTS),研究双极晶体管中氢诱导电离损伤缺陷演化的基本特征。研究表明,与空气气氛相比,氢气气氛下电子辐照导致GLPNP的基极电流增加显著,而集电极电流明显降低,产生更多的氧化物电荷和界面态,这些现象均说明氢气加剧双极晶体管的电离辐射损伤。 相似文献