背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理 |
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引用本文: | 王海洋,郑齐文,崔江维,李豫东,郭旗.背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理[J].固体电子学研究与进展,2022(6):449-455. |
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作者姓名: | 王海洋 郑齐文 崔江维 李豫东 郭旗 |
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作者单位: | 1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室830011;2.中国科学院大学100049; |
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基金项目: | 新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);国家自然科学基金资助项目(12075313);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。 |
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摘 要: | 研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著增强辐射陷阱电荷产生,而施加负向背栅偏置并不能明显抑制氧化物陷阱电荷的产生,甚至在进一步提高负向偏置时会使氧化物陷阱电荷的数量上升。通过TCAD器件模拟仿真研究了背栅调控机理,研究结果表明:尽管负向背栅偏置可使辐射感生陷阱电荷远离沟道界面,但随着BOX层厚度减薄该区域电荷仍可导致器件电参数退化,且提高负向偏置电压可进一步增强陷阱电荷产生,加剧辐射损伤。
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关 键 词: | 绝缘体上硅 掩埋氧化物 背栅调控 总剂量辐照 |
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