电子元件、组件

TM 53 97060413以srTi03为基电容器瓷料的研究/史伟,张沛霖,祝清亮(山东大学)Ij山东大学学报(自然科学版)一1997,32(2)、一174~178 通过对以srTi03为基瓷料配方和制造工艺的改进,得到了在一25℃~85℃的温度范围内,介电常数:大于2200,介电常数的温度稳定性较好的瓷料.图4参3(木)     

添加玻璃粉对Ba_2Ti_9O_(20)系瓷料低温烧结的影响

采用H3BO3、ZnO、SiO2、Al2O3、Li2CO3和CaCO3等原料,通过高温熔融、淬火等工艺,获得了低熔点玻璃粉,研究了玻璃粉的熔融、力学性能、介电性能及其含量对MLCC瓷料烧结的影响。结果表明:在Ba2Ti9O20主晶相材料中加入质量分数为4%～7%的低熔点玻璃粉,有利于瓷料在910～950℃低温烧结致密,其绝缘电阻率ρ大于1013Ω·cm,tanδ为(1.2～2.0)×10–4,εr为32～38。     

无铅1RH-121高频瓷料的研究

在BaO-Nd2O3-TiO2系统中,以SrTiO3、Bi2O3、MnCO3等作为添加剂,按0.8Ba6–3xNd8+2xTi18O54+0.2SrTiO3+(0.7～1.5)(MnCO3+Bi2O3……)的比例配料,按常规工艺进行磨料、喷雾干燥和成型,在1240～1290℃空气中烧成,保温2h得到无铅IRH-121高频瓷料。研究表明,SrTiO3等添加剂的加入量对瓷料介电性能具有明显的影响。批量生产的瓷料性能:εr为115～130,tanδ为(2.0～3.5)×10–4,αC,–25℃时为–(210～240)×10–6,+85℃时为–(220～240)×10–6。     

2200 MHz圆环形介质谐振器的研制

讨论了TE011谐振模式的圆环形介质谐振器的研制过程。固定ZnO添加量为质量分数1.00%,考察了WO3改性剂对(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波陶瓷介电性能的影响。当w(WO3)为0.25%时,可得到εr为38.0、Q值大于5800(7GHz)、τf小于2.0×10–6/℃的瓷料。以该瓷料为原料制作谐振器,研究了制作工艺和支撑物高度对谐振器性能的影响。发现采用冷等静压成型工艺所制谐振器的Q值比采用干压成型工艺提高了4%。获得了谐振频率为2200MHz的高Q值、高功率、高稳定性圆环形介质谐振器,完全满足设计要求。     

添加剂对PMN—PT基低温烧结MLC瓷料性能的影响

探讨少量添加剂LiF、Bi_2O_3、SiO_2及PbO对Pb(Mg1/3 Nb2/3)O_3(简作PMN)-PbTiO_3(简作PT)基多层瓷介电容器(简为MLC)瓷料某些性能的影响。实验结果表明,适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的介电性能。少量LiF的引入可获得烧结温度850℃介电性能良好的MLC瓷料,为采用全银内电极取代Pd-Ag电极创造了条件。     

电子陶瓷生产中的几种辅助材料

<正> 每当提及电子陶瓷,人们往往非常重视瓷料的研究,重视瓷料的原材料组成和各种性状,而对工艺过程中的一些常用辅助材料却往往重视得不够。实际上,即使有了合理的瓷料配方,假如对生产过程中的一些辅助     

PFN基瓷料居里点调节机制及二次合成技术

从瓷料配方设计的角度出发,讨论了PFN基独石电容瓷料的居里点调节机制,并列举出常用的移动剂。同时介绍PFN的一次高温煅烧及二次煅烧合成技术对钙钛矿相形成的影响。二次合成技术是提高PFN基瓷料性能的关键工艺之一。     

一种高频低介MLC用瓷料系统的研究

选取MgO-SiO2-TiO2系作为研究对象,研究实验工艺及瓷料组成对系统介电性能的影响。借鉴高频低介瓷的基本组成原则,反复研究成分配比,确定了系统的最佳组成。高频下得到了性能优良的低介、低损耗、低电容量温度系数、高体积电阻率的多层陶瓷电容器用瓷料,用其制成的MLC可广泛应用于航空、航天、国防军事等尖端技术设备中。     

内电极浆料对Bi2O3—ZnO—Nb2O5瓷料相组成的影响

研究了瓷料与内电极浆料的共烧工艺中，内电极浆料对Ｂｉ２ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５资瓷料相组成的影响。ＸＲＤ分析表明，Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｚｂ２Ｏ５瓷料是焦绿石立方α相与低对称β相构成的复相体系。     

交流高压介质瓷料

在BaTiO3中适量引入Dy2O3,采用固相法合成(Ba1xDyx)TiO3,外加适量的CuO、MnCO3等添加剂,恰当控制喷雾造粒工艺,试制出交流高压电容器瓷料。利用Dy3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近,阻止晶界移动,使陶瓷晶粒细化的作用,达到提高陶瓷介质交流抗电强度的目的。大生产瓷料主要性能:er为7 200~ 8 000,tgd为(1.0~1.1)?02,ΔC/C,30℃时为(30~40)%,+85℃时为(50~53)%,交流抗电强度EAC为3.5~4.1 MV/m。     

电子器件

9908949压电减振机敏柔性板上的布片位置优化研究[刊]/古渊//压电与声光.—1999,21(1).—32～36,40(L)将 D 优化法推广应用于二维悬臂机敏柔性板上的压电传感/执行器的位置优化研究中,并用实验证明了该方法的合理性,为进一步深入开展机敏柔性板的振动主动控制奠定了良好的基础。参199908950化学合成法试制超细超导体瓷料的新工艺[刊]/包茜//传感器技术.—1999,18(1).—23～25(D)研究了超细超导体瓷料用化学合成法试制的新工艺。通过将溶液中的超导阳离子均匀沉淀、烘干、煅烧后得到成分和粒度分布均匀的超微细瓷料。参5     

一种配方简单的2F4-15000高压瓷料

研制成一种配方简单、工艺稳定、重复性好的2F4-15000低频瓷料。其ε_r 15000,V_(DC)≥5V/μm,tgδ≤0.01,△C/C符合2F4组的要求。已用该瓷料制成20kV,φ12mm,2000pF和15kV,φ9mm,1000pF的高压瓷介电容器。     

NT电容器瓷料的改性

NT瓷料被广泛用来制作温度特性为V组(电子部标准)的电容器。新的国家标准对电容器各项性能的要求均有提高。我厂(上海长江无线电元件厂)按旧标准生产的NT瓷料,除容量-温度变化率一项外,其它如     

含铋层化合物BaTiO_3系独石电容瓷料

分别以Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｐｂ等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物，用以降低ＢａＴｉＯ３系瓷料烧成温度。通过调整ＢａＴｉＯ３的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验，探讨含铋层化合物ＢａＴｉＯ３瓷料组成对其性能的影响。以ＢａＯ／ＴｉＯ２为０．９９的ＢａＴｉＯ３烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料，其性能符合美国ＥＩＡ标准Ｘ７Ｒ指标，制成的独石电容器性能优良，稳定可靠。     

制备PTC热敏电阻瓷料的新工艺

本文介绍了一种有利于PTC热敏电阻瓷料半导化的新工艺。当所用的TiO_2原料中Fe、Mg等受主杂质含量不同时,应采用不同的制备工艺。原料中受主杂质含量较低时,应采用先合成主晶相,再引入其它加入物的常规工艺;而受主杂质含量稍高时,则应采用在合成主晶相的同时就加入SiO_2-Al_2O_3玻璃形成剂的新工艺。采用新工艺可使按常规工艺难以半导化的PTC瓷料实现良好的半导化。     

含铋层化合物BaTiO3和系独石电容瓷料

分别以Ｂｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｗ，Ｎｂ，Ｐｂ等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物，用以降低ＢａＴｉＯ３系瓷料烧成温度。通过调整ＢａＴｉＯ３的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验，探讨含铋层化合物ＢａＴｉＯ３瓷料组成对其性能的影响。以ＢａＯ／ＴｉＯ２为０．９９的ＢａＴｉＯ３烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料，其性能符合美国ＥＩＡ标准Ｘ７Ｒ指标，制成的独石电容器性能优良     

PTC热敏电阻器的研制——原料、配方和工艺条件的选择

<正> 正温度系数(PTC)热敏电阻器应用很广,发展很快,全国各地都在积极开展研制工作,有些企业已经进行着生产。但是,实践表明,正温度系数热敏电阻瓷料的组成敏感性和工艺敏感性是很突出的,原料、配方和工艺条件韵微小变化都往往给产品的性能     

生瓷带冲孔工艺设备的开发与研制

主要介绍了LTCC(低温共烧陶瓷)的发展、现状和生瓷带冲孔工艺特性.根据LTCC工艺要求,生瓷带冲孔设备应具备位置精度高、边缘精度高和冲孔速度快的工艺性能.首先分析了生瓷带冲孔设备应解决的技术难点,然后运用精密制造、精密装配、精密控制和光学测量等理论知识,详细阐述了生瓷带冲孔设备的结构特点,包括高速精密运动平台的设计、冲孔单元的设计和无位移夹持工艺.     

高纯高导热BeO陶瓷材料烧结工艺研究

选用两种高纯氧化铍(BeO)瓷料(一种为原生料,另一种为瓷件料),以不同的烧结工艺制备高纯BeO陶瓷。通过品红实验和扫描电镜(SEM)观察发现:采用原生料制备的陶瓷素坯在天燃气方式加热的钟罩炉中难以致密化,陶瓷容易吸红。这主要是由于高纯BeO的原生料的烧结是以蒸发-凝聚传质方式为主,扩散传质方式为辅,在一定的温度和压力下,有BeO(蒸汽) CH4易产生BeOH CH3或CH3OH Be。采用瓷件料制备的陶瓷素坯在天燃气热钟罩炉中能致密化,陶瓷不易吸红。这主要是由于高纯BeO的瓷件料的烧结是以扩散传质方式为主,以蒸发-凝聚传质方式为辅,烧结后期离子沿粒界作快速迁移,靠界面扩散使瓷体致密化。     

高性能片式多层氧化锌压敏电阻器材料研究

对非Bi系氧化锌压敏电阻材料进行了系统研究。研究结果表明:在ZnO基体材料中,添加适量PbO、Co2O3、Cr2O3、MnO2、ZrO2、TiO2、Sb2O3 、B2O3等非Bi系添加剂,采用传统陶瓷制备工艺和合适烧结工艺,可获得a >50、IL<1 mA、烧结温度低于1 100℃的实用非Bi系氧化锌电阻瓷料。采用该瓷料,利用MLC工艺,选用Pd30/Ag70电极浆料,制作出V1mA<30 V、a >30、IL<1 mA的片式多层压敏电阻器。