MCT列阵光电性能参数自动测试系统

本文介绍了霍尼威尔公司电光分部研制的MCT光电导列阵自动测试系统和洛克希德公司Palo Alto研究实验室研制的焦平面列阵光电参数的自动测试站。检测的光电性能参数包括光电响应率,响应光谱,噪声,探测器的RA乘积,响应频谱,光学串音和电学串音,响应率的空间频谱,调制传递函数等。     

HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰

报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.     

适合多种应用的先进焦平面列阵（下）

通过处理由探测器产生的光电信号，读出集成电路已成为焦平面列阵的一个关键性的元件．第二代焦平面列阵普遍使用混合模式的读出集成电路，其程序已使这种电路成为焦平面列阵性能的主要鉴别器。对焦平面列阵提出的新要求催生出智能型焦平面列阵，这已成为第三代焦平面列阵的同义词。虽然整个工业界在     

激光衍射微粒分析仪用的新型光电列阵

研制出新型扇形自扫描光电二极管列阵（ＳＳＰＡ），其响应度高、管芯面积小、光电信号串行输出，在激光微（雾）粒测试仪中代替通用的同心半圆环带光电列阵。在对多种微粒样品的测量和工业现场雾粒测试仪中上万小时的运行，均得到了正确的测试结果。     

CMOS成像器用深红外光电二极管

基于半导体的成像器有许多种类型,其中包括CCD、光电二极管列阵、电荷注入器件以及混成焦平面列阵。CCD常被用于图像获取,特别是小尺寸成像     

SSPA周边杂散光对响应度不均匀性的影响

根据实验现象，用半导体光电效应的基本原理，定性分析了自扫描光电二极管列阵周边杂散光对响应度不均匀性的影响，从装置和列阵结构上提出了相应的改进措施，有效地解决了列阵首尾部分二极管响应度的不均匀性。     

国外长波红外焦平面列阵现状

文中介绍了长波工外焦平面列阵的国外进展，这些列阵包括碲镉汞光电二极管、肖特基势垒器件、砷化镓／砷铝镓多量子阱光导体、高温超导体以及室温工作的焦平面列阵，其中非制冷的混合式热释电陶瓷和单片式的微型测辐射热计焦平面列阵已进入批理生产阶段。     

硅PIN光电探测器

利用成熟的半导体平面工艺,采用高阻硅(Si)单晶,我们已成功地制造了四种光电探测器。1.单个的 Si—PIN 光电二极管2.Si 象限探测器3.Si 光电压探测器4.其它光电二极管列阵     

PIN光电二极管

采用PIN光电二极管作为光通信、光信息处理的快速光敏元件,明确了它的特性及其与其他元件之间的关系。作为光电管在光信息处理领域的应用,提出了本公司研制的用于电视唱片的 PIN 光电二极管列阵,论述了它的设计特点、特性。列阵相邻元件之间采用了特殊的结构,在10μm 之间获得了23dB 的信号隔离度。     

新型光电探测器列阵的实验研究

本文对一种适用于光互连网络的新型光电探测器件列阵进行了实验测试工作。设计了一个测试列阵器件的光互连系统,系统的时钟光点阵由二位相光栅产生,测试所需的信号光点阵由一个２×８的ＳＥＥＤ器件对时钟光进行调制产生。对一个２×８的探测器列阵进行了实验测试工作,该探测器列阵中的探测单元的工作频率可达１００Ｍｂｉｔ／ｓ。     

可见光／近红外图像传感器列阵

本发明提供一种可在包括红外谱段在内的宽光谱范围内进行高性能成像的MOS或CMOS传感器。由于这些宽光谱范围可能还包括可见光的一部分或者全部光谱,所以该传感器还具有日光成像和夜视的能力。该传感器由一个多元MOS或CMOS读出列阵和做在该读出列阵上面的连续多层光电二极管结构组成,其中的光电二极管结构是用来敏感红外辐射的。     

200000元的红外焦列阵

据《EOSD》杂志1979年4月刊报导,美国霍尼威尔电光中心与军队夜视和光电实验至签订了一个研制红外焦面列阵的合同,研制费用为617000美元。列阵的探测部分是光伏型的,读出部分是硅电荷耦合器件。200000元的探测器接合在一个嵌镶焦面列阵上。企图使用这种方法直接发展低成本的热成象系统。焦面列阵的应用包括导弹寻的,手控电视和火炮导电视统     

我国研制成功128×128元红外焦平面列阵

重庆光电技术研究所研制成功128×128元铂硅肖特基势垒红外焦平面列阵,并于1990年4月27日     

40Gbit／s高速并行12信道光接收模块的研制

研究并制作了12信道并行光接收模块,单信道传输速率大于等于3．318Gbit／s,12信道并行总传输速率为40Gbit／s。模块采用工作波长在850nm的高速PIN型光电探测器（PD）列阵作为光接收器件,PD列阵与接收电路芯片直接用Au丝压焊连接,输入光信号直接由12信道的光纤阵列耦合进入PD列阵中。对光接收模块进行眼...     

采用渥拉斯顿棱镜列阵的高性能非扫描傅里叶变换光谱仪

据美国《Applied Optics》杂志报道,美国DanKomisarek等研究人员研制了一种高性能非扫描傅里叶变换光谱仪,该光谱仪主要由一个渥拉斯顿棱镜列阵和一个二维光电探测器列阵组成。与现有的基于渥拉斯顿非扫描傅里叶变换光谱仪相比,其尺寸更小,     

科技动态

红外列阵传感器 EG&G Reticon公司推出的RA0218NL光电二极管列阵传感器是采用PtSi肖特基势垒工艺制成的单片式128×128元自扫描红外列阵,用于1～5μm光谱区的热成象。象素尺寸为60μm~2,每个象素的占空因数为59％,数据率可达10MHz,扫描速率为400帧/s。     

高密度垂直集成光电二极管焦平面列阵技术（上）

1 引言 由美国DRS红外技术公司研制的高密度垂直集成HgCdTe光电二极管是解决红外焦平面列阵结构问题的一种新方法。较之更为保守的焦平面列阵结构,新方法在二极管的形成以及在二极管与硅读出集成电路的混成方面都有不同之处。这种二极管是在低温下通过对非本征     

激光修复光电探测器

美国海军研究所的一组科学家已发展一项激光退火技术，可以改进高密度光电探测器列阵系统的每一个单元的性能特性。该技术并不取代装配或形成这种列阵过程中使用的标准退火和制造方法，而是修复制造过程中出现的缺陷。     

受生物启发的寻的器技术的最新发展

1引言 未来的光电系统将包含甚大规格的传感器,它们将把大量的数据输送给数字任务处理子系统.现在要获得128×128元的红外焦平面列阵已是轻而易举的事情,单色和双色规格的256×256元和512×512元的红外焦平面列阵最近也已得到验证.     

1×10硅雪崩光电二极管单片列阵

随着空间高密度通信技术的不断更新和发展,将发光器件和光电探测器件列阵化已成了当务之急。因为与用相同数量的分立器件组合起莱的装置相比,列阵化后的器件装置不仅体积小,而且比较容易实现与纤维光缆耦合。此外,列阵上只加一个电压源就能得到与分立器件同样好酌特性,这就大大地减少了分立器件组合装置所需的电源。