超大规模集成电路铜互连电镀工艺

介绍了集成电路铜互连双嵌入式工艺和电镀铜的原理;有机添加剂在电镀铜中的重要作用及对添加剂含量的监测技术;脉冲电镀和化学电镀在铜互连技术中的应用;以及铜互连电镀工艺的发展动态.     

《电镀技术》

内容介绍 本书共分7章，内容包括电镀基础知识、金属制品的镀前表面处理、电镀设备、电镀工艺、金属的氧化和磷化、特种电镀、常用电解液的分析方法。本书对较常用的电镀工艺进行了重点介绍，理论与实践相结合，通俗易懂，特别适合于电镀生产第一线的操作工人和工程技术人员使用。此书为32开纸，共435页。     

高新技术在印制电路板电镀中的应用

电路板制作对电镀质量的要求很高,由于传统的垂直电镀工艺无法满足日新月异的电路板生产,因此需要研究发展高科技含量的电镀工艺和改进传统的工艺技术。文章综述了当前常用的高新技术含量的电镀工艺。     

电镀技术在大马士革工艺中的应用研究

电镀是一种良好的实现金属沉积的电化学工艺方法。为探索电镀技术在大马士革工艺中的应用,先介绍了电镀的基本理论,然后阐述了双大马士革的工艺流程,继而从电镀液和脉冲电镀方面分析了电镀对大马士革工艺的影响。结果表明镀液中的Cl-对电镀有催化作用,脉冲电镀比直流电镀所需的时间短,电流密度对镀层的生长方式影响不大,脉冲时间对填充速率有重要影响。最后提出,应该从电镀设备、电镀液、工艺参数各方面进行研发,从而改善电镀效果,促进集成电路产业的快速发展。     

无添加剂的电镀铜技术

本文描述了先进电子互连的电镀铜工艺,以及该工艺在PTH、微孔和高纵横比的PTH电镀上的应用。 1 电镀铜工艺介绍 电子产品不断小型化的发展趋势驱使印制线路板(PWB)工业在设计和生产中应用高密     

图解电镀铜填孔机理

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,本文根据过程监控切片图,简述填孔电镀作用机理,分别介绍了CEAC、CDA电镀铜填孔机理和孔壁铜完整性对电镀铜填孔的影响,以期加深广大PCB业者对盲孔电镀铜填孔工艺的了解。     

导电聚合物直接电镀技术

虽然传统的PTH（镀通孔）工艺十分成熟,应用广泛,但仍有很多不足之处。因此一些取代传统PTH工艺的直接电镀技术应用而生。导电聚合物直接电镀技术已经较为成熟,文中系统介绍了EcopactCP工艺的导电聚合物直接电镀技术。     

高厚径比盲孔HDI板水平脉冲电镀参数的研究

该文主要通过DOE试验,研究了水平脉冲电镀参数如传送速度,正向电流密度,反向电流密度,正反向脉冲时间及部分参数间的交互作用对高厚径比盲孔的 HDI板电镀均匀性和铜厚的影响,找出高厚径比盲孔 HDI板电镀的最佳电镀工艺参数。同时应用于二阶盲孔HDI 板的电镀。     

电镀工艺控制技术

电镀液组成的变化显著地影响到细线图形的半导体和PCB,因而提出了工艺控制技术的高要求,监控PCB制造中电镀添加剂的老标准将会满足这些高要求的新的生命力。     

电镀工艺加工过程中的清洗

本文对电镀工艺加工过程中的不同类型的清洗工艺技术进行了综述，介绍了化学除油、电解除油工艺的基本原理、水洗工艺方法及目前电镀生产中清洗技术的最新进展。     

高密度互连印制板电镀填盲孔技术

主要介绍了电镀填盲孔的过程机理和影响填孔效果的因素,重点探讨了电镀设备、电镀参数、添加剂等对电镀填孔效果的影响,突出讲解了电镀填盲孔技术的控制重点和难点等内容。     

电子电镀技术的回顾与展望

评述了国内外电子工业中贵金属及其合金镀层、可焊性镀层、化学镀及功能镀等有关方面近期发展及应用情况，并展望了９０年代电子电镀技术的发展动向。     

添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响

目前,铜互连技术已成为超大规模集成电路的主流互连技术,铜的填充主要采用Damascene工艺进行电镀。有机添加剂一般包括加速剂、抑制剂和平坦剂,它们在电镀液中含量虽然很少,但对于铜电镀的过程非常关键。以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了每种类型添加剂对脉冲铜镀层性能的影响。     

硫酸盐型亚光纯锡电镀工艺在PCB上的应用

介绍了硫酸盐型亚光纯锡电镀工艺,并就该工艺在PCB上应用时各工艺参数如电流效率、添加剂工艺配方等影响进行了讨论。用该工艺取代PCB制造通常使用的氟硼酸体系工艺作为图形蚀刻时的保护镀层,不仅利于环保,而且质量稳定可靠,具有极佳的性价比,是达到电子产品无铅化的首选工艺。     

亚铁氰化钾添加于次亚磷酸钠还原化学镀铜的试验优化

化学镀铜技术是印制电路中的重要部分,采用正交实验法研究了以次亚磷酸钠为还原剂添加亚铁氰化钾的化学镀铜溶液,得到了的最佳参数和条件.镀液中添加亚铁氰化钾可以显著降低沉积速度,使镀层变得均匀致密,形貌得到改善,电阻率明显降低,镀层中镍的含量也有所降低.     

Whisker growth on surface treatment in the pure tin plating

Whisker behavior at various surface treatment conditions of pure Sn plating are presented. The temperature cycling test for 600 cycles and the ambient storage for 1 year was performed, respectively. From the temperature cycling test, bent-shaped whiskers were observed on matte and semibright Sn plating, and flower-shaped whisker on bright Sn plating. The bright Sn plating has smaller whiskers than the other types of Sn plating, and the whisker growth density per unit area is also lower than the others. After 1 year under ambient storage, nodule growth of FeNi42 lead frame (LF) was observed in some parts. The Cu LF showed about a 9.0 μm hillock-shaped whisker. This result demonstrated that the main determinant of whisker growth was the number of temperature cycling (TC) in the FeNi42 LF, whereas it was the time and temperature in the Cu LF. Also, whisker growth and shape varied with the type of surface treatment and grain size of plating.     

次磷酸盐化学镀铜体系主组份变化研究进展

随着对环境保护的重视,以甲醛为还原剂的化学镀铜体系将被环境友好型的化学镀铜体系所取代。以次磷酸盐为还原剂的化学镀铜体系环保、工艺参数范围大、镀液寿命长,可能成为下一步的研究热点。对次磷酸盐化学镀铜体系中主要组份含量变化对沉积速率和镀层性能的影响进行了综述,对其发展方向进行了展望。     

纳米化学复合镀的开发及在PCB制造中的应用研究

化学镀表面处理技术使用范围很广,镀层均匀、装饰性好;在防护性能方面,能提高产品的耐蚀性和使用寿命;在功能性方面,能提高加工件的耐磨性和导电性、润滑性能等特殊功能,因而成为表面处理技术的一个重要部分。钠米化学复合镀是在化学镀液中加入纳米粒子,使其与化学镀层共沉积的工艺技术。文章主要研究在化学镀Ni-P中加入纳米颗粒,在基体表面沉积具有镀厚均匀、耐磨、耐腐蚀、可焊的纳米复合镀层,阐明镀液组成和工艺条件对沉积速率、镀液稳定性、镀层与基体的结合力的影响,获得钠米化学复合镀技术的工艺参数,并对纳米复合镀层的性能进行了研究。     

喷镀系统在凸点制备中的应用

介绍了利用电镀法制造晶圆凸点的典型工艺和喷镀设备.喷镀系统是凸点电镀设备中最关健的部件.通过计算机软件模拟试验,对喷镀系统中的喷杯体和匀流板等各种参数和位置进行了优化设计,并在设备上应用验证.该系统在凸点电镀设备上应用后,在晶圆片上成功做出了高质量的均匀凸点,取得了良好效果.     

Defects in optoelectronic materials due to phosphorus-containing underlayer

We report the new observation that the crack formation mechanism in a laser-welded Au-coated optoelectronic material is due to the existence of P-containing underlayer and is not due to the thickness of the Au plating layer. Therefore, to solve the problem of crack formation in laser-welded Au-coated optoelectronic materials, it is strongly recommended that a Ni underlayer with P-free electroplating instead of P-containing electroless plating should be used prior to plating Au on optoelectronic materials.