SiO2纳米颗粒复合Bi2Te3纳米线阵列的制备

为结合一维纳米材料和纳米颗粒复合材料的优点,本文尝试进行了在氧化铝模板(AAO)中生长Bi2Te3-Si O2纳米颗粒复合纳米线阵列。通过在电化学溶液中添加Si O2纳米颗粒,制备包含纳米颗粒的Bi-Te纳米线阵列。应用XRD、SEM、TEM等方法对合成的样品进行了分析观察。研究发现Si O2纳米颗粒的加入对纳米线的形貌和结构都有明显的影响。在模板法沉积Bi2Te3纳米线阵列时,添加Si O2纳米颗粒将明显改变纳米线生长方式,Bi2Te3纳米线不再是等径的纳米棒,而是枝晶生长过程,最后形成Z字型的不断反复弯折纳米线,该枝晶状纳米线的直径远小于模板的孔径。这一新颖的现象为制备直径更小,并具备精细界面结构的纳米线热电材料提供了一种新的可能途径。     

近红外区高透射率In2O3:W透明导电氧化物薄膜的研究

采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3W,IWO)透明导电氧化物薄膜.薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差.与相同电阻率的ITO(In2O3Sn)相比,IWO薄膜具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.研究了氧分压、溅射电流等参数对IWO薄膜电学和光学性能的影响.制备的多晶IWO薄膜最佳电阻率为3.1×10-4 Ω·cm,最高载流子迁移率为58 cm2 V-1s-1,可见光范围平均透射率大于90%,近红外区(700～2500 nm)平均透射率约为85%.     

Au基树枝状杂聚体纳米结构形成机理研究

以油胺为还原剂和稳定剂,通过晶种生长法顺序还原HAuCl4·xH2O和H2PtCl6·6H2O,成功制备了Au-Pt树枝状杂聚体纳米颗粒。通过对Pt在Au颗粒表面沉积过程的研究,探讨了杂聚体结构的形成机理。研究发现油胺还原得到的Au纳米颗粒表面是由不同晶面组成的,随后还原的Pt会选择性地沉积到Au{111}表面处成核生长,形成Pt的纳米岛结构,当有足量的Pt前体时,Pt会在纳米岛的表面继续生长形成附着于Au颗粒表面的树枝状结构,研究表明树枝状Pt形貌的形成与油胺的使用有着重要关系。     

Cu/TiO2 纳米线的制备及其光催化性能

以P25粉体为原料,采用水热法合成了TiO2 纳米线,通过NaBH4还原CuCl2溶液,在TiO2纳米线的表面负载了Cu纳米颗粒.利用透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光谱(UV-Vis)对产物进行了表征.结果表明,Cu纳米粒子均匀分散在纳米线表面,并且该Cu/TiO2纳米线在可见光区域表现出较强的吸收性能.光催化降解酸性红3R染料溶液测试表明,在TiO2纳米线表面负载Cu纳米颗粒对提高其催化性能具有积极作用.     

非晶Co及CoP纳米阵列的制备及研究

采用交流电化学沉积法,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板孔洞中成功制备出直径50nm的Co纳米线阵列.采用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观察了样品的微观形貌结构.结果显示,阵列中纳米线均匀有序,形状各向异性较大,其晶体结构为非晶.在沉积Co纳米线阵列的电解液中添加一定的还原剂(NaH2PO2·H2O),制备出非晶CoP纳米阵列,由TEM观察可知,阵列形貌发生变化,沉积产物为离散的纳米粒子而非纳米线.探讨了交流电沉积纳米阵列的生长机理.     

沉积温度对IMO透明导电薄膜光电性能的影响

采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能。结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向。随着沉积温度的升高,IMO薄膜的载流子浓度增大、载流子迁移率增大、电阻率减小;沉积温度为350℃时,薄膜的最低电阻率为6.9×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.15×1020cm-3,迁移率为45 cm2V-1s-1。在可见及近红外区,IMO薄膜的平均透过率大于80%以上。在近红外区,薄膜透过率随沉积温度的升高而增大;在中红外区,由于载流子的吸收,薄膜透过率迅速下降。     

银纳米相吸收增强型钙钛矿太阳电池薄膜的制备及性能研究

分别将银纳米相溶胶(银纳米颗粒、Ag@SiO₂核壳结构、银纳米线)掺入氧化铝异丙醇溶液中制成具有蜂窝结构的介孔层材料, 然后在介孔层表面制备CH₃NH₃PbI₃钙钛矿吸收层得到Al₂O₃/CH₃NH₃PbI₃复合薄膜, 并对复合膜的微观结构、光吸收特性及太阳电池器件性能进行了测试和分析。研究表明, Al₂O₃/CH₃NH₃PbI₃复合膜与CH₃NH₃PbI₃在可见光区域吸收光谱基本相同, 含量极少的Al₂O₃对CH₃NH₃PbI₃吸光性能影响较小。而掺入银纳米相可明显改善CH₃NH₃PbI₃钙钛矿薄膜的吸收性能。当银纳米颗粒、Ag@SiO₂核壳结构和银纳米线相对浓度比分别为0.15、0.3及0.15时, CH₃NH₃PbI₃吸光性能分别达到最佳; 银纳米相浓度继续增大时, 薄膜的光吸收性能逐渐减弱。此外, 掺入Ag@SiO₂核壳结构可使钙钛矿薄膜太阳电池光电转换效率由6.28%增大到7.09%, 而银纳米颗粒和银纳米线由于会增大太阳电池内部载流子传输路径, 提高电子空穴对复合效率, 最终反而降低了太阳电池短路电流密度和光电转换效率。     

碳纳米管场效应晶体管的研究进展

介绍了利用纳米材料和技术代替传统的硅(Si)材料,研制电子功能元器件的重要性和急迫性.着重介绍了用纳米碳管研制场效应晶体管(FET)这一重要的电子元件的进展情况及几种常见的碳纳米管FET.分析了现有的碳纳米管FET实用化的困难和存在的问题,并展望了碳纳米管FET的应用前景.     

氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的器件稳定性改善研究

采用射频磁控溅射方法,在P型硅基片上制备了非晶掺氮氧化铟锌沟道层及其薄膜晶体管(a-IZO∶N-TFTs)器件,探讨了氮气对a-IZO∶N-TFTs性能和电学稳定性的影响。研究发现,当沉积过程中的氮气流量增加时,a-IZO∶N-TFTs的阈值电压(Vth)不断右移,说明氮气掺杂有效抑制了器件的载流子浓度。在对a-IZO∶N-TFTs进行0~5400 s的栅极正偏压应力测试中发现,通入4 m L/min(标准状态)的氮气能使Vth的变化量从3.77下降到0.72 V,表明氮气掺杂提高了a-IZO∶NTFTs的电学稳定性。然而,同时发现过量掺杂氮气也会造成新的氮相关缺陷从而降低器件的稳定性。     

磷掺杂对纳米硅薄膜输运性质的影响

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响.研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的迁移率,而自由载流子浓度影响有限;影响掺磷纳米硅薄膜电导率的因素既包括磷掺杂产生的自由载流子,又包括迁移率,其输运过程可用量子点隧穿（HQD）模型合理解释.少量掺磷会促进晶化,但过量掺磷会引起晶格畸变,不利于晶化率和电导率的提高.     

大尺度结构对气动光学效应影响的实验研究

为了深入研究细光束穿越可压缩混合层后光束畸变的机理,本文提出将双曝光CCD相机成像技术与纹影技术相结合进行流场与光束畸变的同步测量.利用纹影技术获得可压缩混合层密度梯度场特征,进而获得大尺度结构的密度梯度场分布;利用CCD相机成像技术获取通过混合层后光束畸变特性;双曝光技术的引入可以得到大尺度结构的移动对细光束畸变的影...     

掺杂ZrO2对（Pb,Ca）（Fe,Nb）O3陶瓷微波特性的影响

研究了B位Zr掺杂对(Pb     

高分子PVP吸附对胶体Zeta电位的影响

高分子聚合物PVP在SiO2 胶体颗粒上的吸附将直接影响胶体的稳定性质 ,其中最重要的包括Zeta电位、吸附层厚度等。从温度、pH值、聚合物浓度以及电解质浓度 4个方面考察了以上两方面的变化 ,初步探索了胶体表面Zeta电位变化的一般规律 ,并用电位法计算了胶体表面的吸附层厚度     

氢键作用对纳滤过程荷电效应的影响

极性有机分子可以和聚酰胺类纳滤膜表面形成众多氢键,从而削弱纳滤膜的荷电效应。论文选择几种典型极性分子,探讨氢键作用对纳滤过程荷电效应的影响。结果表明,在极性分子和聚酰胺类纳滤膜形成氢键的过程中,聚酰胺纳滤膜对电解质的截留率有所下降。这种影响随分子极性增强而更加明显;当温度升高时,氢键遭到破坏,截留率有所回升。     

时效温度对Fe-Mn-Si-Cr-Ni-C合金形状记忆效应的影响

研究了时效温度对Ｆｅ－１４Ｍｎ－５Ｓｉ－４Ｎｉ－０．２Ｃ记忆合金形状记忆效应,力学性能和显微组织的影响。结果表明：合金的形状回复率随时效温度的升高而增加,在１２２３Ｋ时达到最大值,比固溶态提高了６８％;随后形状回复率随时效温度的进一步升高而急剧下降。时效温度对合金硬度的影响与其对形状回复率得一致的。能谱和波谱分析表明时效析出的第二相是富铬,富锰和富硅的（Ｆｅ,Ｍｎ,Ｓｉ,Ｃｒ）３Ｃ合金渗渗碳体,且     

气调保鲜包装对双孢菇贮藏效果的影响

为保持双孢菇贮藏品质、延长货架期,采用不同配比的气体吸收剂和不同厚度聚乙烯薄膜对双孢菇进行包装,置于4℃下贮藏,定期测定双孢菇的表面颜色、呼吸强度、失重率、硬度、PPO和POD活性的变化。结果表明:采用组成为1.44 g脱氧剂、0.5 g乙烯脱除剂、1.2 g CO2脱除剂的气体吸收剂及厚度为0.05 mm的聚乙烯薄膜包装方案,对双孢菇贮藏中的褐变具有明显的抑制作用,能够有效降低双孢蘑菇呼吸强度,延长双孢菇的贮藏保鲜期。     

结构的鞭梢效应研究

本文详细研究了带有多自由度突出物的结构产生鞭梢效应的原因,指出当突出物的基本自振频率与整体结构(包括主体结构与突出物)的固有频率相同,且又与地面运动扰频相接近时,最易发生鞭梢效应。     

碘化壳聚糖-淀粉复合膜对芒果保鲜效果的研究

对壳聚糖淀粉和碘化壳聚糖淀粉复合膜的透明性、抗拉强度、伸长率、透气性、透湿性进行测试,并用壳聚糖、碘化壳聚糖与淀粉制成涂膜液对芒果进行保鲜处理,然后在常温下进行储藏.结果表明:涂膜芒果在储藏期间其感官评分、果实腐烂指数、转黄指数、失重率、呼吸强度、总糖含量的变化均小于对照组,可有效延长保质期4~6d,并且碘化壳聚糖淀粉复合膜对芒果的保鲜效果优于壳聚糖淀粉复合膜.     

锗基半导体器件的界面磁阻效应和体磁阻效应

本工作对Ag/p-Ge:Ga/Ag器件的界面磁阻和体磁阻效应进行了研究,结果表明该器件的体磁阻效应远大于界面磁阻效应.对界面磁阻而言,界面局部等离子体的形成与淬灭受外加磁场的影响较小,致使界面磁阻很小;而对体磁阻而言,磁场导致载流子复合速率加快,使载流子浓度急剧下降,从而导致体磁阻数值较大.进一步研究发现,采用低载流子浓度Ge制备的器件可以获得更为优异的体磁阻效应.本工作也研究了不同磁场施加方向对体磁阻效应的影响,发现低温时体磁阻具有明显的各向异性.当温度低于200 K时,垂直方向的体磁阻明显大于平行方向的体磁阻,其中当温度为10 K时,垂直方向体磁阻最大值约为123％@1 T,远大于平行方向的体磁阻数值(仅约为41％@1 T).机理分析认为,体磁阻效应的各向异性源于不同磁场构型下几何效应的差异,而低温下载流子迁移率的增加导致这种几何效应的影响更为明显.     

γ-Al2O3纳米粉对氧化铝纤维烧结行为的影响

研究了纳米γ－Ａｌ２Ｏ３粉末对化铝纤维烧结行为的影响,在纤维挤在坟成型过程中,纳米粉体填入到微米颗粒形成的孔隙中,当另入量为４０ｗｔ％时,纤维素相对密度由６５％提高到８０％,由于成型密度高、气孔分布窄、孔径小而有利于烧结,在较低的烧结温度下可以达到理论密度,全部采用纳米γ－Ａｌ２Ｏ３粉挤压纤维烧结后具肋交大的径向收缩率,在１２００℃烧结即可达到完全致密。