Naβ″—Al_2O_3中离子交换和迁移的EPMA研究

用JCXA—733电子探针的背射电子成份像和特征X射线像,成功地显示出Ce~(+++)和Eu~(++)离子与NaB″—Al_2O_3中Na~+离子交换的非均匀性,用注入电子束诱导离子迁移的实验表明,在Ce~(+++)或Eu~(++)离子交换后的β″—Al_2O_3晶格中的Na~+离子仍为主要载流子,而Ce~(+++)或Eu~(++)为不可迁移离子。     

Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.     

铂锡—氧化铝模型催化剂烧结的电镜研究

本工作是利用H—600型电镜研究Pt-Sn/Al_2O_3体系催化剂在热处理过程中晶粒烧结的变化规律,发现三种催化剂的晶粒在热处理前虽然相近,但经热理后却有很大差别;另外,若将烧结的样品再在空气中加热,则晶粒又减小,这为催化剂的研究提供有用的信息。一、实验及其结果: 样品是用Ar离子溅射法制备,即将Pt溅射在Al_2O_3上得到(1)Pt/Al_2O_3,将Pt和Sn分别溅射得(2)Pt-Sn/Al_2O_3(分溅),而将Pt与Sn共溅得(3)Pt-Sn/Al_2O_3(共溅)。测定其晶粒大小和电镜衍射花样,经计算求出     

Ho_3Al_5O_(12)石榴石晶体的受激发射振荡

目前随着光电子学的发展有必要建立放大系数高的小型固体激光器。这种激光器可以用单组份(自激活)稀土化合物来建立。迄今HoF_3系统是在2微米区域内基质晶格离子产生受激辐射的唯一材料。本文报道以提拉法生长钬铝石榴石(Ho_3Al_5O_(12))晶体于90°K下在2微米区获得的受激辐射。资料[3]研究了Ho_2O_3:Al_2O_3系统的相平衡。在原料比例为3:5时证实结晶成石榴石型立方晶格的Ho_3Al_5O_(12)晶相。作者用     

沸石分子筛X射线能谱分析中的Na沉积

以前曾经发现某些硅酸盐玻璃和矿物在电子束轰击下一些元素的计数率不稳定。近年来人们用电子探针对快离子导体和长石类矿物等的Na~+离子迁移现象的研究表明,长石类矿物随着X射线采集时间的增加,Na计数率下降,而β—Al_2O_3的Na计数率则上升。我们在对NaA和NaHs沸石分子筛的能谱分析中也发现了这种Na~+迁移现象。分子筛具有多孔道的骨架结构,在孔道中有金属阳离子存在,以保持体系的电中性。阳离子在沸石分子筛中的行为对分子筛物化性能的研究及分子筛应用的研究都有一定的参考价值。对阳离子的研究一般采用红外谱和磁共振等方法。本文试图用扫描电镜及X射线能谱仪对NaA和     

离子注入型超大容量固体离子电容器

本文提出了一种具有“混合导体电极/快离子导体(或快离子导体粉体与炭质极化电极颗粒混合体)/混合导体电极”结构的离子注入型超大容量固体离子电容器.其电容量除由界面双电层形成外,研究还发现电容量随混合导体电极用量增加线性增大.研究采用Cu~(+)离子导体为固体电解质,Cu_2Mo_6S_7.7为混合导体电极.其容量密度高达50F/Cm~3,等效串联电阻(ESR)为40Ω,漏电流为15μA,分解电位为600mV.     

介质薄膜的制备及其电性能的测试分析

以Al_2O_3薄膜为例,介绍了用电子束蒸发制备介质薄膜的工艺。研究了不同退火条件下Al_2O_3薄膜的电性能,优化出最佳的热处理条件为400℃、氧气气氛中,热处理3 h。并对制得的Al_2O_3薄膜进行了SEM表面和断面分析,结果表明制得的Al_2O_3薄膜较烧结的Al_2O_3基板致密。     

Y_3Al_5O_(12)晶体的色心

本文系研究用各种不同稀土元素激活的300°K下γ-射线照射的Y_3Al_5O_(12)晶体的吸收光谱和热发光曲线。Pr~(3+)和Tb~(3+)在300～500毫微米区使被照晶体的吸收急剧增大,这与γ-照射时形成TR~(4+)离子有关。铕和镜在照射时还原成Eu~(2+)和Yb~(2+),其它的稀土元素300°K下未形成稳定的二价离子。含Ce,Pr,Tb或Eu的γ-射线照射的Y_3Al_5O_(12)晶体,加热时发生的复合过程伴随有热荧光,光谱的特点是三价激活剂的;而未形成稳定二价离子(Dy,Sm)的激活剂不产生热荧光,这就可以认为,TR~(3+)离子由于在其内电子和空穴复合的结果直接产生激励。     

优于95%Al_2O_3的55%Al_2O_3陶瓷基板的研制——试论55%Al_2O_3多层陶瓷母板制造工艺

本文介绍55％重量Al_2O_3和45％重量玻璃作基板材料,采用扎膜成型;银95％重量和钯5％重量作导体材料,用丝网漏印法布线;在880～920℃烧成的多层陶瓷基板。其性能不仅优于95％重量Al_2O_3瓷和M_0、Mn作导体材料烧成的多层基板,而且工艺简单,成本更低。它是制作集成电路基板的一种较理想的陶瓷材料。     

ZrO2／Al2O3复合材料相变及界面

一、引言 ZrO_2/Al_2O_3复合材料,因具有优良的力学和热力学性能,近年来受到普遍重视。在该复合材料中ZrO_2以二种方式存在,一是ZrO_2存在于Al_2O_3晶粒间,另一是ZrO_2呈球状形式嵌在Al_2O_3晶粒内。对处于Al_2O_3晶粒内ZrO_2曾研究了其在基体产生的应力分布和用高分辨电镜作了界面观察。虽然对于以Y_2O_3稳定的四方相ZrO_2(Y-TZP)已经明确指出ZrO_2中存在成核相变过程,但对于ZrO_2/Al_2O_3复合材料而言,其中晶粒内ZrO_2虽大多以四方相形式存在,并对周围基体产生应力,而对于晶粒内四方相ZrO_2在应力作用下成核和相变过程及晶粒内ZrO_2与基体Al_2O_3之间界面反应情况尚未见明确报导。本文对15～75vol％ZrO_2/Al_2O_3复合材料经1500℃-1650℃不同温度下热压而成材料中ZrO_2成核相变及其界面进行了研究。二、实验与材料制备     

锂无机固态电解质研究进展

对商业化的传统液态电池存在的问题及无机固态电解质相较于传统液态电解质在安全性和能量密度等方面的优势进行了简单阐述.介绍了目前研究较多的硫化物型、钠超离子导体(NASICON)型、钙钛矿型、石榴石型和锂超离子导体(LISICON)型五种无机固态电解质的化学组成和晶体结构及锂离子导电机制,并对其离子电导率、电化学窗口、电子...     

透明氧化铝与铌金属用CaO-Al_2O_3-MgO-B_2O_3系结晶焊料封接

透明氧化铝与铌金属的封接是用氧化物焊料实现的,用光学显微镜和电子探针显微分析仪研究了两种材料之间的界面。用于该试验的氧化物焊料是一种结晶质焊料,是由CaO,Al_2O_3,MgO和B_2O_3的结晶所组成,并且不含有碱金属的氧化物。试验结果如下: (1)真空密封封接是用这种技术实现的; (2)由于封接过程而转变成玻璃-陶瓷结构的焊料包含有3CaO·Al_2O_3,CaO·Al_2O_3和MgO·Al_2O_3的主晶相;     

掺Cr~(3+)钇铝石榴石晶体的光学振荡

下面报导掺Cr~(3+)钇铝石榴石(Y_3Al_5O_(12))已得到激光振荡。需要指出的是,至今未见有资料报导过除Al_2O_3外的基质中获得Cr~(3+)离子振荡的实验(见资料[1])。我们对一个尺寸不大的样品(0.04～2厘米~3)进行了钇铝石榴石中激活Cr~(3+)离子     

火箭燃气射流中颗粒衍射散射对莫尔偏折图的影响

本文根据Fourier光学和衍射散射理论分析了火箭燃气射流中Al_2O_3颗粒衍射散射对莫尔偏折图的影响,从实验上研究了Al_2O_3颗粒衍射散射造成莫尔条纹模糊的现象。实验结果表明,对Al粉含量较低(3～8％)的固体推进剂,莫尔偏折法能够用于其燃气射流场的显示。     

致密扩散障型氧传感器扩散机理的研究

为研究致密扩散障型氧传感器的扩散机理,采用ScSZ基电解质和La0.8Sr0.2MnO3(LSM)混合导体材料,利用Pt浆粘结法,制备了致密扩散障型极限电流氧传感器,并分别测试了其在(O2)为0.81%～22.43%及温度873～1023K时的电流-电压曲线。通过实验分析,极限电流IL与?(O2)的关系更符合Knudsen扩散模型,建立在固体离子扩散方式下的理论,可对IL与温度T之间呈现出来的规律进行合理的解释。     

玻璃/Al_2O_3系MLCI介质材料的微观结构与性能研究

采用烧结法制备了一种低温共烧(LTCC)K_2O/Na_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃/Al_2O_3介质材料。系统研究了玻璃/Al_2O_3比例和烧结温度对介质材料结构与性能的影响。结果表明,材料烧结后只有Al_2O_3晶相,材料烧结属于液相烧结机制。介质的相对介电常数ε_r随Al_2O_3含量的增加而升高,Al_2O_3质量分数为35%时,经860℃烧结材料的性能最优:ε_r=5.93,tanδ=3.1×10~(–3),收缩率为16%,抗弯强度为159 MPa。所制备的介质材料能够用于高频MLCI领域。     

电子辐射对Si_3N_4结构的作用

以前的研究表明,高能电子束只对α-Si_3N_4产生辐射损伤。而对β—Si_3N_4不产生辐射损伤。本研究表明,高能电子束对于β—Si_3N_4虽然不象对于α-Si_3N_4那样,产生较严重的辐射损伤,但也可以产生损伤。我们对这种结构损伤进行高分辨电子显微镜观察,并且在原子水平上进行了研究。研究结果指出,高能电子     

Al_2O_3:Ti~(3+)晶体的激光Raman光谱研究

近年来,Al_2O_3:Ti~(3+)晶体被发现是一种很好的激光晶体.1984年,Albreeht等报道了这种晶体的荧光谱和400～900 nm范围的吸收光谱.同年,用这种晶体制成了660～980 nm的宽带调谐激光器.在Raman光谱研究方面,1967年Porto等用50W的Ar~(3+)离于激光,做了五种配置下Al_2O_3:Ti~(3+)晶体Raman光谱,发现了全部7根Raman线.本文报道创.Al_2O_3:Ti~(3+)晶体Raman光谱实验研究的新结果.主要实验设备有:Spex 1403型激光Raman光谱仪,波长范围为10000～30000cm~(-1), 分辨率为0.15cm~(-1).激发光源用Spootra Physics 2020型的氩离子激光器.     

氧化铝陶瓷激光选区熔化成形实验

采用激光选区熔化技术进行了Al_2O_3粉末和浆料的基础实验研究。实验结果表明,Al_2O_3粉末成形效果较差,而Al_2O_3浆料成形效果较好;激光功率对Al_2O_3浆料试样表面的质量具有重要影响,表面质量随激光功率的增加而不断提高。当激光功率为200 W,扫描速度为90mm/s时,Al_2O_3试样维氏硬度均值约为14.7GPa。     

新一代功率半导体β-Ga_2O_3器件进展与展望

Ga_2O_3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga_2O_3的基本性质,包括β-Ga_2O_3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga_2O_3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga_2O_3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga_2O_3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga_2O_3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。