今日SiC电子学

ＳｉＣ是近几年迅速发展的一种半导体材料,在微波功率器件、功率电子开关器件、高温工作器件等方面比Ｓｉ和ＧａＡｓ具更大的优势。本文介绍了ＳｉＣ材料特性、材料制备及目前器件研制水平。     

一种低压智能功率集成技术

本文介绍了一种以传统多晶硅栅ＶＤＭＯＳ工艺为主的新型自隔离智能功率集成工艺技术。该技术可以将ＶＤＭＯＳ、ＨＶ－ＣＭＯＳ、ＬＶ－ＣＭＯＳ、ｎｐｎ双极晶体管、齐纳二极管、电容等器件集成在同一单片电路中。整个工艺仅１０块掩模版。结合我们研制的高边智能功率开关电路，对器件结构、特性和工艺设计考虑进行了详细的分析。     

今日SiC电子学

ＳｉＣ是近几年迅速发展的一种半导体材料,在微波功率器件、功率电子开关器件、高温工作器件等方面比Ｓｉ和ＧａＡｓ具有更大的优势。本文介绍了ＳｉＣ材料特性、材料制备及目前器件研制水平。     

低功耗设计技术

前言 随着系统功率预算的不断紧缩，迫切需要新型低功率元器件。对通信基础设施而言，电路板冷却、机箱体积小型化以及系统可靠性在系统设计中都起着重要的作用。对ｅ－应用，电池寿命、热耗散和小体积尺寸是主要的设计难点。选用智能器件，辅以正确的设计技巧增加了符合功率预算的可能性。尽管可编程逻辑器件（ＰＬＤ）有很好的性能，然而却以牺牲功耗为代价。Ａｃｔｅｌ公司的抗熔断型ＦＰＧＡ提供低功耗且高性能应用的理想解决方案、本文涵盖Ａｃｔｅｌ ｅＸ系列以及ＳＸ／ＳＸ—Ａ系列器件，详细描述了器件的结构特点与设计技巧。抗熔断…     

SiC功率器件

本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ，ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势。     

一种新型p阱NMOS功率集成电路制作技术

提出一种新型的ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术，理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳ ＦＥＴ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成，实验结果表明，利用该技术获得的器件结构具有良好的击穿特性。     

双极——MOS功率半导体器件的发展动态

比较了双极－－ＭＯＳ功率半导体器件的五种基本构成方式;然后介绍该类器件发展的最新动态,着重阐述几种最新器件;最后分析预测了这类器件发展的方向。     

功率半导体器件综述

过去卅年间,电力电子器件的发展同功率半导体器件的进展是分不开的,因为几乎在电力电子器件的每个应用中,功率半导体器件都是关键性的。当人们把集成电路的硅片加工方法运用于功率器件的设计和制造之后,功率器件的设计便出现了一个新的分支,这就是用MOS门控结构来制作各种新型的传统器件。本文考查了功率器件的某些基本特性,并研究了它们对不久前采用的硅片加工技术可能造成的影响。     

3.1～3.4GHz50W硅功率晶体管

南京电子器件研究所研制成功工作频率３．１～３．４ＧＨｚ,脉冲宽度３００μｓ,占空比１０％,输出功率大于５０Ｗ,功率增益大于７ｄＢ,效率大于４０％的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为１００μｓ时输出功率大于６０Ｗ。器件的输出功率、增益和效率等特性所能达到的水平是工作频率的敏感函数。随着工作频率的提高,器件的高频功率优值（Ｐｏ·Ｒｏ）下降,微波寄生参量变得非常突出,信号损耗增大,造成器件的输出功率、增益和效率的大幅度下降。因少子迁移率的限制,硅功率器件一般工作于Ｓ波段以下。限制器件功率输出的另一重…     

MOS—双极功率半导体技术的进展

对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。     

新型功率MOS器件的结构与性能特点

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,分析比较了近十年来10种实用的具有新结构的功率MOS器件的结构与性能特点。     

新型功率半导体器件发展之我见

新型功率半导体器件既具有广阔的市场需求,又与风电、光伏、有轨交通等新兴产业密不可分,具有节能、节材、环保等效益,对促进可持续发展有重要意义。宽禁带半导体是功率器件实现飞跃的突破口,将引领功率器件发展的新时代。     

斩控式交流调压实验的设计

随着科学技术的飞速发展,现有的电力电子技术实验装置已经不能适应社会发展的要求。结合实验教学改革,对研发既能体现新的控制技术和科研成果,又能很好地满足关键知识点验证的实验项目,进行了有效的尝试。在此主要介绍研发本实验装置的背景,叙述了斩控式交流调压电路的结构,并阐述了实验装置的设计构想和设计结果。     

SVG与SVC在煤矿供电系统应用比较

随着采煤自动化程度提高,煤矿供电系统对电能质量要求越来越高。SVC和SVG都是解决电能质量问题的有效方法,而SVG作为一种新型的无功补偿装置,比传统的SVC装置有更多的优点。本文将在响应时间、谐波治理功能、占地面积、可靠性等方面对其进行详细的比较分析,为煤矿供电系统无功补偿装置选择提供参考意见。     

功率VDMOS器件的研究与发展

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史.针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题.对不同器件结构的优缺点进行了比较分析.对一些新型衍生结构...     

碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望

就目前来看,我国的科学技术得到快速发展。在这一背景下,半导体的器件在制作以及生产的工艺上都得到一定的发展。而碳化硅属于宽带材料的一种,其主要的特点是高热导率、高饱和电子漂移速率以及高击穿场强等。通过这种新型的半导体,可以实现大功率、高压以及高温应用。另外,由于碳化硅成本的大幅度降低,且其性能得到提升,使得碳化硅在电力系统中得到普遍使用。本文将对电子系统中碳化硅电力电子器件的应用进行了深入的分析以及探讨。     

SOI功率器件的新进展

回顾了应用于 SOI功率集成电路的 SOI功率器件的发展背景 ,论述了 SOI功率器件的开发现状 ,以及作为 SOI功率器件基础的 SOI材料制备技术和耐压结构研究的最新进展。同时指出了在 SOI功率器件研究中需要解决的问题 ,以及今后的研究发展重点     

新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅰ)

目前第一代半导体功率器件的制造技术和应用技术已趋于成熟,S波段及以下波段功率器件的输出功率、工作效率和可靠性指标都已达到相当高的水平。近年来第二代半导体功率器件的制造技术和应用技术发展迅速,S波段、C波段和X波段的器件已经形成了一定的系列化商品。但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求,半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多,Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高,而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求。     

IGBT功耗计算及其优化的研究

绝缘栅双极晶体管(IGBT)因具备双极和功率MOSFET两种特性的独特优势,在超高电压电力传输、新能源的开发利用等方面获得广泛应用。但目前国内IGBT发展滞后,且其功耗性能及优化一直是国际上功率器件领域内研究的热点和难点。在先前研究的IGBT模型的基础上,对PSpice软件仿真所得的实验数据利用一种新的计算方法,对IGBT的静态功耗和动态功耗进行了定量计算,并与实际IGBT的功耗值进行对比。结果表明,两者的数据基本一致,同时对IGBT功耗的优化进行了探讨研究。     

大功率微波真空电子学技术进展

本文综述了近十年来微波真空电子技术进展,由于其在现代军事装备中的重要作用和近十年来技术上取得的进步,使微波真空电子器件在未来30年中仍然是国防装备的核心器件.大功率行波管、微波功率模块(MPM)、多注速调管、回旋管和微型真空电子器件等是正在发展中的重要器件;真空电子器件和半导体器件之间的相互结合与渗透,必将建立兼有两者优点的、性能更加优良的新一代大功率微波电子器件.