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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
介绍了一种C波段低噪声放大器的设计原理和方法,并给出了设计结果和测试结果。为了达到较高的增益和较好的增益平坦度,采用两级级联加一级单片放大的结构,利用Designer V2仿真优化功能设计了输入、输出及级间匹配电路。最后设计的放大器在6GHz-6.5GHz范围内增益48.47±0.4dB,噪声系数小于1.2dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于1.5。该LNA模块的试验测试结果和设计符合很好。  相似文献   

2.
设计了一个应用于超宽带(UWB)系统的3~5 GHz超宽带低噪声放大器.电路由二阶切比雪夫滤波器,电阻并联反馈,两级共源共栅结构,源级跟随器组成.低噪声放大器采用0.18 mCMOS工艺进行设计,利用ADS 2006 A进行仿真.结果表明,低噪声放大器在3~5 GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于2dB,功率增益在23.9~24.8 dB之间,输入端口反射系数小于-10dB,输出端口反射系数小于-15dB,IIP3为-11dBm在1.8 V的电源电压下,核心电路功耗为10 mW.  相似文献   

3.
采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz~2.4GHz宽带低噪声放大器。采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度。仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz~2.4GHz,频带内噪声系数为1dB,增益为34dB,增益平坦度为3.1dB,回波损耗优于-10dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求。  相似文献   

4.
基于65 nm CMOS工艺,设计了一款工作频率为33~48 GHz的毫米波宽带低噪声放大器。采用两级共源共栅(cascode)结构,使用噪声减小技术优化了噪声系数,并运用错峰匹配网络提高了低噪声放大器的增益平坦度并扩展带宽。测试实验表明,该款低噪声放大器的1dB带宽为35~45 GHz, 3dB带宽为33~48 GHz,最大增益为20.6 dB,电路直流功耗为24.8 mW,最小噪声系数为4.2 dB。  相似文献   

5.
运用变压器反馈技术,基于65 nm CMOS工艺设计了一款紧凑型宽带低噪声放大器。电路采用两级共源共栅结构,基于变压器的输入匹配网络实现了宽带输入匹配,漏源正反馈提高了电路的增益,漏源负反馈增强了其稳定性,电路总面积仅为0.156 mm2。仿真结果表明,设计的宽带低噪声放大器的最大增益为18.2 dB,3dB带宽为31~45 GHz, 1 dB带宽为32~44 GHz。在36 GHz时,最低噪声系数为4.5 dB,1dB带宽内噪声系数均低于5.2 dB。  相似文献   

6.
利用仿真软件先进设计系统(ADS2009)设计中心频率为1575MHz的低噪声放大器,应用于手机全球定位接收系统。选用恩智浦公司的BGU8009放大器芯片作为放大电路,通过外围匹配电路设计,使用最少的元件构成单级、低成本的低噪声放大器电路。仿真结果显示,放大器的增益大于16dB,噪声系数小于0.75dB,增益平坦度比较好,稳定系数大于1,达到系统要求的各项指标,并具有一定裕量。  相似文献   

7.
设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和四分之一阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用GaAs赝调制掺杂异质结场效应晶体管( pHEMT)器件,在PCB板上实现了低噪声放大器的加工,加工测试结果与原理图仿真结果基本符合.测试结果表明,该低噪声放大器的增益达到12±1.5 dB,最小噪声系数为1.8 dB,输入输出匹配结果良好.  相似文献   

8.
该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1.0dB,输出驻波比小于1.3,输入驻波比小于2.5。  相似文献   

9.
在系统中集成超宽带(UWB)收发机芯片用于支持室内定位正成为移动通信终端技术发展的一个重要趋势.在超宽带收发机中,低噪声放大器(LNA)是一个核心功能模块.超宽带的全频段(3.1~10.6 GHz)覆盖要求给低噪声放大器的设计带来了巨大挑战,尤其是需要在宽带匹配及在带内维持平坦的噪声系数的情况下.传统的低噪声放大器架构应用在超宽带设计时,噪声、增益和输入匹配之间存在较明显的性能折中关系,因此无法达到良好的综合性能指标要求.本文采用基于变压器反馈的输入匹配的第一级架构和多功能第二级输出驱动结构,实现了平坦的噪声系数和高增益等性能.基于TSMC 65 nm工艺设计的电路仿真结果表明,该低噪声放大器在3.1~10.6 GHz全频段内,可实现输入匹配S_(11)-10 dB,增益17 dB,噪声系数2.71±0.28 dB,1-dB压缩点-17.5 dBm等指标,电路整体功耗为32.8 mW.因此,综合性能Ⅰ(FoM-Ⅰ)和综合性能Ⅱ(FoM-Ⅱ)分别可达2.32和0.41.  相似文献   

10.
利用ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法及主要步骤,使用ADS器件库中的sp模型,重点进行了输入和输出匹配电路的设计.低噪声放大器工作在L波段,噪声系数小于1.8dB,增益大于13dB.通过设计可以看出,利用ADS进行微波电路仿真,可以很方便的得出最佳电路设计,指标完全符合规定值.  相似文献   

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