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《电子技术与软件工程》2017,(15)
本论文以Buck降压斩波为核心,以TI公司的降压控制器LM5117芯片CSD18532KCS MOS场效应管为核心器件,设计并制作一个降压型直流开关稳压电源,整个系统分为两种模式,一种是恒压,另一种是恒流,输入16V时,输出直流电压为5V,输出电流可调并大于3A,具备过流保护功能和识别负载能力,输出噪声纹波电压峰峰值达到题目要求,电源实测效率达到89.8%。 相似文献
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本文利用PWM芯片TL494,来控制开关电源管IRFP460的导通和截止,利用单片机为控制核心的开关稳压电源,可以输出可调电压在30V-36V之间,最大输出电流为2A;通过键盘能对输出电压进行键盘设定和一伏的步进调整,并通过液晶显示器件显示电流和电压值,同时开关稳压电源具有过流与过压保护功能. 相似文献
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提出了一种小型可调压DC-DC降压变换器的结构。主电路由MOSFET管、电感器及滤波电容器构成。通过PWM波控制,由于PWM波的驱动能力较差,设计驱动电路通过与PWM发生器一同控制MOSFET管的通断。通过改变PWM波的占空比来改变输出电压以达到可调压的目的。该降压变换器设计简单、经济适用、体积较小,输出电压可调。主要由主电路和驱动电路组成。该变换器适用于较低压工作场合,输入电压在5V至20V之间,输出电压在3V至18V之间。对电路的工作原理和结构进行了深入分析,并通过实物制作验证其可行性。 相似文献
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设计了一种在供电电源电压稍高于MOS管阀值的超低压条件下就能正常工作的宽输入电压范围的DC/DC变换器。电荷泵的启动模块和Boost升压模块集成于同一芯片中,在电压低于2.2V(typical)时,芯片包括两部分的工作过程,首先由电荷泵的启动模块使电压升高至2.2V,然后由输出电压为Boost转换器模块供电,使芯片正常工作。输入电压高于2.2V时,只有Boost模块工作。为使芯片实现高效率的转换,在轻载情况下,采用PFM调制模式;在重载情况下,采用PWM调制模式;通过逻辑控制两种模式自动切换,实现了良好的负载调整率。芯片采用SMIC 0.5um CMOS工艺设计并流片测试,在0.83V的电源电压时,芯片能正常启动工作。在电压VIN=1.2V,VOUT=3.3V时,最大效率达到87%,所有电压和负载范围内效率不低于50%。该芯片可用于单电池供电的系统中。 相似文献
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针对目前的电源普遍存在输出恒定、精度较差的问题,设计了一种基于单片机的新型数控直流电源。主要分为电源模块,单片机控制模块,数码管、按键模块和PWM波输出驱动模块这4部分。首先通过键盘输入预期的电压值,单片机根据输入值输出不同占空比的PWM波,控制可控稳压芯片LM317的输出,输出结果在数码管上显示。在整个系统中,由专门的电源稳压模块提供稳定电压以减小误差。输出电压范围为0.00~15.00 V,电流范围0~1 A,误差不超过5%,具有使用灵活、精度高、工作稳定,成本低的优点,适宜推广使用。 相似文献
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设计了一种降压型LED恒流驱动芯片。该芯片采用电流滞环控制技术对输出电流进行恒流控制,实现输出高达2 MHz的开关频率。通过比较外部反馈电阻上的压降与芯片内部的滞环电压,使输出电流的波形为滞环变化三角波。采用了全新的自适应滞环电压产生电路,以补偿芯片内部的延时,实现了在2 MHz的开关频率下小于3%的恒流精度。该LED恒流驱动芯片采用ASMC 0.35 μm 5 V/60 V BCD工艺,工作电源电压范围为5~60 V,最高工作频率为2 MHz,典型平均输出电流为700 mA。该芯片具有PWM调光功能,通过DIM信号的占空比来调节LED的亮度。 相似文献
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TI生产的LM3481将开关电源的输入电压范围降低到了一个新台阶,最低工作电压仅2.9V.分析和研究采用PWM方法调制的高性能稳压控制芯片LM3481,以其为核心设计制作了一款体积小、功耗低、频率高、输入范围宽的DC/DC升降压型变换器,电路采用SEPIC拓扑结构.实测表明:LM3481 DC/DC变换器特别适合于物联网中的小型太阳能供电系统对3.3V电压的需求,能够很好地将不稳定的太阳能板输出电压转换为稳定电压供负载节点长久使用.LM3481给出了一个比单靠电池供电更优化的电源解决方案. 相似文献
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<正> 一、引言 时延模型是逻辑模拟、开关级模拟、定时模拟以及定时分析与验证中的基本问题。目前时延模型大多为经验式的。其分析结果与实际电路时延相差很大。实际电路时延特性的复杂性是造成这种情况的主要原因,晶体管尺寸、阈值电压、基元互联、负载电容、输入波形,以及晶体管在电路中的使用方式等因素都将影响电路的时延。 本文在作者近来工作的基础上,提出了基于时延势概念的一种理论上自洽的时延建模方法,所得模型简单,精度较以往时延模型提高,从而为节点时延势方程理论的实用化奠定了基础。 相似文献
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Liu Dong-Sheng 《Microelectronics Journal》2010,41(1):51-55
A novel diode-connected MOS transistor for ultra-high-frequency (UHF) micro-power rectifiers was presented, and a high efficiency N-stage charge pump voltage rectifier based on this new diode-connected MOS transistor was designed and implemented. The new diode-connected MOS transistor and the rectifier are designed and fabricated in SMIC 0.18-μm 2P3M CMOS embedded EEPROM process. The structure design of the new diode achieved 315 mV turn-on voltage, and 415 nA reverse saturation leakage current. Compared with traditional rectifier, the rectifier using the presented diode-connected MOS has higher power conversion efficiency (PCE), higher output voltage and smaller ripple coefficient. When the RF input is a 900-MHz sinusoid signal with the amplitude ranging from 0.8 to 1.8 V, PCEs of the charge pump rectifier with only 3-stage are more than 30%, and the maximum output voltage is 5.02 V, and its ripple coefficients are less than 1%. 相似文献
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为了改善多路输出正激变换器交叉调整率,提出了一种基于ARM自动识别主辅路同步控制的控制策略。利用ARM实时采样各路输出端的实时输出电压和负载电流,计算每一路的输出功率,根据设定的判断规则,设别出主路和辅路。主路采用PID电压环控制方法,ARM输出相应的PWM波驱动主开关和同步整流开关。对辅路采取了副边电压环控制,产生相应的使能信号控制辅路同步整流开关是否接受驱动信号,以提高辅路输出的电压精度,以及减小相应的交叉调整率。实验结果表明,利用该控制策略所设计的双路输出正激变换器获得了小于5.5%的交叉调整率。 相似文献