New insert layer structure OLEDs

An insert layer structure organic electroluminescent device(OLED) based on a new luminescent material(Zn(salen) ) is fabricated. The configuration of the device is ITO/CuPc/NPD/Zn(salen) /Liq/LiF/Al/CuPc/NPD/Zn(salen) /Liq/LiF/Al. Effective insert electrode layers comprising LiF(1nm) /Al(5 nm) are used as a single semitransparent mirror,and bilayer cathode LiF(1 nm) /Al(100 nm) is used as a reflecting mirror. The two mirrors form a Fabry-Perot microcavity and two emissive units. The maximum brightness and luminous efficiency reach 674 cd/m2 and 2.652 cd/A,respectively,which are 2.1 and 3.7 times higher than the conventional device,respectively. The superior brightness and luminous efficiency over conventional single-unit devices are attributed to microcavity effect.     

New insert layer structure OLEDs

An insert layer structure organic electroluminescent device（OLED） based on a new luminescent material （Zn（salen）） is fabricated. The configuration of the device is ITO/CuPc/NPD/Zn（salen）/Liq/LiF/A1/CuPc/NPD/Zn（salen）/Liq/LiF/A1. Effective insert electrode layers comprising LiF（1nm）/Al（5 nm） are used as a single semitransparent mirror, and bilayer cathode LiF（1 nm）/A1（100 nm） is used as a reflecting mirror. The two mirrors form a Fabry-Perot microcavity and two emissive units. The maximum brightness and luminous efficiency reach 674 cd/m^2 and 2.652 cd/A, respectively, which are 2.1 and 3.7 times higher than the conventional device, respectively. The superior brightness and luminous efficiency over conventional single-unit devices are attributed to microcavity effect.     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,发光的峰值波长为444nm。     

基于混合配体Znq(DBM)的单色和白色OLED

以8-羟基喹啉(q)和1,3-二苯基-1,3-丙二酮定向合成了有机小分子配合物Znq(DBM),将其作为发光层制备了单色有机电致发光器件(OLED)。在结构为ITO/m-MTDATA(5nm)/NPB(40nm)/Znq(DBM)(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)的器件中,启亮电压为5V,最大亮度达到4 575cd/m2。同时又在器件中引入间隔层BCP,研究其不同厚度对OLED性能的影响。在结构为ITO/m-MTDATA(5nm)/NPB(40nm)/BCP(x nm)/Znq(DBM)(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)的器件中,当BCP层厚为0nm时,发光颜色为黄绿色;当BCP层厚为1nm时,发光颜色为白色,色坐标为(0.29,0.33),最大亮度为2 231cd/m2;当BCP层厚为5nm时,发光颜色为蓝色。根据器件结构和性能,讨论了其内部机理。     

高效率双发光层结构白色荧光有机电致发光器件

通过将橙色荧光染料Rubrene和蓝色荧光染料BCzVBi分别掺入NPB和DPVBi中作为发光层,制备了结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/NPB(20nm)/NPB∶0.5wt% Rubrene(10nm)/DPVBi∶5wt% BCzVBi(15nm)/Bphen(25nm)/LiF(0.6nm)/Al的双发光层结构白色有机荧光电致发光器件。器件发光主要是Rubrene直接俘获载流子和主体材料DPVBi到客体BCzVBi的能量传递两种发光机制竞争的结果。在低压下Rubrene俘获载流子发光占主导地位,导致器件的橙光相对较强,随电压升高主客体能量传递增强,使蓝光相对强度增强。器件最大电流效率为6.5cd/A,最大亮度为16 140cd/m2。亮度从1 000cd/m2增加到10 000cd/m2,器件的发光色坐标从(0.33,0.37)变化到(0.30,0.32),始终处于白光区。     

发光层掺杂蓝色OLED的光电性能研究

采用真空热蒸镀技术,在不同的掺杂浓度下,制备了4种双异质型结构的蓝色有机电致发光器件(OLED),其结构为ITO/CuPc(30 nm)/NPB(40 nm)/TPBi(30 nm):GDI691(x%)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(50 nm),其中x%为发光层掺杂浓度,分别取1、2、3和4 %.从实验结果分析可知:蓝色OLED的电流-电压(I-V)特性曲线、亮度-电压(L-V)曲线、亮度-电流(L-I)曲线及效率等光电性能随着发光层掺杂浓度的变化而改变.当驱动电压为15 V、掺杂浓度为3%时,器件可获得最大亮度6100 cd·m-2,色坐标CIE为x=0.147、y=0.215,最大流明效率为1.221 m·W-1,电致发光(EL)发光光谱的峰值为468 nm.     

无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极

采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V).     

以CzHQZn为主体的有机发光器件的发光效率

采用真空热蒸镀技术,分别制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/CzHQZn(10～25nm)/TPBi(35nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:x%CzHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:10%CzHQZn(xnm)/Alq3((70-x)nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED)。器件中,CzHQZn既有空穴传输特性,又是黄光发射的主体。为了提高其发光效率,利用磷光敏化技术,研究了掺杂层中不同掺杂浓度和掺杂层不同厚度时器件的发光效率。结果表明,器件的效率随着掺杂发光层的厚度和掺杂浓度的变化而改变,当发光层的厚度为18nm时,CzHQZn掺杂浓度为10%的器件性能较好;在10V电压下,器件的最大电流效率达到3.26cd/A,色坐标为(0.4238,0.5064),最大亮度达到17560cd/m2。     

利用磷光敏化和空穴阻挡层提高白光OLED性能

利用磷光敏化和BCP的空穴阻挡作用,制备了结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPBX(20nm)/rubrene(0.2nm)/NPBX(5nm)/CBP∶6%Ir(ppy)3∶15%ADN(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的有机白光器件。器件在电压为7V的情况下,最大发光效率达到5.80cd/A,在12V的电压下最大亮度达12395cd/m2,色坐标为(0.30,0.30),接近白光等能点(0.33,0.33),比非敏化器件最大发光效率3.10cd/A(7V)和最大亮度10390cd/m2(12V)及非敏化不加空穴阻挡层BCP的器件最大发光效率2.13cd/A(8V)和最大亮度8852cd/m2(12V)的性能提高很多。     

基于ADN:TBPe发光层的蓝光OLED器件

全色显示是有机电致发光显示(OLED)器件发展的目标,而高性能蓝色发光器件,也是目前有机电致发光显示研究的热点。以NPB和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层,制作了结构为ITO/CuPc(150nm)/NPB(500nm)/ADN(300nm)∶TBPe(30nm)/Alq3(350nm)/RbF(20nm)/Al(1000nm)的蓝光OLED器件,发光亮度达8600cd/m2,发光效率达2.669cd/A,色坐标(X=0.1315,Y=0.1809)。研究发现ADN∶TBPe发光层体系的引入大大改善了蓝光器件的发光效率和性能。     

C_(60)作激子阻挡层的有机发光二极管

制备了结构为ITO/CuPc(25nm)/NPB(40nm)/Alq3(xnm)/C60(ynm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有机发光二极管(OLEDs),研究了C60插入层对器件性能的影响。结果表明,在无C60的器件中,当Alq3层较厚时,器件的电流密度-电压(J-V)曲线右移,不利于获得高功率效率;当Alq3层较薄时,又会导致激子在LiF/Al阴极的严重淬灭。实验优化得出,在无C60的器件中,Alq3厚为45nm的器件可获得最高的功率效率。在Alq3与LiF之间插入15nmC60层后,对器件的J-V曲线几乎没有影响,但C60层阻挡了激子向阴极扩散,减少了淬灭。当在Alq3厚度为45nm的器件的Alq3和LiF间插入15nmC60层后,可使器件获得更高的功率效率,尤其是插入15nmC并将Alq厚度降至30nm,获得了最大的功率效率。     

High‐Purity‐Blue and High‐Efficiency Electroluminescent Devices Based on Anthracene

Novel blue‐light‐emitting materials, 9,10‐bis(1,2‐diphenyl styryl)anthracene (BDSA) and 9,10‐bis(4′‐triphenylsilylphenyl)anthracene (BTSA), which are composed of an anthracene molecule as the main unit and a rigid and bulky 1,2‐diphenylstyryl or triphenylsilylphenyl side unit, have been designed and synthesized. Theoretical calculations on the three‐dimensional structures of BDSA and BTSA show that they have a non‐coplanar structure and inhibited intermolecular interactions, resulting in a high luminescence efficiency and good color purity. By incorporating these new, non‐doped, blue‐light‐emitting materials into a multilayer device structure, it is possible to achieve luminance efficiencies of 1.43 lm W^–1 (3.0 cd A^–1 at 6.6 V) for BDSA and 0.61 lm W^–1 (1.3 cd A^–1 at 6.7 V) for BTSA at 10 mA cm^–2. The electroluminescence spectrum of the indium tin oxide (ITO)/copper phthalocyanine (CuPc)/1,4‐bis[(1‐naphthylphenyl)‐amino]biphenyl (α‐NPD)/BDSA/tris(9‐hydroxyquinolinato)aluminum (Alq₃)/LiF/Al device shows a narrow emission band with a full width at half maximum (FWHM) of 55 nm and a λ_max = 453 nm. The FWHM of the ITO/CuPc/α‐NPD/BTSA/Alq₃/LiF/Al device is 53 nm, with a λ_max = 436 nm. Regarding color, the devices showed highly pure blue emission ((x,y) = (0.15,0.09) for BTSA, (x,y) = (0.14,0.10) for BDSA) at 10 mA cm^–2 in Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates.     

高饱和度蓝色磷光有机发光器件

使用典型天蓝色磷光材料FIrpic作为磷光金属微腔有机发光器件（OLED）的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极和半透明的Al膜作为阳极底电极,采用空穴和电子注入层MoO3和LiF,制备了结构glass／Al（15nm）／MoO3（znm）／NPD（40nm）／mCP：Flrpic（30Ftm,7％）／BCP（20n...     

锌金属配合物BFHQZn的白色有机电致发光器件

利用新型荧光染料2-溴-4-氟苯乙烯-8-羟基喹啉锌(BFHQZn,(E)-2-(2-bromo-4-fluorostyryl)quinolato-Zinc)的电致发光(EL)特性,制备了非掺杂型的有机电致白光器件(WOLED)。器件的结构为ITO/CuPc(10nm)/NPBX(25 nm)/BFHQZn(18 nm)/NPBX(xnm)/BCP(10 nm)/Alq3((47-x)nm)/LiF(0.5 nm)/Al,当x为12时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为1.11 cd/A(at 10 V),最大的亮度为817 cd/m2(at 15 V),当驱动电压从7 V(启亮)升高到15 V(最高亮度)时,器件色坐标由(0.32,038)改变为(0.30,0.28)。     

PMOLED发光特性的研究

为了研究PMOLED器件的物理特性。在Alq3主体材料中掺杂C545制备了PMOLED发光器件．其单象素结构为TO（120nm）／CuPc（12nm）／NPB（50nm）／Alq3：C545（30nm）／LiF（1nm）／Al（200nm），色坐标为（0．276，0．589）。该器件的载流予注入模型，在起亮前符合热发射注入模型；起亮后满足遂穿注入模型。PMOLED能较好地满足朗伯定律，并具有响应速度快，视角宽，色彩保真度高等特性。     

电子传输层厚度对LiBq4蓝色有机电致发光器件的影响

制备了以LiBq4为发光层,结构为ITO/CuPc/TPD/LiBq4/Alq3/LiF/Al的器件.器件的电致发光(EL)光谱与LiBq4薄膜的光致发光(PL)光谱相同,峰值波长均为492nm.改变电子传输层Alq3的厚度时,器件的电流-电压特性及发光光谱随之发生变化,当电子传输层的厚度为5nm时,既可以避免电子传输层的发光,又可以降低器件的工作电压.     

新型双空穴注入型高效有机电致发光二极管

采用一种新型有机电致发光二极管（OLED）的阳极结构,在玻璃衬底上以半透明的A1膜为出光面,通过在空穴注入层（HIL）和空穴传输层（HTL）中间插入MoOa层,制备了底发射OLED。制备的器件结构为Glass／Al（15nm）／HAT—CN（IOnm）／M003（30nm）／NPB（30nm）／Alq3（60nm）／B...     

一种新型蓝色有机电致发光器件及其发光机理

利用5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)超薄层制备了一种蓝光有机电致发光器件(OLED),器件结构为ITO/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,18-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)(50nm)/2,9-d...