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相似文献
 共查询到15条相似文献,搜索用时 203 毫秒
1.
用原位聚合方法合成了以微米Mg(OH)2粒子为芯材、交联聚脲为壁材的微胶囊Mg(OH)2(M-Mg(OH)2)阻燃剂,并把M-Mg(OH)2加入到乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)中,研究了M-Mg(OH)2对EVA的阻燃作用。采用FTIR、SEM、热分析和酸滴定方法研究了M-Mg(OH)2的性质,用极限氧指数(LOI)和垂直燃烧方法(UL-94)研究了M-Mg(OH)2/EVA复合材料的阻燃性能以及酸腐蚀对M-Mg(OH)2/EVA复合材料阻燃性能的影响。结果表明,采用原位聚合方法能够成功地在Mg(OH)2粒子表面包覆交联聚脲壁材,得到M-Mg(OH)2。与纯Mg(OH)2相比,M-Mg(OH)2的颗粒尺寸增大,热稳定性增加,在水中溶解度显著降低,在EVA基体中分散更加均匀。阻燃剂用量相同时,M-Mg(OH)2/EVA复合材料的LOI总是比Mg(OH)2/EVA复合材料的数值稍大。阻燃剂与EVA质量比小于135∶100时,两种复合材料的垂直燃烧级别均为V-2级,阻燃剂与EVA质量比在135∶100~150∶100之间时,前者的燃烧级别为V-0级,而后者只能达到V-2级,阻燃剂与EVA质量比超过150∶100时,两种复合材料都能达到V-0级。M-Mg(OH)2/EVA复合材料的耐酸性比Mg(OH)2/EVA大幅度提高,可以在酸性环境中使用。  相似文献   

2.
采用浸胶法制备了一系列SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜Am An PAn Am,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数的纳米SiO2-Al2O3/PI薄膜。采用TEM、FTIR、宽频介电谱仪、电导电流测试仪、耐电晕测试仪、介电强度测试仪和拉伸实验机对五层纳米复合PI耐电晕薄膜的微观结构、介电性能和力学性能进行了表征和测试。结果表明,SiO2-Al2O3/PI复合薄膜掺杂层形成了分布均匀的有机/无机复合结构;SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素,复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大,为23.4 h;外层掺杂量对五层SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电强度影响较大,复合薄膜A20A28PA28A20的介电强度最大,为302.3 kV/mm;通过对五层复合结构的设计,可以在兼顾材料力学性能的同时,提高其耐电晕寿命和介电强度。  相似文献   

3.
以油酸为有机配体,采用两相方法合成了油溶性的超小尺寸纳米晶体纳米ZrO2(nano ZrO2),并对nano ZrO2表面包覆的油酸改性使纳米晶体与聚酰胺酸(PAA)接枝,通过旋膜法热亚胺化后形成nano ZrO2/聚酰亚胺(PI)复合超薄膜。利用TEM、XRD、FTIR和SEM等对nano ZrO2及nano ZrO2/PI复合超薄膜进行表征,并对nano ZrO2/PI复合超薄膜的介电性能进行了探究。结果显示,nano ZrO2尺寸均一(5.0 nm左右),为锐钛矿晶型,其晶体结构和尺寸不受改性接枝影响。nano ZrO2在复合超薄膜中分散良好。电学研究表明,复合超薄膜的介电性能受nano ZrO2与PAA质量比及制膜热亚胺化温度的影响。当PAA∶ZrO2质量比为2∶3、热亚胺化温度为320℃时,介电常数达到最大,几乎是纯PI薄膜的2倍。两相法-改性接枝-热亚胺化制备PI复合超薄膜的方法简单高效,能够避免无机粒子在PI基体内的团聚并提高介电性能,对于PI基复合薄膜的制备、应用及推广具有重要意义。  相似文献   

4.
用不同用量硅烷偶联剂处理纳米Al2O3粉体,并借助超声波以一定方式将其均匀分散于聚酰胺酸溶液中,制备出不同偶联剂用量的PI/纳米Al2O3杂化薄膜,并对该杂化薄膜的断面形貌、聚集态结构、热稳定性、力学性能、电击穿场强进行表征测试分析.结果表明,偶联剂用量对PI杂化薄膜的聚集态结构影响较小,但对无机纳米粒子在PI基体中的分散状态有较大影响,当偶联剂AE3012的用量为无机粒子质量分数的4%时,该PI杂化薄膜的热稳定性、力学性能、电击穿场强均最高.  相似文献   

5.
偶联剂对聚酰亚胺/纳米Al2O3杂化薄膜结构与性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
将经不同种类硅烷偶联剂改性的纳米Al2O3粒子借助超声波以一定方式均匀分散于聚酰胺酸胶液中,制备聚酰亚胺/纳米Al2O3杂化薄膜,并对该杂化薄膜的微观形貌、分子链有序度、热稳定性、力学性能、电击穿场强进行表征与测试.结果表明,偶联剂种类影响杂化薄膜的分子链有序度,在使用4种偶联剂改性纳米Al2O3制备的PI杂化薄膜中,使用偶联剂KH550的Pl杂化薄膜的热稳定性、力学性能最好;使用AE3012的PI杂化薄膜的电击穿场强最高.  相似文献   

6.
采用原位聚合与热亚胺化的方法,成功制备了一系列不同纳米Al_2O_3粒子质量分数的纳米Al_2O_3/聚酰亚胺(PI)复合薄膜。通过SEM、TEM、XRD、FTIR、LCR数字电桥、高压电源及电子万能材料试验机对纳米Al_2O_3/PI复合薄膜的微观结构、介电性能及力学性能进行了表征和测试。结果表明:纳米Al_2O_3粒子在均匀地分散在PI基体中;当纳米Al_2O_3粒子质量分数为8%时,纳米Al_2O_3/PI复合薄膜的击穿强度和拉伸强度均达到了最大值;纳米Al_2O_3/PI复合薄膜的介电常数随纳米Al_2O_3质量分数的增加而增加。  相似文献   

7.
以Ti(SO42和Zn(NO32为原料,采用水热法制备TiO2-ZnO复合中空微球光催化剂。通过FTIR、XRD、SEM、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、XPS及N2吸附-脱附等方法对TiO2-ZnO复合光催化剂的结构和性能进行表征,并以亚甲基蓝(MB)为目标降解物,评价TiO2-ZnO复合中空微球光催化活性。结果表明,TiO2-ZnO光催化剂具有中空微球结构,粒径为1~2 μm,比表面积为30.46 m2/g。TiO2的加入可提高ZnO对光的吸收,有效降低电子空穴复合率。在高压Hg灯照射下,TiO2-ZnO复合中空微球的光催化性能均高于纯ZnO,其中Zn(NO32与Ti(SO42摩尔比为1:0.7条件下制备的TiO2-ZnO复合中空微球样品表现出较好的光催化活性,光照60 min,对MB的降解率可达95.8%,其光催化降解速率是纯ZnO的4.3倍。   相似文献   

8.
纳米Al2O3的晶型对聚酰亚胺杂化薄膜性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
将经偶联剂处理的纳米Al2O3粉体,借助超声波以一定方式均匀分散于聚酰胺酸溶液中,制备出Al2O3不同晶型、不同含量的PI/纳米Al2O3杂化薄膜,并对杂化薄膜微观形貌、聚集态结构、光透过率、热稳定性、电击穿场强进行研究,分析Al2O3晶型和含量对PI/纳米Al2O3杂化薄膜的结构和性能的影响.结果表明:PI/纳米Al2O3杂化薄膜的热稳定性,电击穿场强均高于纯PI薄膜,且随着纳米Al2O3含量的提高热稳定性也随之提高,电击穿场强先升高后降低;填充Al2O3粉体的晶型对PI薄膜分子链堆积密度有较大的影响,导致添加不同晶型Al2O3的杂化薄膜性能的差异.  相似文献   

9.
通过在碳纳米管(CNTs)表面进行功能化修饰,改善CNTs与聚偏氟乙烯(Polyvinylidene Fluoride,PVDF)的分散性及界面结合程度,从而获得优异的力学性能和电学性能,提高其在传感器、致动器和储能方面的应用性能。采用原位水热合成法,在CNTs表面修饰磁性Fe3O4纳米粒子,然后将Fe3O4-CNTs加入PVDF中,采用流延工艺制备出Fe3O4-CNTs/PVDF复合薄膜。采用SEM、TEM、XRD和DSC研究了Fe3O4-CNTs/PVDF复合薄膜的结构和结晶行为,采用动态力学分析(DMA)、宽带介电谱测试系统和交流击穿场强测试系统研究了Fe3O4-CNTs对复合材料力学性能、介电性能及击穿场强的影响。结果表明:Fe3O4-CNTs的引入促使PVDF形成了β晶相,同时抑制了Fe3O4-CNTs/PVDF复合材料结晶度的下降;提高了弹性模量,抑制了阻尼特性下降;提高了介电常数和击穿场强,抑制了介电损耗升高。  相似文献   

10.
利用插层法和溶胶-凝胶法制备了不同含量的蒙脱土/ 二氧化钛/ 聚酰亚胺(MMT/ TiO2 / PI) 纳米杂化薄膜。采用傅立叶红外光谱、紫外可见光谱、扫描电镜和热重分析等对该体系的分子结构、断口形貌和热性能进行了表征, 同时研究了聚酰亚胺杂化薄膜低温(77 K) 力学性能。结果表明, 纳米粒子与基体结合情况良好, 热分解温度Td有所上升。TiO2 / PI 杂化薄膜低温拉伸强度随TiO2 质量分数增加而有所下降; 而MMT/ TiO2 / PI 杂化薄膜拉伸强度随TiO2质量分数增加而增加并在TiO2质量分数为2 %时达到最大值, 说明TiO2 与MMT 超混杂产生了协同效应。另外, 弹性模量随无机颗粒含量的增加而提高, 但断裂伸长率则下降。   相似文献   

11.
将掺杂纳米Al2O3的聚酰胺酸与未掺杂聚酰胺酸在玻璃板上逐层涂膜,热亚胺化制备了3层聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜.采用扫描电镜(SEM)对该薄膜的微观形貌进行了表征,测试了薄膜的热稳定性、力学性能及电击穿场强.结果表明,复合薄膜的热性能及电击穿场强均高于掺杂薄膜及未掺杂膜,当热失重达到10%时,复合薄膜的热分解温度达到了629.1℃;与掺杂薄膜相比,复合薄膜的力学性能得到明显提高,拉伸强度和断裂伸长率分别为117.4 MPa和18.5%.  相似文献   

12.
高压直流电缆附件在电力系统运行中,由于复合绝缘电导率不匹配极易导致电场畸变引发绝缘故障。针对这一问题,采用直接共混法制备了不同掺杂浓度的纳米TiO2/液体硅橡胶(LSR)复合材料,并对其微观形貌和介电性能进行了测试研究。结果表明:纳米TiO2粒子在LSR基体中分散较均匀,随着TiO2掺杂含量的增加,纳米TiO2/LSR复合材料试样的相对介电常数和介质损耗因数增大。当纳米TiO2粒子添加量为4wt%时,纳米TiO2/LSR复合材料的电导率与电缆主绝缘交联聚乙烯(XLPE)的电导率近似相等,且随着电场强度的增大,两者的电导率变化趋势也基本一致。电声脉冲法(PEA)测量结果表明,添加4wt% TiO2的纳米TiO2/LSR复合材料内积聚的空间电荷最少。纳米TiO2粒子的掺杂,提高了TiO2/LSR复合材料电缆附件绝缘电导率对电场强度的响应依赖特性,使其能与XLPE绝缘电导率较好地匹配,同时一定程度地抑制了空间电荷的积累,有助于直流电缆附件内复合绝缘电场的均匀分布。   相似文献   

13.
为改善聚酰亚胺(PI)基复合薄膜界面相容性,达到提高其介电性能的目的,利用钛酸正丁酯的水解反应在钛酸钡纳米粒子(BT)表面包覆水合TiO_(2)。采用聚多巴胺(PDA)进一步包覆改性粒子,制备出具有核-双壳结构的钛酸钡纳米粒子(BT@TiO_(2)@PDA)。利用核-双壳结构形成双重梯度缓冲层,减小高介电钛酸钡纳米粒子和低介电聚合物之间由于介电常数差异造成的电场畸变。通过溶液流延法制备一系列含有不同质量分数的改性钛酸钡/聚酰亚胺复合薄膜(BT@TiO_(2)@PDA/PI)。结果表明:核-双壳结构可以改善钛酸钡纳米粒子在聚酰亚胺基体中的分散性及二者的界面相容性。当填料质量分数为40%时,BT@TiO_(2)@PDA/PI复合薄膜的介电常数κ提高到8.8(1 kHz),约为纯聚酰亚胺的2.7倍,为钛酸钡/聚酰亚胺复合薄膜(BT/PI)的1.4倍。介电-温度和介电-频率测试证实,BT@TiO_(2)@PDA/PI复合薄膜具有良好的温度和频率稳定性。在100 kHz的频率范围内,复合薄膜的介电损耗均小于0.010;当填料的质量分数低于40%时,温度从25℃增加到160℃,复合薄膜介电常数的降低数值均不超过0.6(1 kHz)。  相似文献   

14.
以Mg(OH)2为无机阻燃剂,以苯并噁嗪(BZ)-环氧树脂(EP)为基体,通过热压成型制得Mg(OH)2-玻纤布/BZ-EP层压板。通过垂直燃烧和极限氧指数测试层压板的阻燃性,分析了Mg(OH)2粉体的用量、粒径及不同粒径粉体复合添加对复合材料阻燃性的影响,通过SEM对 Mg(OH)2粉体在浸渍胶中的分散结构进行表征。研究发现: Mg(OH)2粉体的粒径和用量对板材阻燃性有一定影响,不同粒径的粉体混合添加可以在复合材料中形成阻燃网络,达到最佳的阻燃效果,同时可以减小无机粒子对板材力学和电学性能的影响。当阻燃剂Mg(OH)2用量为BZ-EP总质量的30wt%,粒径为2 μm的粉体(YX-105)和粒径为4 μm(YX-110)的粉体以质量比1:2复合添加时,所制层压板的极限氧指数为34%,垂直燃烧单个试样自熄时间最短为7.52 s,5个试样总自熄时间为49.81 s,达到UL-94V-0级标准。复合材料的弯曲强度为399.84 MPa,相对介电常数为3.848。  相似文献   

15.
选择在低密度聚乙烯(LDPE)中掺杂无机纳米ZnO和蒙脱土(MMT)颗粒,探讨不同形态无机纳米颗粒对LDPE介电性能的影响。利用熔融共混法配合不同冷却方式制备不同结晶形态的纳米ZnO/LDPE和MMT/LDPE复合材料。通过FTIR、偏光显微镜(PLM)、SEM、DSC和热刺激电流(TSC)对试样进行表征,并。研究了纳米ZnO/LDPE和MMT/LDPE复合材料的交流击穿特性,结果表明:掺杂适当质量分数并经表面修饰的无机纳米颗粒可有效的避免其团聚现象,提高纳米ZnO/LDPE和MMT/LDPE复合材料的结晶速率,使结晶结构更完善,同时无机纳米颗粒掺杂使LDPE的陷阱密度和深度均有所增加,载流子入陷在试样内部形成界面"局域态"。经油冷却方式制备的纳米ZnO/LDPE和MMT/LDPE复合材料击穿场强比空气自然冷却分别高13.6%和14.4%,当掺杂纳米粒子质量分数为3wt%时,复合材料击穿场强出现最大值,其中纳米ZnO/LDPE复合材料比MMT/LDPE复合材料的击穿场强值高0.68%;电导率试验结果表明:纳米ZnO/LDPE复合材料电导率比MMT/LDPE复合材料低。介电性能测试表明,在1~105 Hz的测试频率范围内,纳米ZnO/LDPE复合材料和MMT/LDPE复合材料介电常数降低,介质损耗角正切值有所提高。  相似文献   

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