多孔氧化铝模板制备ZnS:Mn纳米晶及其形成机制

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板.利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS:Mn纳米晶.对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试.结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致.对ZnS:Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS:Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS.从电负性角度讨论了ZnS:Mn纳米晶的形成机制.     

阳极氧化铝模板应用研究新进展

论述了AAO模板以其独特的六角有序纳米结构,组装1-D材料取得的成功,指出目前关注重点为AAO的应用研究.指出由于AAO模板易脆、存在绝缘阻挡层等缺点,其应用研究进展不大.阐述了为克服上述困难,将AAO模板转移到Si衬底或玻璃衬底上的可行性.分析表明,目前AAO模板的应用研究主要集中在发光器件和存储器件上,其他研究报导还很少.对近年来人们利用AAO模板开展应用研究方面的进展做了回顾和评述以其进一步加快AAO模板的应用.     

Sol-Gel法制备ZnO纳米点阵结构

以Al2O3膜为模板,通过溶胶-凝胶浸渍法,经过干燥、高温加热制备了ZnO纳米点阵结构.SEM结果表明,AAO模板孔遭呈六角形排布,孔道垂直无交叉,孔径为50mm左右,在AAO模板内装入的ZnO为纳米颗粒.XRD结果表明,AAO模板为非晶结构,孔内ZnO具有多晶纤锌矿结构.PL谱结果表明,ZnO/AAO组装体系表现出了很强的紫外发射.     

Ni/AAO纳米复合薄膜的制备及其光学性能

采用交流电化学沉积方法,以经过阶梯降压处理的多孔氧化铝(AAO)为模板,制备出Ni/AAO纳米复合薄膜。研究了薄膜的结构及光学性能。结果表明:Ni/AAO纳米复合薄膜中Ni呈线状均匀分布在AAO纳米孔隙中,直径与AAO孔径一致,约80nm,并沿[111]方向择优生长,具有面心立方结构。光谱分析表明,该复合薄膜的光学带隙为3.18eV,较AAO模板(3.38eV)自身红移;光致发光峰位于465nm,与AAO模板相同,发光强度较模板自身减弱。     

制备工艺对多孔阳极氧化铝模板的影响

以草酸溶液为电解液,采用二次氧化法制备了AAO模板,利用自制的实验装置,制备出了高度有序的多孔AAO模板,利用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行了表征。分析了阴阳极间距、制备电压以及草酸溶液浓度对制备AAO模板的影响。经对比讨论,得到了制备AAO模板的优化条件为电压40V,草酸浓度0.5mol/L,阴阳极间距3～5cm。制备的AAO模板的纳米孔径约为100nm,纳米孔径排列规则、笔直且互相平行。分析了多孔AAO模板的形成机理。     

阳极氧化铝(AAO)模板法制作的直径和长度一致的碳纳米管

我们在铝衬底上制作了不同参数条件下的阳极氧化铝(AAO)模板.通过改变初次阳极化时间来得到不同尺寸的纳米孔.改变初次阳极化时间可容易地调节,而使用刻蚀技术又可以控制氧化铝孔的长度.在该研究中,控制阳极极化和刻蚀参量成功地制备了不同直径和不同长度的AAO纳米孔.在AAO模板的竖直沟道中生长了方向性强的碳纳米管,而AAO纳米孔的直径和长度可以控制这一过程.通过二次阳极极化法制备了有着六边形孔洞排列方式的纳米AAO模板.由于AAO纳米孔的直径和长度依赖于阳极化参量,故通过控制阳极化参量就可控制AAO纳米孔的直径和长度.     

多孔氧化铝模板制备ZnS∶Mn纳米晶及其形成机制

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板。利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS∶Mn纳米晶。对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试。结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致。对ZnS∶Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS∶Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS。从电负性角度讨论了ZnS∶Mn纳米晶的形成机制。     

制备工艺对多孔阳极氧化铝模板的影响

以草酸溶液为电解液,采用二次氧化法制备了AAO模板,利用自制的实验装置,制备出了高度有序的多孔AAO模板,利用扫描电子显微镜（SEM）对其形貌进行了表征。分析了阴阳极间距、制备电压以及草酸溶液浓度对制备AAO模板的影响。经对比讨论,得到了制备AAO模板的优化条件为电压40V,草酸浓度0．5mol／L,阴阳极间距3～5cm。制备的AAO模板的纳米孔径约为100nm,纳米孔径排列规则、笔直且互相平行。分析了多孔AAO模板的形成机理。     

AAO模板的湿法刻蚀研究

利用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝(AAO)模板,然后用NaOH、磷铬酸和不同质量分数的H3PO4等溶液,对AAO模板进行湿法刻蚀.研究了刻蚀时间与AAO模板质量减少之间的变化关系.结果表明,质量分数为3%的H3PO4溶液是最为温和的刻蚀荆,它在刻蚀过程中AAO模板的质量减少跟刻蚀时间呈较好的线性关系.SEM测试表明,刻蚀后的AAO模板表面存在大量的氧化铝纳米线,它们是在刻蚀的过程中产生的,并影响着刻蚀速率.通过调节刻蚀时间,可实现对AAO模板的精确可控刻蚀,这对制备纳米器件具有重要意义.     

阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率

使用纳米尺度的多孔阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)作为刻蚀掩膜,刻蚀氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO),形成纳米图形化表面,对于发光二极管的出光效率有明显的提升作用。AAO纳米掩膜的制备已广为报道,是纳电子学研究中常用的模板之一,工艺简单易行、可控性好。使用电感耦合反应离子刻蚀方法成功将纳米多孔结构转移到ITO上,形成ITO纳米结构。纳米图形化结构的引入使得器件有效减小了内部的全反射,在电压没有大幅提高,注入电流350 mA时,光学输出提高了7%。纳米尺度粗化结构LED与传统结构LED对比,提升了器件的外量子效率。